公开(公告)号：CN110636992A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880031335.6

申请日：2018-04-13

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 米村卓巳 ,  山崎畅 ,  田中佐贤

IPC分类号： C03B37/014 ,  C03B8/04

摘要： 本实施方案所述的制造方法等具有用于有效抑制母材拉丝时的突发性突增的产生的构造。为了调整母材中心部分的残留He浓度，将烧结后且碱金属添加前的具有预定外径的透明玻璃棒在不含He的气氛中按照参照实际结果数据所决定的退火时间来退火，其中所述实际结果数据预先对每个外径记录了退火时间与残留He浓度的关系。此外，还将所制造的光纤母材的残留He浓度的实测数据与退火时间作为退火处理实际结果追加到实际结果数据中。

公开(公告)号：CN103748749A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280035103.0

申请日：2012-04-06

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 米村卓巳 ,  京野孝史 ,  盐谷阳平

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01S5/3202 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0035 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

摘要： 提供一种被降低的正向电压的III族氮化物半导体激光元件。在p型包覆层中，以p型包覆层中的p型掺杂剂的浓度大于n型杂质的浓度的方式含有p型掺杂剂及n型杂质。通过使用比p型包覆层的带隙大的激发光的测定而获得的光致发光(PL)光谱具有能带端发光及施主受主对发光的波峰。该PL光谱的能带端发光峰值的能量E(BAND)与该PL光谱的施主受主对发光峰值的能量E(DAP)之差(E(BAND)-E(DAP))与该III族氮化物半导体激光元件(11)的正向驱动电压(Vf)具有相关。在该能量差(E(BAND)-E(DAP))为0.42eV以下时，III族氮化物半导体发光元件的正向电压施加时的驱动电压降低。

公开(公告)号：CN114631170A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202080075393.6

申请日：2020-11-04

申请人： 住友电工光电子器件创新株式会社 ,  住友电气工业株式会社

发明人： 宫下耕平 ,  岸健 ,  米村卓巳

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/268 ,  H01L21/335 ,  H01L21/66 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

摘要： 该外延基板的制造方法包括：使III族氮化物半导体层在基板上外延生长的工序；将基板从生长炉取出的工序；一边将III族氮化物半导体层的表面暴露于含氧的气氛，一边对表面照射紫外光的工序；以及测定III族氮化物半导体层的薄层电阻值的工序。

公开(公告)号：CN110636992B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201880031335.6

申请日：2018-04-13

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 米村卓巳 ,  山崎畅 ,  田中佐贤

IPC分类号： C03B37/014 ,  C03B8/04

摘要： 本实施方案所述的制造方法等具有用于有效抑制母材拉丝时的突发性突增的产生的构造。为了调整母材中心部分的残留He浓度，将烧结后且碱金属添加前的具有预定外径的透明玻璃棒在不含He的气氛中按照参照实际结果数据所决定的退火时间来退火，其中所述实际结果数据预先对每个外径记录了退火时间与残留He浓度的关系。此外，还将所制造的光纤母材的残留He浓度的实测数据与退火时间作为退火处理实际结果追加到实际结果数据中。

公开(公告)号：CN112447536A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010911205.0

申请日：2020-09-02

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 住吉和英 ,  冈田政也 ,  井上和孝 ,  米村卓巳

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/335 ,  H01L23/31 ,  H01L29/778 ,  C23C16/44 ,  C23C16/34

摘要： 本申请发明涉及形成氮化硅钝化膜的方法、制造半导体器件的方法和半导体器件。在氮化物半导体层上形成氮化硅钝化膜的方法包含以下步骤：将包含氮化物半导体层的衬底引入反应炉中，将所述反应炉内的气氛从空气置换为氨气(NH3)气氛或氢气(H2)气氛，将所述反应炉内的温度升高至第一温度，将所述反应炉内的温度保持在所述第一温度并且将所述反应炉内的气氛保持为NH3气氛或H2气氛三分钟以上，将所述反应炉内的温度降低至低于所述第一温度的第二温度，以及通过在所述反应炉中在100Pa以下的第一压力下向所述反应炉中供给二氯硅烷(SiH2Cl2)而形成所述氮化硅钝化膜。