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公开(公告)号:CN1397024A
公开(公告)日:2003-02-12
申请号:CN01804177.9
申请日:2001-01-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明的特征是在用于加热光波导元件(2)的加热器模块(30)中,备有具有通过通电发热的发热电路(42)和层积在发热电路上的AIN陶瓷层(44)的陶瓷加热器(40)。
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公开(公告)号:CN1465122A
公开(公告)日:2003-12-31
申请号:CN02802460.5
申请日:2002-04-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/02415 , H01L23/38 , H01L35/32 , H01L2924/0002 , H01S5/02208 , H01L2924/00
Abstract: 一种光半导体模块,其中电子冷却元件和底板之间的接合面积与封壳底板面积之比增加,于是即使在封壳底板面积相同时,也可以增加电子冷却元件的吸热率。封壳(11)包括安装在其上的多个分开的电子冷却元件(16)。分开的电子冷却元件(16)插入陶瓷接线端(14)的伸入到封壳(11)内部的内部突出部分(14a)和底板(13)之间,并固定在底板上;电子冷却元件(16)通过铜片(20)串联。多个分开的电子冷却元件(16)与底板(13)之间的总接合面积不小于封壳(11)的底板(13)的面积的75%。
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公开(公告)号:CN1396654A
公开(公告)日:2003-02-12
申请号:CN02141292.8
申请日:2002-07-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L23/15 , H01L21/4846 , H01L23/49811 , H01L23/49866 , H01L2924/0002 , H01L2924/13055 , H05K1/0306 , H05K1/167 , H05K3/062 , H05K3/108 , H05K3/388 , H05K2201/098 , H05K2203/1184 , H01L2924/00
Abstract: 一种电路板包括在陶瓷基底11上形成第一金属层图形14,在第一金属层上形成至少0.5μm厚的第二金属层图形16,其中第一金属层通过蚀刻宽度减小。此外,第三金属层13可以与第一金属层在同一平面上形成图形。第二金属层16的最外层是金属,比如不会被蚀刻的金。该电路板具有精细的和高分辨率的布线图,使在其上面安装至少一个高输出半导体元件、实现小型高性能高输出模块成为可能。
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公开(公告)号:CN1194409C
公开(公告)日:2005-03-23
申请号:CN02141293.6
申请日:2002-07-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L2224/48227 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01S5/02 , H05K1/0306 , H05K1/167 , H05K3/062 , H05K3/108 , H05K3/388 , H05K2201/0125 , H05K2201/098 , H05K2203/0597 , H05K2203/1105 , H05K2203/1184 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , H01L2924/00 , H01L2924/01033 , H01L2224/45099
Abstract: 一种电路板包括在陶瓷基底(11)上形成图形化的第一金属层(14),在第一金属层上形成图形化的第二金属层(16),和形成覆盖第二金属层整个上表面和侧表面、以及一部分第一金属层的上表面的第三金属层(17),其中第一金属层没有被第三金属层覆盖的部分通过蚀刻宽度减小。该电路板具有与基底粘结强度高的厚膜精细布线图和高可靠性,使通过在其上面安装至少一个高输出半导体元件,能实现小尺寸高性能高输出模块。
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公开(公告)号:CN1169005C
公开(公告)日:2004-09-29
申请号:CN02105770.2
申请日:2002-04-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02B6/42 , H01L31/0203
CPC classification number: H01L31/0203 , G02B6/4207 , G02B6/4216 , H01L33/483
Abstract: 一种配备光传输窗的光学半导体的密封封装,该光传输窗的光传输表面相对于封装底面的垂线至少倾斜6°,所述光传输窗由光传输窗材料构成,并使用钎焊材料连接到封装侧壁上的一个圆柱形部件上,该部件具有一个倾斜表面,相对封装的侧壁至少倾斜6°角,并装配到侧壁的一个通孔中,而窗材料由光传输陶瓷板组成,在其上形成围绕周边的金属喷镀部分,在陶瓷板的中心保留圆的光传输部分;以及使用这种封装的光学半导体模块。这种密封封装和光学半导体模块可以容易地和廉价地制造,具有高的可靠性以及不会有偏振面变形。
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公开(公告)号:CN1396655A
公开(公告)日:2003-02-12
申请号:CN02141294.4
申请日:2002-07-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H05K3/108 , H01L21/4846 , H01L23/15 , H01L23/49811 , H01L23/49866 , H01L2224/11831 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K1/0306 , H05K1/167 , H05K3/062 , H05K3/388 , H05K2201/098 , H05K2203/0597 , H05K2203/1184 , Y10T29/4913 , Y10T29/49156 , H01L2924/00 , H01L2924/01033 , H01L2224/45099
Abstract: 一种电路板包括在陶瓷基底上形成第一金属层图形,在第一金属层上形成第二金属层图形,和形成覆盖第二金属层上表面及其大部分侧表面的第三金属层,其中没有被第三金属层覆盖的第一和部分第二金属层通过蚀刻宽度减小。该电路板具有精细的和高分辨率的布线图,使在其上面安装至少一个高输出半导体元件、实现小型高性能高输出模块成为可能。
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公开(公告)号:CN1393928A
公开(公告)日:2003-01-29
申请号:CN02122686.5
申请日:2002-06-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L31/02002 , H01L23/10 , H01L31/0203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用于容放光半导体器件的密封封装容器,它可减少在陶瓷端子件的导电条中所产生的热量,比起传统的封装,在低能量消耗时,增加了导电条的电流,使封装内的器件能稳定的输出。还提供一种结合此容器的光半导体模块。陶瓷端子件有包含多个导电条的第一布线层,并且第一布线层穿过陶瓷端子件;两个第二布线层的每一个包含至少一个导电条,导电条的其中之一与容器外部的第一布线层相连,其他导电条与容器内部的第一布线层相连;至少一个第三布线层有至少一个导电条,并且此导电条与两个第二布线层相连。
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公开(公告)号:CN1388398A
公开(公告)日:2003-01-01
申请号:CN02105770.2
申请日:2002-04-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L31/0203 , G02B6/4207 , G02B6/4216 , H01L33/483
Abstract: 一种配备光传输窗的光学半导体的密封封装,其光传输表面相对于封装底面的垂线至少倾斜6°,以及它使用钎焊材料连接到封装侧壁的圆部件上,而窗材料是由光传输陶瓷板组成(例如氧化铝或尖晶石),陶瓷板为实质上规则的六边形或盘形,在其上形成围绕周边的金属喷镀部分,在板的中心保留圆的光传输部分;以及使用这种封装的光学半导体模块。这种密封封装和光学半导体模块可以容易地和廉价地制造,具有高的可靠性以及不会有极化面变形。
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公开(公告)号:CN1198333C
公开(公告)日:2005-04-20
申请号:CN02141292.8
申请日:2002-07-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L23/15 , H01L21/4846 , H01L23/49811 , H01L23/49866 , H01L2924/0002 , H01L2924/13055 , H05K1/0306 , H05K1/167 , H05K3/062 , H05K3/108 , H05K3/388 , H05K2201/098 , H05K2203/1184 , H01L2924/00
Abstract: 一种电路板包括在陶瓷基底(11)上形成第一金属层图形(14),在第一金属层上形成至少0.5μm厚的第二金属层图形(16),其中该第一金属层包含一由Ti/Mo/Ni,Ti/Pt/Ni,Ti/V/Ni,或者Ti/Pd/Ni组成的多层结构,该第二金属层包括Au,Ni/Au,Ag,Pd/Au,Pt/Au,或者V/Au,其中第一金属层通过刻蚀宽度减小。此外,第三金属层(13)可以与第一金属层在同一平面上形成图形。第二金属层(16)的最外层是金属,比如不会被刻蚀的金。该电路板具有精细的和高分辨率的布线图,使在其上面安装至少一个高输出半导体元件、实现小型高性能高输出模块成为可能。
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公开(公告)号:CN1178296C
公开(公告)日:2004-12-01
申请号:CN02141294.4
申请日:2002-07-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H05K3/108 , H01L21/4846 , H01L23/15 , H01L23/49811 , H01L23/49866 , H01L2224/11831 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K1/0306 , H05K1/167 , H05K3/062 , H05K3/388 , H05K2201/098 , H05K2203/0597 , H05K2203/1184 , Y10T29/4913 , Y10T29/49156 , H01L2924/00 , H01L2924/01033 , H01L2224/45099
Abstract: 一种电路板包括在陶瓷基底上形成第一金属层图形,在第一金属层上形成第二金属层图形,和形成覆盖第二金属层上表面及其大部分侧表面的第三金属层,其中没有被第三金属层覆盖的第一和部分第二金属层通过刻蚀宽度减小。第一、第二和第三金属层的合并厚度Dμm和相邻的布线图线条之间的距离Lμm之间满足如下关系,D/L>0.4;其中第一、第二和第三金属层的合并厚度Dμm至少为5μm。该电路板具有精细的和高分辨率的布线图,使在其上面安装至少一个高输出半导体元件、实现小型高性能高输出模块成为可能。
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