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    布线基板、电子装置以及电子模块
    1.
    发明公开
    布线基板、电子装置以及电子模块 审中-实审

    公开(公告)号：CN114402433A

    公开(公告)日：2022-04-26

    申请号：CN202080064983.9

    申请日：2020-09-18

    Applicant: 京瓷株式会社

    Inventor： 伊藤征一朗 ,  西内丽花

    IPC: H01L23/495 ,  H01L23/498

    Abstract: 提供一种能够提高部件的安装部的强度的布线基板。进而，提供可靠性高的电子装置以及电子模块。布线基板具备：具有第1面的基体和位于第1面的导体，导体具有相对于第1面的法线方向相互向相同的倾斜方向突出的多个第1凸部位于表面的区域。电子装置以及电子模块具备上述的布线基板和搭载于布线基板的电子部件。

    布线基板、电子装置以及电子模块
    2.
    发明公开
    布线基板、电子装置以及电子模块 有权

    公开(公告)号：CN113711348A

    公开(公告)日：2021-11-26

    申请号：CN202080030110.6

    申请日：2020-04-22

    Applicant: 京瓷株式会社

    Inventor： 伊藤征一朗 ,  西内丽花

    IPC: H01L23/12 ,  G01P15/08 ,  G01P15/18 ,  H05K1/02 ,  H05K1/18

    Abstract: 提供一种容易以高精度使多个电子部件的相对角度对准，并且，容易以高的姿势精度将多个电子部件安装于模块基板的布线基板、具有上述的布线基板的电子装置以及电子模块。布线基板具备具有绝缘性的基体、和位于该基体上的布线导体。所述基体具有第1面、位于该第1面的相反侧的第4面、和位于所述第1面与所述第4面之间的侧面的第2面以及第3面，所述第1面、所述第2面以及所述第3面分别为电子部件的搭载面，所述第4面为安装面。电子装置具备所述布线基板、和分别搭载于所述第1面、所述第2面以及所述第3面的电子部件。

    布线基板
    4.
    发明授权
    布线基板 有权

    公开(公告)号：CN112314062B

    公开(公告)日：2023-10-10

    申请号：CN201980041992.3

    申请日：2019-06-28

    Applicant: 京瓷株式会社

    Inventor： 伊藤征一朗

    IPC: H05K1/02 ,  H05K3/00

    Abstract: 在布线基板，配置遍及包含绝缘基板的相邻的两个面的角部而连续的布线。配置在位于角部的缘部的部位的布线的厚度比远离缘部的部位的布线的厚度大。布线的厚度从远离缘部的部位向配置在缘部的部位递增。相对于侧端面上，在搭载安装电子元件的主面上，布线的厚度大，此外梯度平缓。

    布线基板、电子装置以及电子模块
    5.
    发明公开
    布线基板、电子装置以及电子模块 有权

    公开(公告)号：CN113228259A

    公开(公告)日：2021-08-06

    申请号：CN201980085720.3

    申请日：2019-12-25

    Applicant: 京瓷株式会社

    Inventor： 伊藤征一朗

    IPC: H01L23/12 ,  H05K1/02 ,  H05K1/11

    Abstract: 布线基板具备：基板，该基板具有第1面、第1面的相反侧的第2面以及分别与第1面及第2面相连的侧面；第1金属膜，该第1金属膜从第1面一直配置到侧面；和第2金属膜，该第2金属膜从第2面一直配置到位于侧面的第1金属膜之上。

    布线基板、电子装置以及电子模块
    6.
    发明授权
    布线基板、电子装置以及电子模块 有权

    公开(公告)号：CN113228259B

    公开(公告)日：2024-10-25

    申请号：CN201980085720.3

    申请日：2019-12-25

    Applicant: 京瓷株式会社

    Inventor： 伊藤征一朗

    IPC: H01L23/12 ,  H05K1/02 ,  H05K1/11

    Abstract: 布线基板具备：基板，该基板具有第1面、第1面的相反侧的第2面以及分别与第1面及第2面相连的侧面；第1金属膜，该第1金属膜从第1面一直配置到侧面；和第2金属膜，该第2金属膜从第2面一直配置到位于侧面的第1金属膜之上。

    SiC晶体的制造方法
    7.
    发明公开
    SiC晶体的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN115917060A

    公开(公告)日：2023-04-04

    申请号：CN202180045280.6

    申请日：2021-06-29

    Applicant: 京瓷株式会社

    Inventor： 伊藤征一朗 ,  石崎雄一郎 ,  梅木阳贵

    IPC: C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C30B23/06 ,  H01L21/205

    Abstract: SiC晶体的制造方法是基于升华再结晶法的制造方法，包括：准备在内表面具有支承部的坩埚的工序；将原料放入坩埚的工序；将在下表面具有SiC晶体生长的区域的应力缓冲片设置于支承部的工序；将在与应力缓冲片对置的面具有朝向应力缓冲片中的SiC晶体生长的区域突出的突起部的盖设置于坩埚的工序；和使放入坩埚的原料升华，使SiC晶体在应力缓冲片的下表面生长的工序。

    近红外线截止滤波器以及光半导体装置
    8.
    发明授权
    近红外线截止滤波器以及光半导体装置 失效

    公开(公告)号：CN107615115B

    公开(公告)日：2020-05-15

    申请号：CN201680031522.5

    申请日：2016-06-22

    Applicant: 京瓷株式会社

    Inventor： 伊藤征一朗 ,  户田启介 ,  石崎雄一郎 ,  东条哲也

    IPC: G02B5/22 ,  G02B5/28 ,  H01L27/14 ,  H04N5/335

    Abstract: 一种近红外线截止滤波器，具备：吸收膜，吸收所入射的光当中的近红外线；反射膜，在上表面配置了吸收膜，且对透过了吸收膜的光当中的近红外线进行反射；以及透明基板，在上表面配置了反射膜以及吸收膜，且使透过了反射膜的光透过，吸收膜包含聚合物和分散于聚合物中的有机色素，其中，该聚合物由具有疏水基的重复单元以及具有羟基的重复单元构成，该有机色素具有羟基并且吸收近红外线，该聚合物中的具有羟基的重复单元是乙烯醇。

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