公开(公告)号：CN116018431A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202180053215.8

申请日：2021-08-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤征一朗 ,  石崎雄一郎 ,  梅木阳贵

IPC: C30B23/02

Abstract: SiC多晶体的制造方法通过利用了SiC籽晶的升华再结晶法进行，作为SiC籽晶，使用多晶SiC基板，该多晶SiC基板是通过升华再结晶法制作的SiC多晶，相比于β‑SiC，更多地包含α‑SiC。

公开(公告)号：CN115917060A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202180045280.6

申请日：2021-06-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤征一朗 ,  石崎雄一郎 ,  梅木阳贵

IPC: C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C30B23/06 ,  H01L21/205

Abstract: SiC晶体的制造方法是基于升华再结晶法的制造方法，包括：准备在内表面具有支承部的坩埚的工序；将原料放入坩埚的工序；将在下表面具有SiC晶体生长的区域的应力缓冲片设置于支承部的工序；将在与应力缓冲片对置的面具有朝向应力缓冲片中的SiC晶体生长的区域突出的突起部的盖设置于坩埚的工序；和使放入坩埚的原料升华，使SiC晶体在应力缓冲片的下表面生长的工序。

公开(公告)号：CN114600235A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080075168.2

申请日：2020-10-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤征一朗 ,  石崎雄一郎 ,  梅木阳贵

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/373

Abstract: 布线基板具备具有第1面的绝缘基板和位于绝缘基板的布线导体，绝缘基板包括多型不同的多个SiC的块状晶体。电子装置具备上述布线基板和搭载于上述布线基板的电子部件。电子模块具备上述电子装置和搭载了上述电子装置的模块用基板。