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公开(公告)号：CN102448663A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080022985.8
申请日：2010-05-27
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , B23K35/3006 , B23K35/302 , B23K2101/14 , C22C5/08 , C22C9/00 , C22C30/02 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种钎料及使用该钎料的散热基体以及电子装置。为了提供一种可以控制接合部处的钎料的不需要的溢出、相对于绝缘的可靠性高且即便反复进行散热也难以产生短路的散热基体，本发明的钎料以银及铜为主成分，并且含有：从铟、锌及锡中选择的至少一种元素A；从钛、锆、铪及铌中选择的至少一种元素B；以及从钼、钽、锇、铼及钨中选择的至少一种元素C。在经由由该钎料构成的接合层(31、32)在支承基板(21)上接合有电路部件(41)及散热部件(42)而构成的散热基体(10)中，由于接合部处的不需要的溢出少，因此，可以减小相邻电路部件(41)间产生短路的可能性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103583087A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280026481.2
申请日：2012-05-30
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H05K1/09 , H01L23/15 , H01L23/3677 , H01L23/49827 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K1/0206 , H05K1/0306 , H05K1/115 , H05K3/4061 , H05K2201/0266 , H05K2201/0326 , H05K2203/049 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种接合强度高、散热特性优异、且通过缩小在贯通导体上形成的金属配线层的凹陷而能够长期使用的可靠性高的电路基板以及在该电路基板上搭载电子部件而形成的电子装置。电路基板(10)在贯通于陶瓷烧结体(11)的厚度方向的贯通孔(12)中具备由金属构成的贯通导体(13)，并且具备将陶瓷烧结体(11)的至少一个主面侧的贯通导体(13)的表面覆盖而连接的金属配线层(14)，贯通导体(13)具有在贯通孔(12)的内壁侧沿着陶瓷烧结体(11)的厚度方向从贯通孔(12)的一端至另一端配置的第一区域(13a)以及与第一区域(13a)邻接的第二区域(13b)，第二区域(13b)的平均结晶粒径大于第一区域(13a)的平均结晶粒径。
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公开(公告)号：CN108025986A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680056028.4
申请日：2016-09-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B37/00
CPC classification number: C04B37/003 , B32B18/00 , B32B2250/02 , B32B2307/752 , C04B37/00 , C04B37/005 , C04B37/006 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/16 , C04B2237/365 , C04B2237/708 , C04B2237/78
Abstract: 本公开的陶瓷接合体具备第1碳化硅质陶瓷、第2碳化硅质陶瓷、和位于第1碳化硅质陶瓷与第2碳化硅质陶瓷之间的接合层。接合层中，构成接合层的全部成分100质量％中，含有金属硅25质量％以上、碳化硅25质量％以上，且金属硅和碳化硅总计含有75质量％以上，此外，含有镍硅化物和铬硅化物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN103583087B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201280026481.2
申请日：2012-05-30
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H05K1/09 , H01L23/15 , H01L23/3677 , H01L23/49827 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K1/0206 , H05K1/0306 , H05K1/115 , H05K3/4061 , H05K2201/0266 , H05K2201/0326 , H05K2203/049 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种接合强度高、散热特性优异、且通过缩小在贯通导体上形成的金属配线层的凹陷而能够长期使用的可靠性高的电路基板以及在该电路基板上搭载电子部件而形成的电子装置。电路基板(10)在贯通于陶瓷烧结体(11)的厚度方向的贯通孔(12)中具备由金属构成的贯通导体(13)，并且具备将陶瓷烧结体(11)的至少一个主面侧的贯通导体(13)的表面覆盖而连接的金属配线层(14)，贯通导体(13)具有在贯通孔(12)的内壁侧沿着陶瓷烧结体(11)的厚度方向从贯通孔(12)的一端至另一端配置的第一区域(13a)以及与第一区域(13a)邻接的第二区域(13b)，第二区域(13b)的平均结晶粒径大于第一区域(13a)的平均结晶粒径。
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公开(公告)号：CN102448663B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201080022985.8
申请日：2010-05-27
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , B23K35/3006 , B23K35/302 , B23K2101/14 , C22C5/08 , C22C9/00 , C22C30/02 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种钎料及使用该钎料的散热基体以及电子装置。为了提供一种可以控制接合部处的钎料的不需要的溢出、相对于绝缘的可靠性高且即便反复进行散热也难以产生短路的散热基体，本发明的钎料以银及铜为主成分，并且含有：从铟、锌及锡中选择的至少一种元素A；从钛、锆、铪及铌中选择的至少一种元素B；以及从钼、钽、锇、铼及钨中选择的至少一种元素C。在经由由该钎料构成的接合层(31、32)在支承基板(21)上接合有电路部件(41)及散热部件(42)而构成的散热基体(10)中，由于接合部处的不需要的溢出少，因此，可以减小相邻电路部件(41)间产生短路的可能性。
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