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公开(公告)号：CN106663624B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201580031726.4
申请日：2015-06-17
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 披露了波希蚀刻工艺中的cC4F8钝化气体的替代化学物质及使用这些化学物质的工艺。这些化学物质具有式CxHyFz，其中1≤x＜7，1≤y≤13，且1≤z≤13。这些替代化学物质可减少与深度硅孔蚀刻相关的RIE滞后。
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公开(公告)号：CN111816559B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010698443.8
申请日：2015-06-17
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/02 , C09K13/00 , C09K13/08
摘要： 本发明涉及一种以类似速率蚀刻具有不同纵横比的孔的方法，该方法包括：a.用含氟蚀刻流体等离子体蚀刻含硅基板，形成经蚀刻的含硅基板，该经蚀刻的含硅基板包括具有一种宽度的孔和具有不相同的宽度的孔；b.通过等离子体处理不饱和含氢聚合物沉积流体来产生CaHbFc物种，这些物种的总量的大约50％至大约100％具有大于1:2的C:F比率，其中a＝1或2，b＝1或2且c＝1至3，从而在所述经蚀刻的含硅基板上沉积聚合物膜；c.重复步骤a和b以产生经蚀刻和聚合物沉积的含硅基板，其包括具有高纵横比的孔和具有低纵横比的孔。
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公开(公告)号：CN110178206B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201780081811.0
申请日：2017-12-29
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
发明人： 维贾伊·苏尔拉 , 拉胡尔·古普塔 , 孙卉 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 , 南森·斯塔福德 , 法布里齐奥·马切吉亚尼 , 文森特·M·欧马杰 , 詹姆斯·罗耶
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H10B41/20 , H10B43/20 , H10B12/00
摘要： 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含碘蚀刻化合物具有式CaHxFyIz，其中a＝1‑3，x＝0‑6，y＝1‑7，z＝1‑2，当a＝1时x+y+z＝4，当a＝2时x+y+z＝4或6，并且当a＝3时x+y+z＝6或8；将惰性气体引入该反应腔室中；以及活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物。
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公开(公告)号：CN106663624A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580031726.4
申请日：2015-06-17
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 披露了波希蚀刻工艺中的cC4F8钝化气体的替代化学物质及使用这些化学物质的工艺。这些化学物质具有式CxHyFz，其中1≤x＜7，1≤y≤13，且1≤z≤13。这些替代化学物质可减少与深度硅孔蚀刻相关的RIE滞后。
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公开(公告)号：CN116884838A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311017020.5
申请日：2017-12-29
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
发明人： 维贾伊·苏尔拉 , 拉胡尔·古普塔 , 孙卉 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 , 南森·斯塔福德 , 法布里齐奥·马切吉亚尼 , 文森特·M·欧马杰 , 詹姆斯·罗耶
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H10B41/20 , H10B43/20 , H10B12/00
摘要： 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含碘蚀刻化合物具有式CaHxFyIz，其中a＝1‑3，x＝0‑6，y＝1‑7，z＝1‑2，当a＝1时x+y+z＝4，当a＝2时x+y+z＝4或6，并且当a＝3时x+y+z＝6或8；将惰性气体引入该反应腔室中；以及活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物。
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公开(公告)号：CN111316405B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201880070762.5
申请日：2018-10-31
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
发明人： 孙卉 , 法布里齐奥·马切吉亚尼 , 詹姆斯·罗耶 , 南森·斯塔福德 , 拉胡尔·古普塔
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 一种方法，该方法用于使用选自由以下各项组成的组的氢氟烃蚀刻化合物：2,2,2‑三氟乙胺(C2H4F3N)、1,1,2‑三氟乙‑1‑胺(异‑C2H4F3N)、2,2,3,3,3‑五氟丙胺(C3H4F5N)、1,1,1,3,3‑五氟‑2‑丙胺(异‑C3H4F5N)、1,1,1,3,3‑五氟‑(2R)‑2‑丙胺(异‑2R‑C3H4F5N)和1,1,1,3,3‑五氟‑(2R)‑2‑丙胺(异‑2S‑C3H4F5N)、1,1,1,3,3,3‑六氟异丙胺(C3H3F6N)和1,1,2,3,3,3‑六氟‑1‑丙胺(异‑C3H3F6N)，或选自由以下各项组成的组的氢氟烃蚀刻化合物：1,1,1,3,3,3‑六氟异丙胺(C3H3F6N)和1,1,2,3,3,3‑六氟‑1‑丙胺(异‑C3H3F6N)相对于图案化光致抗蚀剂层选择性地等离子蚀刻介电减反射涂层(DARC)从而在该DARC层中产生孔。
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公开(公告)号：CN111816559A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010698443.8
申请日：2015-06-17
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/02 , C09K13/00 , C09K13/08
摘要： 本发明涉及一种以类似速率蚀刻具有不同纵横比的孔的方法，该方法包括：a.用含氟蚀刻流体等离子体蚀刻含硅基板，形成经蚀刻的含硅基板，该经蚀刻的含硅基板包括具有一种宽度的孔和具有不相同的宽度的孔；b.通过等离子体处理不饱和含氢聚合物沉积流体来产生CaHbFc物种，这些物种的总量的大约50％至大约100％具有大于1:2的C:F比率，其中a＝1或2，b＝1或2且c＝1至3，从而在所述经蚀刻的含硅基板上沉积聚合物膜；c.重复步骤a和b以产生经蚀刻和聚合物沉积的含硅基板，其包括具有高纵横比的孔和具有低纵横比的孔。
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公开(公告)号：CN111316405A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880070762.5
申请日：2018-10-31
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
发明人： 孙卉 , 法布里齐奥·马切吉亚尼 , 詹姆斯·罗耶 , 南森·斯塔福德 , 拉胡尔·古普塔
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 一种方法，该方法用于使用选自由以下各项组成的组的氢氟烃蚀刻化合物：2,2,2-三氟乙胺(C2H4F3N)、1,1,2-三氟乙-1-胺(异-C2H4F3N)、2,2,3,3,3-五氟丙胺(C3H4F5N)、1,1,1,3,3-五氟-2-丙胺(异-C3H4F5N)、1,1,1,3,3-五氟-(2R)-2-丙胺(异-2R-C3H4F5N)和1,1,1,3,3-五氟-(2R)-2-丙胺(异-2S-C3H4F5N)、1,1,1,3,3,3-六氟异丙胺(C3H3F6N)和1,1,2,3,3,3-六氟-1-丙胺(异-C3H3F6N)，或选自由以下各项组成的组的氢氟烃蚀刻化合物：1,1,1,3,3,3-六氟异丙胺(C3H3F6N)和1,1,2,3,3,3-六氟-1-丙胺(异-C3H3F6N)相对于图案化光致抗蚀剂层选择性地等离子蚀刻介电减反射涂层(DARC)从而在该DARC层中产生孔。
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公开(公告)号：CN115394641A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211081337.0
申请日：2016-08-30
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
发明人： 维贾伊·苏尔拉 , 拉胡尔·古普塔 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆
IPC分类号： H01L21/311 , C09K13/00
摘要： 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含氮蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含氮蚀刻化合物是含有至少一个C≡N或C＝N官能团的有机氟化合物；将惰性气体引入该反应腔室中；并且活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含氮蚀刻化合物。
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公开(公告)号：CN107924842B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201680048436.5
申请日：2016-08-30
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
发明人： 维贾伊·苏尔拉 , 拉胡尔·古普塔 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆
IPC分类号： H01L21/311 , C07C251/08 , C07C251/26 , C07C255/10
摘要： 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含氮蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含氮蚀刻化合物是含有至少一个C≡N或C＝N官能团的有机氟化合物；将惰性气体引入该反应腔室中；并且活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含氮蚀刻化合物。
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