-
公开(公告)号：CN106663624B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201580031726.4
申请日：2015-06-17
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 披露了波希蚀刻工艺中的cC4F8钝化气体的替代化学物质及使用这些化学物质的工艺。这些化学物质具有式CxHyFz，其中1≤x＜7，1≤y≤13，且1≤z≤13。这些替代化学物质可减少与深度硅孔蚀刻相关的RIE滞后。
-
公开(公告)号：CN110178206A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201780081811.0
申请日：2017-12-29
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
发明人： 维贾伊·苏尔拉 , 拉胡尔·古普塔 , 孙卉 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 , 南森·斯塔福德 , 法布里齐奥·马切吉亚尼 , 文森特·M·欧马杰 , 詹姆斯·罗耶
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L27/11582
摘要： 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含碘蚀刻化合物具有式CaHxFyIz，其中a＝1-3，x＝0-6，y＝1-7，z＝1-2，当a＝1时x+y+z＝4，当a＝2时x+y+z＝4或6，并且当a＝3时x+y+z＝6或8；将惰性气体引入该反应腔室中；以及活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物。
-
公开(公告)号：CN111816559B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010698443.8
申请日：2015-06-17
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/02 , C09K13/00 , C09K13/08
摘要： 本发明涉及一种以类似速率蚀刻具有不同纵横比的孔的方法，该方法包括：a.用含氟蚀刻流体等离子体蚀刻含硅基板，形成经蚀刻的含硅基板，该经蚀刻的含硅基板包括具有一种宽度的孔和具有不相同的宽度的孔；b.通过等离子体处理不饱和含氢聚合物沉积流体来产生CaHbFc物种，这些物种的总量的大约50％至大约100％具有大于1:2的C:F比率，其中a＝1或2，b＝1或2且c＝1至3，从而在所述经蚀刻的含硅基板上沉积聚合物膜；c.重复步骤a和b以产生经蚀刻和聚合物沉积的含硅基板，其包括具有高纵横比的孔和具有低纵横比的孔。
-
公开(公告)号：CN110178206B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201780081811.0
申请日：2017-12-29
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
发明人： 维贾伊·苏尔拉 , 拉胡尔·古普塔 , 孙卉 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 , 南森·斯塔福德 , 法布里齐奥·马切吉亚尼 , 文森特·M·欧马杰 , 詹姆斯·罗耶
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H10B41/20 , H10B43/20 , H10B12/00
摘要： 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含碘蚀刻化合物具有式CaHxFyIz，其中a＝1‑3，x＝0‑6，y＝1‑7，z＝1‑2，当a＝1时x+y+z＝4，当a＝2时x+y+z＝4或6，并且当a＝3时x+y+z＝6或8；将惰性气体引入该反应腔室中；以及活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物。
-
公开(公告)号：CN106663624A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580031726.4
申请日：2015-06-17
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 披露了波希蚀刻工艺中的cC4F8钝化气体的替代化学物质及使用这些化学物质的工艺。这些化学物质具有式CxHyFz，其中1≤x＜7，1≤y≤13，且1≤z≤13。这些替代化学物质可减少与深度硅孔蚀刻相关的RIE滞后。
-
公开(公告)号：CN116884838A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311017020.5
申请日：2017-12-29
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
发明人： 维贾伊·苏尔拉 , 拉胡尔·古普塔 , 孙卉 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 , 南森·斯塔福德 , 法布里齐奥·马切吉亚尼 , 文森特·M·欧马杰 , 詹姆斯·罗耶
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H10B41/20 , H10B43/20 , H10B12/00
摘要： 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含碘蚀刻化合物具有式CaHxFyIz，其中a＝1‑3，x＝0‑6，y＝1‑7，z＝1‑2，当a＝1时x+y+z＝4，当a＝2时x+y+z＝4或6，并且当a＝3时x+y+z＝6或8；将惰性气体引入该反应腔室中；以及活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物。
-
公开(公告)号：CN111816559A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010698443.8
申请日：2015-06-17
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/02 , C09K13/00 , C09K13/08
摘要： 本发明涉及一种以类似速率蚀刻具有不同纵横比的孔的方法，该方法包括：a.用含氟蚀刻流体等离子体蚀刻含硅基板，形成经蚀刻的含硅基板，该经蚀刻的含硅基板包括具有一种宽度的孔和具有不相同的宽度的孔；b.通过等离子体处理不饱和含氢聚合物沉积流体来产生CaHbFc物种，这些物种的总量的大约50％至大约100％具有大于1:2的C:F比率，其中a＝1或2，b＝1或2且c＝1至3，从而在所述经蚀刻的含硅基板上沉积聚合物膜；c.重复步骤a和b以产生经蚀刻和聚合物沉积的含硅基板，其包括具有高纵横比的孔和具有低纵横比的孔。
-
公开(公告)号：CN111448456A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880079096.1
申请日：2018-11-01
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
发明人： 特蕾西·杰克西尔 , 玛尼·马修 , 小安东尼·W·里斯克 , 马丁·瓦萨赫利 , 文森特·M·欧马杰
摘要： 本披露涉及包含至少两种不同的非放射性同位素原子的制造的组合物、材料或装置。每种非放射性同位素原子的存在量足以将所述非放射性同位素原子的总量增加至高于在不添加所述非放射性同位素原子以增加所述总量的情况下在所述制造的组合物、材料或装置中发现的总量。所述制造的组合物、材料或装置中的所述至少两种非放射性同位素的比率与在不添加所述非放射性同位素原子以增加所述总量的情况下在所述制造的组合物、材料或装置中发现的比率可测量地不同。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.047 秒)
