用于TSV/MEMS/功率器件蚀刻的化学物质

发明公开

CN106663624A 用于TSV/MEMS/功率器件蚀刻的化学物质有权

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专利标题： 用于TSV/MEMS/功率器件蚀刻的化学物质
专利标题（英）： Chemistries for TSV/MEMS/power device etching
申请号： CN201580031726.4

申请日： 2015-06-17
公开(公告)号： CN106663624A

公开(公告)日： 2017-05-10
发明人: 沈鹏 , 克里斯汀·杜斯拉特 , 柯蒂斯·安德森 , 拉胡尔·古普塔 , 文森特·M·欧马杰 , 南森·斯塔福德
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请人地址： 法国巴黎
专利权人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
当前专利权人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
当前专利权人地址： 法国巴黎
代理机构： 北京市中咨律师事务所
代理商 李颖; 林柏楠
优先权： 62/013,959 20140618 US
国际申请： PCT/JP2015/003044 2015.06.17
国际公布： WO2015/194178 EN 2015.12.23
进入国家日期： 2016-12-13
主分类号： H01L21/3065
IPC分类号： H01L21/3065

摘要：

披露了波希蚀刻工艺中的cC4F8钝化气体的替代化学物质及使用这些化学物质的工艺。这些化学物质具有式CxHyFz，其中1≤x＜7，1≤y≤13，且1≤z≤13。这些替代化学物质可减少与深度硅孔蚀刻相关的RIE滞后。

摘要（英）：

Replacement chemistries for the cC4F8 passivation gas in the Bosch etch process and processes for using the same are disclosed. These chemistries have the formula CxHyFz, wherein x is greater than or equal to 1 and smaller than 7, y is greater than or equal to 1 and smaller than or equal to 13, and z is greater than or equal to 1 and smaller than or equal to 13. The replacement chemistries may reduce RIE lag associated with deep silicon aperture etching.

公开/授权文献

CN106663624B 用于TSV/MEMS/功率器件蚀刻的化学物质公开/授权日：2020-08-14

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065	.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀