用于蚀刻半导体结构的含碘化合物

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专利标题： 用于蚀刻半导体结构的含碘化合物
申请号： CN202311017020.5

申请日： 2017-12-29
公开(公告)号： CN116884838A

公开(公告)日： 2023-10-13
发明人: 维贾伊·苏尔拉 , 拉胡尔·古普塔 , 孙卉 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 , 南森·斯塔福德 , 法布里齐奥·马切吉亚尼 , 文森特·M·欧马杰 , 詹姆斯·罗耶
申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请人地址： 法国巴黎
专利权人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
当前专利权人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
当前专利权人地址： 法国巴黎
代理机构： 北京市中咨律师事务所
代理商 张蓉珺; 林柏楠
优先权： 15/396,220 20161230 US
主分类号： H01L21/311
IPC分类号： H01L21/311 ; H01L21/3065 ; H01L21/308 ; H10B41/20 ; H10B43/20 ; H10B12/00

摘要：

披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含碘蚀刻化合物具有式CaHxFyIz，其中a＝1‑3，x＝0‑6，y＝1‑7，z＝1‑2，当a＝1时x+y+z＝4，当a＝2时x+y+z＝4或6，并且当a＝3时x+y+z＝6或8；将惰性气体引入该反应腔室中；以及活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物。

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中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105	......后处理
H01L21/311	.......绝缘层的刻蚀