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公开(公告)号：CN102024747B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN200910195581.8
申请日：2009-09-11
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 成都成芯半导体制造有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提出一种功率器件的铝插塞制作方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积绝缘层；在所述绝缘层上沉积钝化层；分别对钝化层、绝缘层和半导体衬底进行蚀刻形成杯型接触孔；在所述杯型接触孔内及钝化层表面上沉积扩散阻挡层；在接触孔内填充金属铝以形成铝插塞，其中所述杯型接触孔的顶部宽度大于底部宽度。本发明提出的功率器件的铝插塞制作方法，其能够有效降低生产成本，并且具有良好的电阻特性。
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公开(公告)号：CN101958243B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910054927.2
申请日：2009-07-16
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 成都成芯半导体制造有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供晶背蚀刻方法及系统，以避免晶圆正面的变色现象，提高晶圆质量，该晶背对应的晶圆正面贴有防酸膜，该方法包括：在第一温度下，采用残酸清洗工艺清洗晶背；采用处于第二温度的氢氧化钾溶液蚀刻晶背，其中第一温度及第二温度的差值处于预定范围。
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公开(公告)号：CN102024747A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910195581.8
申请日：2009-09-11
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 成都成芯半导体制造有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提出一种功率器件的铝插塞制作方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积绝缘层；在所述绝缘层上沉积钝化层；分别对钝化层、绝缘层和半导体衬底进行蚀刻形成杯型接触孔；在所述杯型接触孔内及钝化层表面上沉积扩散阻挡层；在接触孔内填充金属铝以形成铝插塞，其中所述杯型接触孔的顶部宽度大于底部宽度。本发明提出的功率器件的铝插塞制作方法，其能够有效降低生产成本，并且具有良好的电阻特性。
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公开(公告)号：CN101958243A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910054927.2
申请日：2009-07-16
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 成都成芯半导体制造有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供晶背蚀刻方法及系统，以避免晶圆正面的变色现象，提高晶圆质量，该晶背对应的晶圆正面贴有防酸膜，该方法包括：在第一温度下，采用残酸清洗工艺清洗晶背；采用处于第二温度的氢氧化钾溶液蚀刻晶背，其中第一温度及第二温度的差值处于预定范围。
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公开(公告)号：CN101372745A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710045041.2
申请日：2007-08-20
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: C23F1/12 , H01L21/308 , H01L21/467
Abstract: 本发明提供一种调整蚀刻偏差的方法，其中，调整抗反射涂层蚀刻过程中充入蚀刻气体的含氧量来调整多晶硅蚀刻后形成图形尺寸的大小。降低抗反射涂层蚀刻过程中充入蚀刻气体的含氧量来增加多晶硅蚀刻后形成图形尺寸的大小，以减小蚀刻偏差。蚀刻偏差是光刻后图形尺寸的大小与蚀刻后图形尺寸的大小的差值。与现有技术相比，本发明通过改变蚀刻抗反射涂层中蚀刻气体的含氧量就可以控制蚀刻后图形的尺寸，从而达到有效控制蚀刻偏差的效果，而且，不会影响到多晶硅的塑型，所以采用该方法生产的稳定性很好。
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公开(公告)号：CN101192539B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610118815.5
申请日：2006-11-28
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/324 , H01L21/66
Abstract: 公开了一种器件的制作方法及器件电性能的调整方法，其中制作方法，包括步骤：提供衬底，且所述衬底上至少具有一个包含轻掺杂漏区和栅极的器件；由器件的电性能参数设计值确定氧气的加入量；按照所述加入量对所述衬底进行加入氧气的快速热退火处理。而调整方法包括步骤：先利用样片获得器件电性能参数的实际值；根据所述器件电性能参数设计值和实际值确定氧气的加入量；按照所述加入量对所述衬底进行加入氧气的快速热退火处理。本发明的制作方法和调整方法可以在不增加工艺步骤的情况下，制作出与设计值相符或相近的器件，且对生产周期和生产成本的影响不大。
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公开(公告)号：CN101231955A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710036860.0
申请日：2007-01-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/324 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种提高PMOS的崩溃电压的方法，在离子注入掺杂工艺中，离子注入后需进行快速热退火处理，在至少一次快速热退火过程中，通入氧气。本发明在快速热退火过程中，通入氧气，可有效提升PMOS的崩溃电压。
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公开(公告)号：CN101226880A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710036529.9
申请日：2007-01-17
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/322 , H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 一种消除多晶硅刻蚀过程中出现缝隙的方法，包括如下步骤：步骤1.对多晶硅进行快速高温热退火；步骤2.用等离子轰击为机理的机台对快速高温热退火后的多晶硅进行刻蚀。本发明能有效地解决多晶硅刻蚀后出现缝隙的问题，提高了产量。
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公开(公告)号：CN101355028B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200710044192.6
申请日：2007-07-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种对闸极氧化层进行修复的方法，在刻蚀生成MOS器件的闸极之后，通过快速热氧化反应对闸极氧化层进行修补，在快速热氧化反应制程中，向反应室只通入氮气。本发明的方法在使电子器件达到电性测试标准的同时，极大地降低了集成电路制造中的快速热氧化反应制程的复杂程度和成本。
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公开(公告)号：CN101882577A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910050695.3
申请日：2009-05-06
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/00 , H01L21/60
Abstract: 本发明提出一种晶圆背面粗糙处理的方法，其包括下列步骤：将上述晶圆正面贴膜并对上述晶圆背面进行研磨处理；对上述晶圆背面进行湿式化学蚀刻处理；将上述晶圆背面进行水洗烘干处理，其中上述湿式化学蚀刻处理步骤所使用的化学蚀刻剂包括H2SO4、KNO3以及NH4HF。本发明提出的晶圆背面粗糙处理的方法，其能够有效增加晶圆背面粗糙度，提供最佳化的背面金属黏着性，避免由于黏结力不够而造成背面金属剥离，并且有效降低了热阻。
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