公开(公告)号：CN102024747B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN200910195581.8

申请日：2009-09-11

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  成都成芯半导体制造有限公司

Inventor： 敖良科 ,  邢进 ,  刘晓丽 ,  陈泰江

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提出一种功率器件的铝插塞制作方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积绝缘层；在所述绝缘层上沉积钝化层；分别对钝化层、绝缘层和半导体衬底进行蚀刻形成杯型接触孔；在所述杯型接触孔内及钝化层表面上沉积扩散阻挡层；在接触孔内填充金属铝以形成铝插塞，其中所述杯型接触孔的顶部宽度大于底部宽度。本发明提出的功率器件的铝插塞制作方法，其能够有效降低生产成本，并且具有良好的电阻特性。

公开(公告)号：CN102024747A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910195581.8

申请日：2009-09-11

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  成都成芯半导体制造有限公司

Inventor： 敖良科 ,  邢进 ,  刘晓丽 ,  陈泰江

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提出一种功率器件的铝插塞制作方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积绝缘层；在所述绝缘层上沉积钝化层；分别对钝化层、绝缘层和半导体衬底进行蚀刻形成杯型接触孔；在所述杯型接触孔内及钝化层表面上沉积扩散阻挡层；在接触孔内填充金属铝以形成铝插塞，其中所述杯型接触孔的顶部宽度大于底部宽度。本发明提出的功率器件的铝插塞制作方法，其能够有效降低生产成本，并且具有良好的电阻特性。