高频感应加热制备PEEK涂层的方法

    公开(公告)号:CN115921241A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211591856.1

    申请日:2022-12-12

    Abstract: 本发明公开的高频感应加热制备PEEK涂层的方法,具体包括以下步骤:对金属基板进行预处理;制备PEEK粉末;对得到的PEEK粉末进行静电喷涂;对进行静电喷涂后的PEEK粉末进行电磁感应加热。本发明高频感应加热制备PEEK涂层的方法通过PEEK粉末静电喷涂使得涂层的厚度和均匀性可控,并利用电磁感应加热工艺快速的温度调节功能,精准控制PEEK粉末熔体自身粘度,以提高涂层的致密度和结合力,有效解决整体加热过程中的基体性能下降问题。高频感应加热和静电喷涂技术的结合很好的解决了涂层在涂覆过程中PEEK涂层结合力低、致密度较小、流挂、不均匀和涂层厚度不可控的技术问题。

    在铝合金表面制备环保型微弧氧化黑色陶瓷膜的方法

    公开(公告)号:CN102154673A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110089921.6

    申请日:2011-04-12

    Abstract: 本发明公开的在铝合金表面制备环保型微弧氧化黑色陶瓷膜的方法,首先取去离子水倒入氧化槽中,根据加入的去离子水的体积,按照如下的质量/体积浓度称取:1g/L-10g/L的六偏磷酸钠,1g/L-3g/L的硅酸钠,0.5g/L-2g/L的氢氧化钾,0.2g/L-2g/L的氟化钠及0.5g/L-20g/L的草酸高铁铵,将称取的六偏磷酸钠、硅酸钠、氢氧化钾及氟化钠搅拌混合均匀得到微弧氧化基础电解液;再向基础电解液中加入称取的草酸高铁铵,搅拌混合均匀,得到铝合金微弧氧化液;其次对铝合金依次进行表面除油清洗、水洗、铝合金微弧氧化、封闭处理和干燥后,在铝合金表面制备得到环保型微弧氧化黑色陶瓷膜。本发明制备方法,解决了现有铝合金陶瓷膜层,颜色比较单一,应用不广泛,同时采用钒酸盐电解液不环保的问题。

    一种非平衡磁控溅射稀土多元类石墨复合膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101613854B

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN200910304696.6

    申请日:2009-07-23

    Abstract: 本发明公开的一种非平衡磁控溅射稀土多元类石墨复合膜,由依次复合的等离子渗金属层、Cr/RE过渡层、C/Cr-RE梯度层及C/Cr-RE多元复合层组成,Cr/RE过渡层按照质量百分比其组成为:RE:0.1%~1%,余量为Cr;C/Cr-RE多元复合层按照质量百分比其组成为:Cr:3%~15%,RE:0.3%~10%,过渡簇金属元素:0.3%~10%,余量为C。制备非平衡磁控溅射稀土多元类石墨复合膜的方法,首先确定复合膜成分,计算高纯铬靶和高纯碳靶上安装的稀土镶块的数量及高纯碳靶上镶嵌的过渡簇金属镶块数量,制备相应的镶块并进行安装,磁控溅射得到复合膜。本发明解决了现有的非平衡磁控溅射固体润滑复合膜热稳定性和抗电化学腐蚀性差的问题。

    一种磁场作用下微弧氧化膜层的制备方法

    公开(公告)号:CN101845653A

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN201010146480.4

    申请日:2010-04-14

    Abstract: 本发明公开的一种磁场作用下微弧氧化膜层的制备方法,具体按照以下步骤实施:对工件表面进行去污除油;在磁场作用下对得到的去污除油后的工件进行微弧氧化处理,得到微弧氧化膜层。本发明磁场作用下微弧氧化膜层的制备方法,减小了氧化液溶差极化倾向,加速溶质传递过程,促进微弧氧化反应的进行,提高膜层生长速率,可以改善微弧氧化膜层的外观、提高膜层生长速率,进而提高膜层性能。

    LED封装用铝基板微弧氧化的方法

    公开(公告)号:CN114214696B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202111560204.7

    申请日:2021-12-17

    Abstract: 本发明公开了一种LED封装用铝基板微弧氧化的方法,包括清洗LED封装用铝基板,采用去离子水配置微弧氧化电解液,微弧氧化电解液中Na2SnO3·3H2O的浓度为5~10g/L,KCrO4的浓度为0.5g/L~3g/L,NaOH的浓度为0.6~4g/L,将清洗后的LED封装用铝基板连接电极,放入配置的微弧氧化电解液中,采用恒流微弧氧化电源对LED封装用铝基板进行微弧氧化处理20min‑80min,在LED封装用铝基板表面形成微弧氧化膜层;将处理后的LED封装用铝基板浸入蒸馏水中进行封闭处理,然后吹干。采用本发明方法在LED封装用铝基板表面制备的微弧氧化膜具有较高的导热系数和良好的绝缘性能。

    一种微弧氧化膜层的制备方法

    公开(公告)号:CN101845652B

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN201010125368.2

    申请日:2010-03-17

    Abstract: 本发明公开的一种微弧氧化膜层的制备方法,具体按照以下步骤实施:对工件表面进行去污除油;将工件置于装有氧化液的氧化槽中,工件接正极,氧化槽接负极,进行微弧氧化处理;微弧氧化处理后用去离子水清洗,烘干,预热,用激光进行扫描处理,得到本发明微弧氧化膜层。本发明微弧氧化膜层的制备方法,解决了现有的制备方法制备得到的微弧氧化膜层孔隙率大、耐磨性差的问题,使微弧氧化膜层中的亚稳定相转变为稳定相,大幅提高微弧氧化膜层的耐磨耐蚀性能,可以利用激光加工的灵活性,有选择性的对其进行局部处理。

    一种微弧氧化膜层的制备方法

    公开(公告)号:CN101845652A

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN201010125368.2

    申请日:2010-03-17

    Abstract: 本发明公开的一种微弧氧化膜层的制备方法,具体按照以下步骤实施:对工件表面进行去污除油;将工件置于装有氧化液的氧化槽中,工件接正极,氧化槽接负极,进行微弧氧化处理;微弧氧化处理后用去离子水清洗,烘干,预热,用激光进行扫描处理,得到本发明微弧氧化膜层。本发明微弧氧化膜层的制备方法,解决了现有的制备方法制备得到的微弧氧化膜层孔隙率大、耐磨性差的问题,使微弧氧化膜层中的亚稳定相转变为稳定相,大幅提高微弧氧化膜层的耐磨耐蚀性能,可以利用激光加工的灵活性,有选择性的对其进行局部处理。

    一种非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101818330A

    公开(公告)日:2010-09-01

    申请号:CN201010184354.8

    申请日:2010-05-27

    Abstract: 本发明公开的一种非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜,由在基体金属表面依次复合的过渡层、梯度层及C/Ta复合工作层组成,C/Ta复合工作层按照质量百分比其组成为,Ta:10~50%,C:50~90%,各组分的质量百分比之和为100%。本发明类石墨碳膜的制备方法,首先确定非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜的组成;其次对基体金属进行除锈、抛光,超声波除蜡,除油清洗,烘干,将清洗干净的基体金属固定在镀膜工装上;最后对以上清洗干净的基体金属进行溅射镀膜,得到非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜。本发明利用Ta对类石墨的良好改性作用,采用多靶技术将钽元素引入磁控溅射技术,制备了一种具有超润滑能力的C/Ta类石墨碳膜,是一种新型高性能固体润滑复合膜。

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