微弧氧化陶瓷膜的封闭处理方法

    公开(公告)号:CN102330139A

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:CN201110288402.2

    申请日:2011-10-27

    Abstract: 本发明公开的微弧氧化陶瓷膜的封闭处理方法,首先用丙酮对待封闭的铝合金微弧氧化试样表面去污除油,再采用50℃-60℃蒸馏水超声震动清洗;接着采用有机硅原液与质量浓度为95%以上的酒精真空浸渗;最后放入保温炉中保温,完成封闭处理。本发明微弧氧化陶瓷膜的封闭处理方法,能够大幅提高微弧氧化膜层的耐磨耐蚀性能,有效降低氧化膜层的沾染性,提高氧化膜层的电绝缘性能,提高膜层韧性。

    一种非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101818330A

    公开(公告)日:2010-09-01

    申请号:CN201010184354.8

    申请日:2010-05-27

    Abstract: 本发明公开的一种非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜,由在基体金属表面依次复合的过渡层、梯度层及C/Ta复合工作层组成,C/Ta复合工作层按照质量百分比其组成为,Ta:10~50%,C:50~90%,各组分的质量百分比之和为100%。本发明类石墨碳膜的制备方法,首先确定非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜的组成;其次对基体金属进行除锈、抛光,超声波除蜡,除油清洗,烘干,将清洗干净的基体金属固定在镀膜工装上;最后对以上清洗干净的基体金属进行溅射镀膜,得到非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜。本发明利用Ta对类石墨的良好改性作用,采用多靶技术将钽元素引入磁控溅射技术,制备了一种具有超润滑能力的C/Ta类石墨碳膜,是一种新型高性能固体润滑复合膜。

    一种非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101818330B

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN201010184354.8

    申请日:2010-05-27

    Abstract: 本发明公开的一种非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜,由在基体金属表面依次复合的过渡层、梯度层及C/Ta复合工作层组成,C/Ta复合工作层按照质量百分比其组成为,Ta:10~50%,C:50~90%,各组分的质量百分比之和为100%。本发明类石墨碳膜的制备方法,首先确定非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜的组成;其次对基体金属进行除锈、抛光,超声波除蜡,除油清洗,烘干,将清洗干净的基体金属固定在镀膜工装上;最后对以上清洗干净的基体金属进行溅射镀膜,得到非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜。本发明利用Ta对类石墨的良好改性作用,采用多靶技术将钽元素引入磁控溅射技术,制备了一种具有超润滑能力的C/Ta类石墨碳膜,是一种新型高性能固体润滑复合膜。

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