公开(公告)号：CN115832078A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211491362.6

申请日：2022-11-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张青竹 ,  韩燕楚 ,  刘阳 ,  曹磊 ,  姚佳欣 ,  张亚东 ,  桑冠荞 ,  张兆浩 ,  殷华湘

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/10 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请提供一种光电探测器及其制造方法，在目标衬底上形成有多层光电探测膜层，光电探测膜层包括依次层叠的第一类型掺杂的第一膜层、第二膜层和第二类型掺杂的第三膜层，第一类型掺杂和第二类型掺杂中的其中一个为P型掺杂，另一个为N型掺杂，也就是说，第一类型掺杂的第一膜层、第二膜层和第二类型掺杂的第三膜层构成了一个基于硅锗/硅异质结的光电探测膜层，即构成了一个光电探测单元，能够实现光电转化，多层光电探测膜层重复交叠，即多个光电探测单元的垂直串联，能够直接提高光电探测器的光电转化效率，并且不同数量的光电探测膜层也能对应不同的光生电动势，实现对于光电探测器光生电动势的调控需求。

公开(公告)号：CN116031301A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211490576.1

申请日：2022-11-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张青竹 ,  殷华湘 ,  李恋恋 ,  姚佳欣 ,  曹磊 ,  张亚东 ,  许高博 ,  张兆浩 ,  刘阳 ,  韩燕楚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括衬底，设置于衬底一侧的源极，漏极和沟道结构，沟道结构位于源极和漏极之间，沟道结构包括多个纳米片形成的叠层，栅极，栅极环绕纳米片，空腔，空腔至少位于沟道结构和衬底之间，空腔由沟道结构、源极、漏极和衬底围绕形成，也就是说，沟道结构、源极和漏极下方为空腔，没有接触的膜层，构成了全浮空结构，可以大幅改善半导体器件的栅控性能，减小半导体器件亚阈值摆幅、降低漏电流和寄生电容，增加驱动电流，提高半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN115995490A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211497854.6

申请日：2022-11-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张青竹 ,  殷华湘 ,  曹磊 ,  李恋恋 ,  刘阳 ,  姚佳欣 ,  张亚东 ,  许高博 ,  张兆浩 ,  韩燕楚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括衬底，设置于衬底一侧的源极，漏极和沟道结构，沟道结构位于源极和漏极之间，沟道结构包括多个纳米片形成的叠层，栅极，栅极环绕纳米片，空腔，空腔分别设置于栅极和源极或漏极之间，空腔由栅极、源极或漏极和纳米片围绕形成，也就是说，在栅极和源极或漏极之间形成空腔，即在栅极的侧壁形成空气内侧墙，避免在栅极的侧壁形成由其他材料构成的内侧墙的影响，能够避免由于内侧墙是其他材料导致的寄生电容增加的问题，大幅降低器件的寄生电容，提高半导体器件的工作速度。