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公开(公告)号：CN109037362A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810722133.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院上海高等研究院 , 晋能光伏技术有限责任公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/074
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/074
Abstract: 本发明提供一种用于异质结太阳电池的透明导电层及异质结太阳电池，所述透明导电层包括：导电聚合物层，所述导电聚合物层包括相对的第一表面及第二表面；一维导电材料，位于所述导电聚合物层相对两表面的至少一表面，或包覆于所述导电聚合物层内部。本发明减少甚至避免了稀有价高的铟元素的使用，可以显著降低生产成本；工艺简单，不需要价高的真空设备，无需高温过程，更适合于异质结电池；同时，本发明的透明导电层的光透过率与现有的氧化铟基薄膜相当，且具有较高的电导率，可以降低金属电极浆料的消耗；相较于现有的氧化铟基薄膜成本更加低廉，机械性能更好，可以广泛应用到柔性器件当中。
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公开(公告)号：CN115346887A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211025232.3
申请日：2022-08-25
Applicant: 晋能光伏技术有限责任公司 , 中国科学院上海高等研究院
Abstract: 本发明涉及一种TCO设备智能化调控异质结电池方阻和膜厚的方法，属于太阳能电池制造技术领域。包括：将待检测硅片放置于载板上并运送至检测平台；检测平台检测待检测硅片的方阻和透明导电薄膜的膜厚；控制端根据检测结果判断透明导电薄膜沉积设备当前制备的电池的方阻和/或透明导电薄膜的膜厚是否超过它们各自对应的质量过程控制范围；如果是，修正透明导电薄膜沉积设备的氧气流量和/或输出功率；根据修正后的氧气流量和/或输出功率沉积后续运输过来的硅片的透明导电薄膜。本发明提供了智能化调控异质结电池方阻和TCO膜厚的方法，通过该方法调控透明导电薄膜沉积设备的氧气流量和输出功率，节省人力、浆料和成本。
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公开(公告)号：CN112103366A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910470008.7
申请日：2019-05-31
Applicant: 中国科学院上海高等研究院 , 晋能清洁能源科技股份公司
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供一种硅基异质结太阳电池、光伏组件及其制备方法，通过在HJT太阳电池的TCO表面沉积功能薄膜，以对TCO表面的悬挂键进行钝化，提高TCO的迁移率和电导率，以提高TCO的横向电荷传输能力，为减薄TCO厚度和增大栅线电极间距提供空间，以减少TCO对光的吸收损耗及栅线电极对光的遮挡损耗，显著提高HJT太阳电池效率，且可减少TCO及栅线电极用量，以降低HJT太阳电池的生产成本，且可改善封装胶膜与HJT太阳电池之间的结合力，提升光伏组件可靠性。
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公开(公告)号：CN107359211B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201610300543.4
申请日：2016-05-09
Applicant: 中国科学院上海高等研究院 , 晋能清洁能源科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/075
Abstract: 本发明提出一种具有二维导电材料阵列嵌入式透明电极薄膜的晶硅异质结太阳电池。所述二维导电材料阵列嵌入式透明电极薄膜由置于p型及/或n型掺杂硅基薄膜上的第一层图案化二维导电材料阵列和覆盖于图案化二维导电材料阵列上的第二层透明的保护薄膜构成。该透明电极光透过率接近传统铟基氧化物透明导电薄膜，电阻率低于传统铟基氧化物透明导电薄膜。该透明电极薄膜可以与Smart Wire互连技术很好的匹配，减少贵金属Ag的用量，可以有效降低晶硅异质结太阳电池的成本。
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公开(公告)号：CN109594701A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811434352.2
申请日：2018-11-28
Applicant: 中国科学院上海高等研究院 , 晋能清洁能源科技股份公司
Abstract: 本发明提供一种背檩条结构及双面发电太阳电池装置，背檩条结构横截面的形状包括三角形、三角环形或倒V形。本发明的背檩条结构的横截面形状设置为三角形、三角环形或倒V形，在所述背檩条结构设置于双面发电太阳电池组件背面时，可以减小对双面发电太阳电池组件背面的遮挡，从而可以提高双面发电太阳电池组件背面入射光的利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106148910B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201510158283.7
申请日：2015-04-03
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明提供一种氮掺杂石墨烯薄膜的制备方法，所述方法包括步骤：首先提供一基底，将所述基底置于双温区系统，并在所述双温区系统中放置碳氮源，加热以在所述基底表面沉积形成氮掺杂石墨烯的前驱层；然后通入气体碳源，高温条件下碳沉积反应形成氮掺杂石墨烯薄膜。本发明在固液体碳氮源生长氮掺杂石墨烯方法的基础上引入小分子气体碳源来完善前驱层，使得现有方法中缺陷较多，电学性质较差，掺杂浓度不可控的氮掺杂石墨烯薄膜质量得到改善，从而获得电学性能优秀，缺陷较少的氮掺杂可控的N型石墨烯薄膜。
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公开(公告)号：CN106148910A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510158283.7
申请日：2015-04-03
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明提供一种氮掺杂石墨烯薄膜的制备方法，所述方法包括步骤：首先提供一基底，将所述基底置于双温区系统，并在所述双温区系统中放置碳氮源，加热以在所述基底表面沉积形成氮掺杂石墨烯的前驱层；然后通入气体碳源，高温条件下碳沉积反应形成氮掺杂石墨烯薄膜。本发明在固液体碳氮源生长氮掺杂石墨烯方法的基础上引入小分子气体碳源来完善前驱层，使得现有方法中缺陷较多，电学性质较差，掺杂浓度不可控的氮掺杂石墨烯薄膜质量得到改善，从而获得电学性能优秀，缺陷较少的氮掺杂可控的N型石墨烯薄膜。
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公开(公告)号：CN108654966B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810468728.5
申请日：2018-05-16
Applicant: 中国科学院上海高等研究院 , 晋能清洁能源科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种透明导电复合薄膜及其制备方法，制备的透明导电复合薄膜包含导电金属纳米线网格以及包裹于所述导电金属纳米线网格上的透明导电金属氧化物，所述透明导电金属氧化物表面具有微纳米尺寸有序结构。本发明的突出优点在于包裹于所述导电金属纳米线网格上的图案化的透明导电金属氧化物不仅可以有效提升导电金属纳米线的耐温性能，而且可以有效增强光透过率。此外，透明导电复合薄膜的制备方法简单可行，无需昂贵的设备。本发明可通过简单的方法提高透明导电薄膜的光电性能、机械性能和耐高温性能，而不影响原始导电薄膜本身的性能，使其更好地应用于显示屏、太阳能电池、发光器件及光电探测器等领域。
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公开(公告)号：CN104192833A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410410144.4
申请日：2014-08-20
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种石墨烯薄膜的转移方法，所述方法至少包括步骤：首先提供一金属基底，在所述金属基底表面依次形成有石墨烯薄膜、有机聚合物保护层和聚合物框架支撑层，所述有机聚合物保护层和聚合物框架支撑层均具有表面能或粘性；之后将所述石墨烯薄膜与金属基底剥离，然后将所述石墨烯薄膜与目标衬底贴合；最后依次剥离所述聚合物框架支撑层和有机聚合物保护层。本发明利用有机聚合物保护层和聚合物框架支撑层具有的合适表面能或本身粘性，两者可以直接贴合而不需要胶粘，并在转移后具有可无损剥离的特性同时满足简化、稳定工艺并保证石墨烯薄膜的完整转移以及金属基底的重复利用。
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公开(公告)号：CN113611640A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110593840.3
申请日：2021-05-28
Applicant: 晋能光伏技术有限责任公司 , 晋能清洁能源科技股份公司
IPC: H01L21/673 , H01L31/18 , H01L31/20 , C23C14/50 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开了一种镀膜载体，包括载体本体和盛放硅片的多个放置部，放置部沿载板本体纵向和横向均匀分布；放置部包括第一框体和第二框体，第一框体设于第二框体外侧；第二框体内侧壁上相对设置多个支撑点；并公开增大异质结太阳能电池TCO镀膜面积的方法：(1)将晶体硅片进行制绒、清洗；(2)在晶体硅片的正面制备双本征非晶硅层，然后制备双掺杂非晶硅层；(3)将制备后的双掺杂非晶硅层的硅片放置于镀膜载体的放置部上，然后分别在双掺杂非晶硅层上制备得到导电薄膜层和掩膜区域；(4)在导电薄膜层上通过丝网印刷的方式形成金属电极。采用本发明中的镀膜载体，应用到后续的镀膜方法中能够增大TCO镀膜面积。
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