-
公开(公告)号：CN109037362A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810722133.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院上海高等研究院 , 晋能光伏技术有限责任公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/074
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/074
Abstract: 本发明提供一种用于异质结太阳电池的透明导电层及异质结太阳电池，所述透明导电层包括：导电聚合物层，所述导电聚合物层包括相对的第一表面及第二表面；一维导电材料，位于所述导电聚合物层相对两表面的至少一表面，或包覆于所述导电聚合物层内部。本发明减少甚至避免了稀有价高的铟元素的使用，可以显著降低生产成本；工艺简单，不需要价高的真空设备，无需高温过程，更适合于异质结电池；同时，本发明的透明导电层的光透过率与现有的氧化铟基薄膜相当，且具有较高的电导率，可以降低金属电极浆料的消耗；相较于现有的氧化铟基薄膜成本更加低廉，机械性能更好，可以广泛应用到柔性器件当中。
-
公开(公告)号：CN115346887A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211025232.3
申请日：2022-08-25
Applicant: 晋能光伏技术有限责任公司 , 中国科学院上海高等研究院
Abstract: 本发明涉及一种TCO设备智能化调控异质结电池方阻和膜厚的方法，属于太阳能电池制造技术领域。包括：将待检测硅片放置于载板上并运送至检测平台；检测平台检测待检测硅片的方阻和透明导电薄膜的膜厚；控制端根据检测结果判断透明导电薄膜沉积设备当前制备的电池的方阻和/或透明导电薄膜的膜厚是否超过它们各自对应的质量过程控制范围；如果是，修正透明导电薄膜沉积设备的氧气流量和/或输出功率；根据修正后的氧气流量和/或输出功率沉积后续运输过来的硅片的透明导电薄膜。本发明提供了智能化调控异质结电池方阻和TCO膜厚的方法，通过该方法调控透明导电薄膜沉积设备的氧气流量和输出功率，节省人力、浆料和成本。
-
公开(公告)号：CN108654966B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810468728.5
申请日：2018-05-16
Applicant: 中国科学院上海高等研究院 , 晋能清洁能源科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种透明导电复合薄膜及其制备方法，制备的透明导电复合薄膜包含导电金属纳米线网格以及包裹于所述导电金属纳米线网格上的透明导电金属氧化物，所述透明导电金属氧化物表面具有微纳米尺寸有序结构。本发明的突出优点在于包裹于所述导电金属纳米线网格上的图案化的透明导电金属氧化物不仅可以有效提升导电金属纳米线的耐温性能，而且可以有效增强光透过率。此外，透明导电复合薄膜的制备方法简单可行，无需昂贵的设备。本发明可通过简单的方法提高透明导电薄膜的光电性能、机械性能和耐高温性能，而不影响原始导电薄膜本身的性能，使其更好地应用于显示屏、太阳能电池、发光器件及光电探测器等领域。
-
公开(公告)号：CN104143496B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310167373.3
申请日：2013-05-08
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02381 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/02658 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L31/1804 , H01L31/1892 , H01L31/1896 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种基于层转移的晶硅薄膜的制备方法，包括：1）于单晶硅衬底表面形成用于制作周期性棒阵列的掩膜，采用化学湿法刻蚀或干法刻蚀工艺于单晶硅衬底上形成周期性的硅棒阵列；2）于单晶硅衬底表面及硅棒阵列表面形成阻挡层；3）采用选择性刻蚀工艺暴露硅棒阵列顶部的硅，形成硅核阵列；4）以硅核阵列作为外延生长的籽晶或成核位置，采用化学气相沉积法于硅棒阵列顶部形成连续的硅膜；5）剥离硅膜，将其转移至一预设基底。本发明以单晶硅片为母衬底，所生长硅膜能够继承母衬底的晶体质量，藉此保证硅膜的高晶体质量；硅膜剥离后，衬底经过简单处理后可以重复使用，同时气相化学沉积硅膜生长工艺简单，从而可有效地降低硅膜生产成本。
-
公开(公告)号：CN105926014A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610293310.6
申请日：2016-05-05
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: C25D11/02
CPC classification number: C25D11/022
Abstract: 本发明提供一种基于纳米软压印的大面积高度有序多孔氧化膜的制备方法，所述制备方法至少包括：首先，将母模板的微纳米尺寸有序结构复制到硅胶软模板上，同时提供金属基底，并对所述金属基底进行预处理；然后在所述金属基底表面涂覆紫外固化胶，利用所述硅胶软模板对所述紫外固化胶进行纳米压印处理，脱除所述硅胶软模板后，所述紫外固化胶上形成有微纳米尺寸有序结构；接着以紫外固化胶为掩膜版，采用刻蚀工艺将所述微纳米尺寸有序结构转移至所述金属基底上，去除剩余的紫外固化胶；再采用阳极氧化法在所述金属基底表面制备形成多孔氧化膜。本发明的制备方法可制备大面积HOAAO、HOATO等氧化膜，该方法高效便捷、成本低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105514188A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510995619.5
申请日：2015-12-25
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y40/00
CPC classification number: B82Y40/00 , H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/18 , Y02E10/50 , H01L31/02327 , H01L31/02366 , H01L31/1876
Abstract: 本发明提供一种减反射自清洁薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：采用压印技术以及表面修饰技术于透明柔性薄膜上加工出具有微米尺寸的立体图形结构，使得所述透明柔性薄膜具有减反射自清洁的性能，将所述减反射自清洁薄膜与太阳能电池组件的窗口层集成，可以有效抑制窗口层表面反射，增加进入到电池吸收层的光子数，从而提高电池的光电转换效率，特别是在太阳光倾斜入射时对电池效率的提高更明显。本发明的减反射自清洁薄膜可选为超疏水膜或超亲水膜，超疏水膜具有较高的水接触角，在倾斜时水滴很容易滚落并带走表面污染物，从而实现自清洁的效果；超亲水膜结合光催化作用，可降解表面有机沾污，也可达到自清洁的效果。
-
公开(公告)号：CN109950134B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN201910208949.3
申请日：2019-03-19
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种具有氧化物薄膜的结构及其制备方法，包括如下步骤：制备氧化物薄膜，氧化物薄膜的至少一表面形成有氧原子扩散阻挡层。本发明通过在氧化物薄膜的至少一表面形成氧原子扩散阻挡层，可以避免氧化物薄膜与衬底或金属电极直接接触，保证氧化物薄膜中的氧原子不会被衬底或金属电极夺取，确保氧化物薄膜的导电率、功函数及折射率等性质不会发生变化，从而确保器件的功能，确保器件不会失效。
-
公开(公告)号：CN113299424A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110526811.5
申请日：2021-05-14
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
Abstract: 本发明提供一种新型的除尘去雾透明膜装置，包括透明基材、除尘电路、去雾电路、控制器及电源模块；除尘电路和去雾电路位于透明基材表面；除尘电路包括多个第一透明导电膜电极，去雾电路包括第二透明导电膜电极；控制器与电源模块、除尘电路及去雾电路均电连接，用于将电源模块提供的电源输送至去雾电路的第二透明导电膜电极，并将电源模块提供的电源转换为多路相位不同的电源后分别输送至除尘电路的多个第一透明导电膜电极。本发明在透明基材表面同时构筑由透明导电氧化物材料形成的除尘电路和去雾电路，可以同时去除位于玻璃表面的灰尘和水雾，具有反应速度快、功耗低、除尘效率高、易维护等优点。
-
公开(公告)号：CN109594701A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811434352.2
申请日：2018-11-28
Applicant: 中国科学院上海高等研究院 , 晋能清洁能源科技股份公司
Abstract: 本发明提供一种背檩条结构及双面发电太阳电池装置，背檩条结构横截面的形状包括三角形、三角环形或倒V形。本发明的背檩条结构的横截面形状设置为三角形、三角环形或倒V形，在所述背檩条结构设置于双面发电太阳电池组件背面时，可以减小对双面发电太阳电池组件背面的遮挡，从而可以提高双面发电太阳电池组件背面入射光的利用率。
-
公开(公告)号：CN105824190A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610369964.2
申请日：2016-05-30
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种纳米压印模板制备方法，所述方法包括以下步骤：提供具有微纳米尺寸的三维图形结构的原始模板；在基底上涂覆溶胶作为衬底；利用所述原始模板通过压印技术在所述衬底上压印出所述微纳米尺寸的三维图形结构的互补图形并固化；将得到的具有所述互补图形的所述衬底作为模板在后续的纳米压印工艺中使用。本发明的纳米压印模板制备方法可重复性高，可快速、大规模、低成本制备无机物模板且可用于紫外压印、热压印等过程，所制得的模板有较高的机械强度、重复利用性高、在后续压印过程中保形性好，将其作为掩膜版使用经过刻蚀后能得到更高纵深比的基底材料，能有效避免光刻胶作为掩膜版带来的刻蚀之后结构较浅的困境。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.073 seconds)
