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公开(公告)号：CN109037362A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810722133.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院上海高等研究院 , 晋能光伏技术有限责任公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/074
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/074
Abstract: 本发明提供一种用于异质结太阳电池的透明导电层及异质结太阳电池，所述透明导电层包括：导电聚合物层，所述导电聚合物层包括相对的第一表面及第二表面；一维导电材料，位于所述导电聚合物层相对两表面的至少一表面，或包覆于所述导电聚合物层内部。本发明减少甚至避免了稀有价高的铟元素的使用，可以显著降低生产成本；工艺简单，不需要价高的真空设备，无需高温过程，更适合于异质结电池；同时，本发明的透明导电层的光透过率与现有的氧化铟基薄膜相当，且具有较高的电导率，可以降低金属电极浆料的消耗；相较于现有的氧化铟基薄膜成本更加低廉，机械性能更好，可以广泛应用到柔性器件当中。
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公开(公告)号：CN109950134B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN201910208949.3
申请日：2019-03-19
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种具有氧化物薄膜的结构及其制备方法，包括如下步骤：制备氧化物薄膜，氧化物薄膜的至少一表面形成有氧原子扩散阻挡层。本发明通过在氧化物薄膜的至少一表面形成氧原子扩散阻挡层，可以避免氧化物薄膜与衬底或金属电极直接接触，保证氧化物薄膜中的氧原子不会被衬底或金属电极夺取，确保氧化物薄膜的导电率、功函数及折射率等性质不会发生变化，从而确保器件的功能，确保器件不会失效。
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公开(公告)号：CN109594701A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811434352.2
申请日：2018-11-28
Applicant: 中国科学院上海高等研究院 , 晋能清洁能源科技股份公司
Abstract: 本发明提供一种背檩条结构及双面发电太阳电池装置，背檩条结构横截面的形状包括三角形、三角环形或倒V形。本发明的背檩条结构的横截面形状设置为三角形、三角环形或倒V形，在所述背檩条结构设置于双面发电太阳电池组件背面时，可以减小对双面发电太阳电池组件背面的遮挡，从而可以提高双面发电太阳电池组件背面入射光的利用率。
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公开(公告)号：CN106148910B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201510158283.7
申请日：2015-04-03
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明提供一种氮掺杂石墨烯薄膜的制备方法，所述方法包括步骤：首先提供一基底，将所述基底置于双温区系统，并在所述双温区系统中放置碳氮源，加热以在所述基底表面沉积形成氮掺杂石墨烯的前驱层；然后通入气体碳源，高温条件下碳沉积反应形成氮掺杂石墨烯薄膜。本发明在固液体碳氮源生长氮掺杂石墨烯方法的基础上引入小分子气体碳源来完善前驱层，使得现有方法中缺陷较多，电学性质较差，掺杂浓度不可控的氮掺杂石墨烯薄膜质量得到改善，从而获得电学性能优秀，缺陷较少的氮掺杂可控的N型石墨烯薄膜。
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公开(公告)号：CN102709402B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210223961.X
申请日：2012-06-29
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/0392 , H01L31/0376
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种基于图形化金属衬底的薄膜太阳电池及其制作方法，采用可大面积、低成本生产的阳极氧化法或纳米压印法制作第一金属材料的图形化金属衬底，并且增加位于所述图形化金属衬底与光吸收层之间的第二金属材料的图形化金属薄膜。本发明利用图形化金属薄膜对光的散射、以及图形化金属薄膜的表面等离激元效应，增加入射光子在光吸收层内的光程并增强局部电磁场，使光在光吸收层中充分吸收，增强了光吸收效率，从而减小光吸收层的厚度，进而提高光生载流子收集效率和光电转换效率，同时，促进了成本的降低。本发明工艺简单，易实现大面积、低成本生产应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104843694A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510257911.7
申请日：2015-05-20
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种多层石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：在生长于金属层表面的石墨烯薄膜上形成聚合物支撑层；S2：溶解金属层，并对聚合物支撑层/石墨烯薄膜进行掺杂；S3：将聚合物支撑层/石墨烯薄膜覆盖到另一生长于金属层表面的石墨烯薄膜上；S4：再次溶解金属层并掺杂；S5：将聚合物支撑层/石墨烯薄膜覆盖到目标衬底上，去除聚合物支撑层。通过灵活控制重复步骤S3~S4的次数，可以得到位于目标衬底上所需层数的石墨烯薄膜。本发明通过在转移过程中将一次形成的聚合物支撑层反复利用，避免各层石墨烯之间的聚合物残余；同时在逐层转移过程中进行化学掺杂，使得掺杂离子处于各层石墨烯之间，不易从石墨烯薄膜上脱离，延长了掺杂的效果。
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公开(公告)号：CN104143496A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201310167373.3
申请日：2013-05-08
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02381 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/02658 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L31/1804 , H01L31/1892 , H01L31/1896 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L21/6835 , H01L2221/68318
Abstract: 本发明提供一种基于层转移的晶硅薄膜的制备方法，包括：1）于单晶硅衬底表面形成用于制作周期性棒阵列的掩膜，采用化学湿法刻蚀或干法刻蚀工艺于单晶硅衬底上形成周期性的硅棒阵列；2）于单晶硅衬底表面及硅棒阵列表面形成阻挡层；3）采用选择性刻蚀工艺暴露硅棒阵列顶部的硅，形成硅核阵列；4）以硅核阵列作为外延生长的籽晶或成核位置，采用化学气相沉积法于硅棒阵列顶部形成连续的硅膜；5）剥离硅膜，将其转移至一预设基底。本发明以单晶硅片为母衬底，所生长硅膜能够继承母衬底的晶体质量，藉此保证硅膜的高晶体质量；硅膜剥离后，衬底经过简单处理后可以重复使用，同时气相化学沉积硅膜生长工艺简单，从而可有效地降低硅膜生产成本。
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公开(公告)号：CN110371956B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201910745133.4
申请日：2019-08-13
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: C01B32/186 , C01B32/16 , C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜及其制备方法。所述制备方法包括步骤：1)提供基底，将基底置于气相沉积设备中；2)将六次甲基四胺固体置于气相沉积设备中，对六次甲基四胺固体进行加热分解，并在还原性气体氛围中采用低压化学气相沉积工艺于基底表面形成氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜。本发明以廉价的六次甲基四胺为唯一碳氮源，采用低压化学气相沉积一步法得到了氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜。该制备方法具有设备和工艺步骤简单、原材料廉价易得等优点。基于本发明的制备方法制备而成的碳纳米管/石墨烯复合薄膜中的碳纳米管具有高取向性，各个碳纳米管之间相互独立，分布均匀，薄膜性能显著提升。
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公开(公告)号：CN107610802B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201610542566.6
申请日：2016-07-11
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
Abstract: 本发明提供一种透明导电薄膜、光电器件及其制作方法，包括：目标结构；银纳米线薄膜层，位于目标结构表面；透明导电聚合物填充层，填充于银纳米线薄膜层内部的空隙，且覆盖银纳米线薄膜层。透明导电薄膜具有高导电性和高透过率的优点；通过对银纳米线薄膜层进行亲水处理使得透明导电聚合物填充层能够在其上均匀涂布；并且通过透明导电聚合物填充层与石墨烯薄膜的覆盖，在保证透明导电薄膜高透过率、高导电性的同时，有效地降低了其表面的粗糙度；同时所述透明导电薄膜还具备可弯曲特性，在柔性衬底上制备上述透明导电薄膜经过数次弯曲后，透过率与方块电阻均无明显变化，表现出替代ITO用于光电器件、尤其是应用于柔性光电器件的极大潜力。
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公开(公告)号：CN109950134A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910208949.3
申请日：2019-03-19
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种具有氧化物薄膜的结构及其制备方法，包括如下步骤：制备氧化物薄膜，氧化物薄膜的至少一表面形成有氧原子扩散阻挡层。本发明通过在氧化物薄膜的至少一表面形成氧原子扩散阻挡层，可以避免氧化物薄膜与衬底或金属电极直接接触，保证氧化物薄膜中的氧原子不会被衬底或金属电极夺取，确保氧化物薄膜的导电率、功函数及折射率等性质不会发生变化，从而确保器件的功能，确保器件不会失效。
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