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公开(公告)号：CN110635021B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910871389.X
申请日：2019-09-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器及其制备方法，飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器包括：二氧化硅衬底；光波导，位于二氧化硅衬底内，且光波导的一端面与二氧化硅衬底的一侧面相平齐，另一端面延伸至二氧化硅衬底的上表面；光波导基于飞秒激光直写工艺而形成；超导纳米线，位于二氧化硅衬底的上表面，且位于光波导延伸至二氧化硅衬底的上表面的端面上。本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器通过飞秒激光直写工艺形成于二氧化硅衬底内，制备工艺简单，器件集成度高；本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器中光波导的材料与光纤的材料相近，耦合效率较高。
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公开(公告)号：CN110635021A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910871389.X
申请日：2019-09-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器及其制备方法，飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器包括：二氧化硅衬底；光波导，位于二氧化硅衬底内，且光波导的一端面与二氧化硅衬底的一侧面相平齐，另一端面延伸至二氧化硅衬底的上表面；光波导基于飞秒激光直写工艺而形成；超导纳米线，位于二氧化硅衬底的上表面，且位于光波导延伸至二氧化硅衬底的上表面的端面上。本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器通过飞秒激光直写工艺形成于二氧化硅衬底内，制备工艺简单，器件集成度高；本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器中光波导的材料与光纤的材料相近，耦合效率较高。
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公开(公告)号：CN119935307A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510443660.5
申请日：2025-04-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导纳米线单光子探测器及探测装置，包括：蜿蜒绕设的多个依次级联的探测单元，各探测单元均包括至少2条并联的超导纳米线；其中，相邻拐角在超导纳米线的宽度方向上交错分布，且各拐角在超导纳米线的宽度方向上的尺寸大于探测单元中相邻超导纳米线之间的间距。本发明旨在缓解并联纳米线超导单光子探测器的电流拥挤效应，通过错位放置来扩展拐角设计空间，使探测单元内部拐角曲率半径与填充率解耦，达到缓解高填充率下电流拥挤效应、提高系统探测效率的目的。本发明的设计结构简单且优化效果显著；同时，不需要引入额外制备流程，对薄膜无损伤且工艺鲁棒性强；此外，占用片上面积小，利于集成化设计。
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公开(公告)号：CN119451552A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411542216.0
申请日：2024-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导微米线单光子探测器件及其制备方法，通过刻蚀超导微米线的直线部，形成具有一定宽度和深度的直凹槽区和过渡区，同时，控制直凹槽区的刻蚀深度，使得该区域的临界电流低于弯角区的临界值，有效缓解弯角区因高占空比造成的“电流拥挤效应”。本发明能够提升超导微米线的量子效率，且结构简单，实现工艺便捷，易于拓展成具有大光敏面积的探测器，在量子光学、激光测距、暗物质探测等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN114774874B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202210389533.8
申请日：2022-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C14/50 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种FC型接头光纤端面镀膜夹具、系统及使用方法。该FC型接头光纤端面镀膜夹具包括夹具底座和光纤夹具，夹具底座上设置有若干个定位槽，各定位槽为台阶状通孔，定位槽的前半部分设置有用于固定光纤夹具的第一螺纹，光纤夹具的前部设置有与定位槽的第一螺纹相匹配的第二螺纹，光纤夹具的后部设置有与FC光纤接头的螺纹相匹配的第三螺纹，用于固定FC接头光纤，且光纤夹具中间设置有与FC接头光纤陶瓷插芯相匹配的通孔。本发明可以控制光纤端面和监控片上表面完全处于同一水平面，有助于提高光纤端面镀膜的质量和效率；与常规光学镜片镀膜夹具具有良好的兼容性，且结构简单，
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117007195A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210457541.1
申请日：2022-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种降低超导单光子探测器暗计数的方法及超导单光子探测器装置，包括：1)根据需求采用模型计算并设计滤光片，加工形成所述滤光片；2)提供超导纳米线单光子探测器芯片，将所述滤光片固定在所述超导纳米线单光子探测器芯片的上表面；3)将所述滤光片、所述超导纳米线单光子探测器芯片与光纤封装在一起，所述光纤与所述滤光片相对设置，并调节所述光纤与所述滤光片之间的距离以实现聚焦，得到超导纳米线单光子探测器装置。本发明构建了一种紧凑、普适、便捷的低损耗、低温滤波方法；实现了对器件背景暗计数的强烈抑制效果，从而带来了器件同等噪声功率超过20倍的显著提升。
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公开(公告)号：CN116448257A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210010101.1
申请日：2022-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种单光子探测器、脉冲计数系统及方法，单光子探测器至少包括：不相交的第一超导纳米线及第二超导纳米线，探测外部光源并产生脉冲信号；其中，第一超导纳米线与第二超导纳米线的尺寸及电学性能参数相同。脉冲计数系统包括单光子探测器，还包括信号发生器、噪声抵消电路及计数器。本发明的脉冲计数系统及方法中，采用自差分降噪的方法为输出信号降噪，使得脉冲的信噪比得到了有效的提升，从而降低了系统复杂度，提升系统稳定性，使系统可以高速地工作。
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公开(公告)号：CN116192098A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310099430.2
申请日：2023-02-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多通道数控脉冲偏置源及超导测试系统，包括：数控模块、控制信号产生模块及N路输出模块；其中，N为大于1的自然数；所述数控模块用于提供N路模拟电压信号；所述控制信号产生模块接收偏置时钟信号，并基于所述偏置时钟信号产生控制信号；其中，所述偏置时钟信号与超导接口电路连接的超导电路的工作时钟同频；各路输出模块分别接收一路模拟电压信号，并基于所述控制信号导通或关断对应模拟电压信号的输出通路，进而得到N路交流脉冲偏置信号。本发明采用同步脉冲控制，可以保证系统时钟的同步；采用多通道输出，且可灵活扩展；设计灵活，精度高，占用空间小；采用浮地输出技术，噪声小，准确性高。
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公开(公告)号：CN115468663A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211280749.7
申请日：2022-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种超导条带光子探测器件、制备方法及光子探测系统，包括：超导纳米线及第一电阻，其中，所述第一电阻并联于所述超导纳米线的两端。本发明的超导条带光子探测器件在偏置电流下，由于并联电阻的分流，在接收光子或干扰后超导纳米线能够由电阻态迅速恢复超导态，不会由于电流过高而一直处于电阻态，导致器件锁死无法工作。且本发明的超导条带光子探测器件的制备方法操作简单，在制作并联电阻时，电子束刻蚀时在图形边缘由原子再沉积而成的侧墙天然成为了连接电阻和纳米线的垂直导线，从而不需要另外再生长连接导线；而纳米线并联电阻，形成恒压源偏置电路，自然达到光子探测无闩锁的目的，成本低，成品率高。
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公开(公告)号：CN112229510B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011101934.6
申请日：2020-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种单光子探测器及制备方法，包括：衬底及形成于所述衬底上的超导线，所述超导线包括多个直线部及连接直线部的拐角部；其中，所述超导线的拐角部的厚度大于直线部的厚度。本发明的单光子探测器及制备方法将超导线拐角部的厚度加厚(大于直线部厚度)，从而提升拐角区域的临界电流。尽管超导线拐角部仍然存在“电流拥挤效应”，但因为拐角区域整体的临界电流提升至高于直线部的临界电流水平，拐角区域不再是限制整体超导线临界电流的瓶颈，从而达到抑制拐角区域“电流拥挤效应”所带来的不良影响的目的。
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