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公开(公告)号:CN110635021A
公开(公告)日:2019-12-31
申请号:CN201910871389.X
申请日:2019-09-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器及其制备方法,飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器包括:二氧化硅衬底;光波导,位于二氧化硅衬底内,且光波导的一端面与二氧化硅衬底的一侧面相平齐,另一端面延伸至二氧化硅衬底的上表面;光波导基于飞秒激光直写工艺而形成;超导纳米线,位于二氧化硅衬底的上表面,且位于光波导延伸至二氧化硅衬底的上表面的端面上。本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器通过飞秒激光直写工艺形成于二氧化硅衬底内,制备工艺简单,器件集成度高;本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器中光波导的材料与光纤的材料相近,耦合效率较高。
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公开(公告)号:CN110635021B
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:CN201910871389.X
申请日:2019-09-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器及其制备方法,飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器包括:二氧化硅衬底;光波导,位于二氧化硅衬底内,且光波导的一端面与二氧化硅衬底的一侧面相平齐,另一端面延伸至二氧化硅衬底的上表面;光波导基于飞秒激光直写工艺而形成;超导纳米线,位于二氧化硅衬底的上表面,且位于光波导延伸至二氧化硅衬底的上表面的端面上。本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器通过飞秒激光直写工艺形成于二氧化硅衬底内,制备工艺简单,器件集成度高;本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器中光波导的材料与光纤的材料相近,耦合效率较高。
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