公开(公告)号：CN119182324A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411387350.8

申请日：2024-10-01

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 徐庆 ,  高明畅 ,  鲍君怡 ,  戴鹏 ,  杨城权 ,  王冠淇 ,  申震佳 ,  蔡婼冰 ,  于香梅

IPC: H02P21/00 ,  H02P21/13 ,  H02P21/24 ,  H02P21/22 ,  H02P25/022 ,  H02P21/18

Abstract: 本发明公开一种永磁同步电机中高速无位置传感器控制方法，涉及电机控制领域。所述方法包括：在速度外环设计中用非奇异终端滑膜控制器代替传统比例积分控制器，使用积分滑膜面，免去q轴给定电流的积分环节，同时采用Sigmoid函数代替符号函数提高系统动态性能和鲁棒性；在电流内环设计中为优化电流跟随能力，采用无差拍电流控制，将系统给定直接带入下一时间点的电流给定；搭载无位置传感器，利用超螺旋滑膜观测器减小传统滑膜观测器带来的系统抖震，针对低通滤波器带来的相位延迟，进行角度补偿，同时使用反正切计算角度时，估算转子所在象限进行角度修正；采用扩张观测器，观测外部突变负载，进行前馈补偿，抵抗外部干扰，提高系统鲁棒性；本发明将非奇异滑膜速度控制器、无差拍电流控制器和扰动观测器应用于基于超螺旋算法无位置传感器中，提高系统的动态性能。

公开(公告)号：CN118054677A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410085420.8

申请日：2024-01-22

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 方世琦 ,  刘恕宇 ,  高明畅 ,  鲍君仪 ,  戴鹏 ,  黄云辰 ,  杨梓薇 ,  王冠淇 ,  郭庆 ,  郭灿

IPC: H02M3/335 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明公开一种两电平的DAB电感电流应力调制方法及存储介质，涉及变换器优化控制技术领域。所述方法包括：对两电平DAB的电流运行模式进行划分，确定在所述运行模式下的电感电流和传输功率；所述电路包括八种模式；计算ZVS范围和所述各模式的电感电流的应力，即电感电流峰值，并在对应传输功率范围内和ZVS范围内对电流应力进行数值离散优化，得到离线最优控制表；利用所述优化控制表，对所述两电平DAB进行电感电流应力调制。本发明将脉宽调制策略与隔直电容相结合的调制方法运用于变换器，能够基于离线最优控制表对变换器进行控制，减小变换器的电流应力，提高整体运行效率。

公开(公告)号：CN118734693A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410812270.6

申请日：2024-06-21

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 鲍君仪 ,  王冠淇 ,  方世琦 ,  戴鹏 ,  臧立博 ,  饶彬 ,  蔡婼冰 ,  申震佳

IPC: G06F30/27 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/006 ,  G06N3/084 ,  G06F119/04 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET寿命预测方法、系统、设备及存储介质，涉及电力电子设备的可靠性预测技术领域。所述方法包括：通过传感器实时采集SiC MOSFET在运行过程中的关键参数，包括电压；对采集到的电压数据进行清洗、整合预处理，消除噪声、异常值，平滑数据；结合蜣螂优化算法(DBO)和反向传播(BP)神经网络的优势，通过DBO算法对BP神经网络的参数进行优化，构建DBO‑BP预测模型；通过训练和优化DBO‑BP模型，建立SiCMOSFET寿命与运行参数之间的映射关系，实现对SiC MOSFET剩余寿命的预测。本发明的SiC MOSFET寿命预测模型具有数据驱动、实时性强、预测精度高等优点，能够广泛应用于电力电子设备、新能源汽车、智能电网等领域，为设备的健康管理和维护提供有力支持。