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公开(公告)号：CN118054677A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410085420.8
申请日：2024-01-22
申请人： 中国矿业大学
摘要： 本发明公开一种两电平的DAB电感电流应力调制方法及存储介质，涉及变换器优化控制技术领域。所述方法包括：对两电平DAB的电流运行模式进行划分，确定在所述运行模式下的电感电流和传输功率；所述电路包括八种模式；计算ZVS范围和所述各模式的电感电流的应力，即电感电流峰值，并在对应传输功率范围内和ZVS范围内对电流应力进行数值离散优化，得到离线最优控制表；利用所述优化控制表，对所述两电平DAB进行电感电流应力调制。本发明将脉宽调制策略与隔直电容相结合的调制方法运用于变换器，能够基于离线最优控制表对变换器进行控制，减小变换器的电流应力，提高整体运行效率。
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公开(公告)号：CN118627383A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410761852.6
申请日：2024-06-13
申请人： 中国矿业大学
IPC分类号： G06F30/27 , G06N3/048 , G06N3/006 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06N3/08 , G06F119/04
摘要： 本发明公开了一种IGBT寿命预测方法、装置、设备和存储介质，涉及电力电子设备的可靠性预测技术领域。所述方法包括：通过传感器实时采集IGBT在运行过程中的预设参数，所述预设参数包括电压；对采集到的电压数据进行清洗整合预处理，消除噪声异常值和平滑数据；结合蜣螂优化算法(DBO)和径向基函数(RBF)神经网络的优势，通过DBO算法对RBF神经网络的参数进行优化，构建DBO‑RBF预测模型；通过训练和优化DBO‑RBF模型，建立IGBT寿命与预设参数之间的映射关系，实现对IGBT剩余寿命的预测。本发明的IGBT寿命预测模型具有数据驱动、实时性强、预测精度高等优点，能够广泛应用于电力电子设备、新能源汽车、智能电网等领域，为设备的健康管理和维护提供有力支持。
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公开(公告)号：CN118734693A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410812270.6
申请日：2024-06-21
申请人： 中国矿业大学
IPC分类号： G06F30/27 , G06N3/0499 , G06N3/006 , G06N3/084 , G06F119/04 , G06F119/02
摘要： 本发明公开了一种SiC MOSFET寿命预测方法、系统、设备及存储介质，涉及电力电子设备的可靠性预测技术领域。所述方法包括：通过传感器实时采集SiC MOSFET在运行过程中的关键参数，包括电压；对采集到的电压数据进行清洗、整合预处理，消除噪声、异常值，平滑数据；结合蜣螂优化算法(DBO)和反向传播(BP)神经网络的优势，通过DBO算法对BP神经网络的参数进行优化，构建DBO‑BP预测模型；通过训练和优化DBO‑BP模型，建立SiCMOSFET寿命与运行参数之间的映射关系，实现对SiC MOSFET剩余寿命的预测。本发明的SiC MOSFET寿命预测模型具有数据驱动、实时性强、预测精度高等优点，能够广泛应用于电力电子设备、新能源汽车、智能电网等领域，为设备的健康管理和维护提供有力支持。
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公开(公告)号：CN118100679A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410208832.6
申请日：2024-02-26
申请人： 中国矿业大学
IPC分类号： H02M7/797 , H02M7/5395 , H02M1/00 , H02M1/42
摘要： 本发明属于变换器移相调频控制技术领域，并公开了一种变换器的移相调频控制方法、系统、设备及介质，包括：获取DAB型双向AC‑DC变换器的等效电路模型；基于所述等效电路模型获取拓展移相调制外部工作模式下变换器的电感电流数据；基于所述电感电流数据获取变换器直流侧全桥的内移相角的取值范围表格和软开关条件表达式；基于所述软开关条件表达式和所述取值范围表格对电感电流最值进行寻优优化，得到优化后的电感电流最大值，基于所述电感电流最大值对变换器进行移相变频调制。本发明所述技术方案能够提高变换器能量双向传递的效率，降低能量流动过程中的损耗。
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