公开(公告)号：CN118734693A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410812270.6

申请日：2024-06-21

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 鲍君仪 ,  王冠淇 ,  方世琦 ,  戴鹏 ,  臧立博 ,  饶彬 ,  蔡婼冰 ,  申震佳

IPC: G06F30/27 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/006 ,  G06N3/084 ,  G06F119/04 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET寿命预测方法、系统、设备及存储介质，涉及电力电子设备的可靠性预测技术领域。所述方法包括：通过传感器实时采集SiC MOSFET在运行过程中的关键参数，包括电压；对采集到的电压数据进行清洗、整合预处理，消除噪声、异常值，平滑数据；结合蜣螂优化算法(DBO)和反向传播(BP)神经网络的优势，通过DBO算法对BP神经网络的参数进行优化，构建DBO‑BP预测模型；通过训练和优化DBO‑BP模型，建立SiCMOSFET寿命与运行参数之间的映射关系，实现对SiC MOSFET剩余寿命的预测。本发明的SiC MOSFET寿命预测模型具有数据驱动、实时性强、预测精度高等优点，能够广泛应用于电力电子设备、新能源汽车、智能电网等领域，为设备的健康管理和维护提供有力支持。