公开(公告)号：CN118054677A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410085420.8

申请日：2024-01-22

申请人： 中国矿业大学

发明人： 方世琦 ,  刘恕宇 ,  高明畅 ,  鲍君仪 ,  戴鹏 ,  黄云辰 ,  杨梓薇 ,  王冠淇 ,  郭庆 ,  郭灿

IPC分类号： H02M3/335 ,  H02M1/00

摘要： 本发明公开一种两电平的DAB电感电流应力调制方法及存储介质，涉及变换器优化控制技术领域。所述方法包括：对两电平DAB的电流运行模式进行划分，确定在所述运行模式下的电感电流和传输功率；所述电路包括八种模式；计算ZVS范围和所述各模式的电感电流的应力，即电感电流峰值，并在对应传输功率范围内和ZVS范围内对电流应力进行数值离散优化，得到离线最优控制表；利用所述优化控制表，对所述两电平DAB进行电感电流应力调制。本发明将脉宽调制策略与隔直电容相结合的调制方法运用于变换器，能够基于离线最优控制表对变换器进行控制，减小变换器的电流应力，提高整体运行效率。

公开(公告)号：CN118971708A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411377529.5

申请日：2024-09-30

申请人： 中国矿业大学

发明人： 黄云辰 ,  徐庆 ,  方世琦 ,  戴鹏

IPC分类号： H02P21/18 ,  H02P25/08 ,  H02P25/022 ,  H02P27/12

摘要： 本发明公开一种结合参数辨识的同步磁阻电机全速域无速度传感器控制方法，该方法针对同步磁阻电机运行时参数变化导致高速域模型法无速度传感器计算精度降低的问题，采用在线参数辨识方法实时更新电感参数，提高模型法无速度传感器的计算精度；结合低速域不依赖电机参数的无滤波高频方波注入法无速度传感器控制方案，并在过渡区融合两种控制方法，通过系统速度调整两种控制方法的权重实现平滑过渡，该方法可以实现同步磁阻电机全速域的转速估算。本发明中的在线参数辨识提高了高速域模型法无速度传感器的估算精度，结合无滤波高频方波注入法实现了同步磁阻电机的全速域无速度传感器控制，提升了同步磁阻电机无速度传感器控制的运行效率。

公开(公告)号：CN117134625A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311072521.3

申请日：2023-08-23

申请人： 中国矿业大学

发明人： 方世琦 ,  刘恕宇 ,  戴鹏 ,  黄云辰 ,  杨梓薇 ,  武涵 ,  尹志 ,  郭庆 ,  郭灿

IPC分类号： H02M3/335 ,  H02M7/483 ,  H02M7/5387 ,  H02M7/5395 ,  H02M7/219 ,  H02M1/00

摘要： 本发明公开一种混合三电平DAB的电流调制方法、设备及存储介质，涉及变换器控制技术领域。所述方法包括：对混合三电平DAB的电流模态进行划分，确定在所述电流模态下的电感电流和传输功率；电流模态包括全桥全桥模态和全桥半桥模态；计算各模态下电感电流的有效值，并在对应的传输功率范围内对有效值进行数值离散优化，得到两种模态的离线最优控制表；对比各所述离线最优控制表中的优化数据，确定模态切换边界；利用所述模态切换边界和所述优化控制表，对所述混合三电平DAB进行电流调制。本发明将非对称占空比调制方法运用于变换器，能够基于模态切换边界和离线最优控制表对变换器进行控制，增加变换器的控制自由度，提高整体运行效率。

公开(公告)号：CN118801655A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410775669.1

申请日：2024-06-17

申请人： 中国矿业大学

发明人： 武涵 ,  王威 ,  方世琦 ,  代金贵 ,  陈晨 ,  周浩文 ,  高晨潇 ,  叶宗彬

IPC分类号： H02M1/00 ,  H02M7/797

摘要： 本发明公开了一种低电流应力的DAB型双向AC‑DC变换器移相调频控制方法及装置，本发明通过在传统拓展移相控制中增加一个新变量‑交流侧全桥占空比D1，使变换器工作在两种不同的工作模式，通过建立交流侧占空比D1、直流侧占空比D2、开关频率f以及桥间移相角δ与电感最值电流的数学模型，本发明提出了一种新的基于电感电流最值优化的变频移相方法。本发明在保证全交流范围变换器电感电流复位和功率因数校正的同时，利用D1实现变换器全交流范围软开关。同时，利用D1和f在降低电感电流最值的同时降低开关管的开关频率，减小变换器的损耗，提高整体效率。

公开(公告)号：CN118734693A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410812270.6

申请日：2024-06-21

申请人： 中国矿业大学

发明人： 鲍君仪 ,  王冠淇 ,  方世琦 ,  戴鹏 ,  臧立博 ,  饶彬 ,  蔡婼冰 ,  申震佳

IPC分类号： G06F30/27 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/006 ,  G06N3/084 ,  G06F119/04 ,  G06F119/02

摘要： 本发明公开了一种SiC MOSFET寿命预测方法、系统、设备及存储介质，涉及电力电子设备的可靠性预测技术领域。所述方法包括：通过传感器实时采集SiC MOSFET在运行过程中的关键参数，包括电压；对采集到的电压数据进行清洗、整合预处理，消除噪声、异常值，平滑数据；结合蜣螂优化算法(DBO)和反向传播(BP)神经网络的优势，通过DBO算法对BP神经网络的参数进行优化，构建DBO‑BP预测模型；通过训练和优化DBO‑BP模型，建立SiCMOSFET寿命与运行参数之间的映射关系，实现对SiC MOSFET剩余寿命的预测。本发明的SiC MOSFET寿命预测模型具有数据驱动、实时性强、预测精度高等优点，能够广泛应用于电力电子设备、新能源汽车、智能电网等领域，为设备的健康管理和维护提供有力支持。

公开(公告)号：CN118100679A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410208832.6

申请日：2024-02-26

申请人： 中国矿业大学

发明人： 方世琦 ,  武涵 ,  鲍君仪 ,  高明畅 ,  黄云辰 ,  杨梓薇 ,  戴鹏

IPC分类号： H02M7/797 ,  H02M7/5395 ,  H02M1/00 ,  H02M1/42

摘要： 本发明属于变换器移相调频控制技术领域，并公开了一种变换器的移相调频控制方法、系统、设备及介质，包括：获取DAB型双向AC‑DC变换器的等效电路模型；基于所述等效电路模型获取拓展移相调制外部工作模式下变换器的电感电流数据；基于所述电感电流数据获取变换器直流侧全桥的内移相角的取值范围表格和软开关条件表达式；基于所述软开关条件表达式和所述取值范围表格对电感电流最值进行寻优优化，得到优化后的电感电流最大值，基于所述电感电流最大值对变换器进行移相变频调制。本发明所述技术方案能够提高变换器能量双向传递的效率，降低能量流动过程中的损耗。

公开(公告)号：CN117792109A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311849007.6

申请日：2023-12-29

申请人： 中国矿业大学

发明人： 方世琦 ,  杨梓薇 ,  黄云辰 ,  戴鹏 ,  武涵 ,  刘恕宇 ,  尹志

IPC分类号： H02M3/335

摘要： 本发明给出了一种三电平双有源半桥变换器回流功率优化控制算法。该策略通过改变原边副边端口电压占空比和桥间移相角来降低回流功率，降低开关损耗，提高变换器效率。变换器的运行分为十二种模式，算法以回流功率对变换器的效率进行优化，通过不同模式下电路状态获得各模式传输功率及电感电流。将各模式下的回流功率作为目标函数，以传输功率为限制条件，通过拉格朗日数乘法，并以优化结果进行最优化控制。本发明的有益之处是可以通过改变原副边端口电压占空比来提高控制的灵活性并获得更好的电压适应性，尤其在轻载运行时回流功率为0。该控制算法可以对回流功率进行优化，可以使同等电压变比和传输功率下回流功率更小，获得更好的稳态性能。