公开(公告)号：CN113506836A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202110835161.2

申请日：2021-07-23

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 张兴 ,  高传顺 ,  景媛媛 ,  黄建 ,  冉建 ,  黄烈云 ,  黄绍春 ,  向勇军

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L25/16 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于光电探测领域，具体涉及一种近红外响应增强型硅雪崩探测器模块及其制造方法，该模块包括硅雪崩探测器芯片和前置放大电路，硅雪崩探测器芯片与前置放大电路连接；所述硅雪崩探测器芯片自上向下依次包括正面钝化层、N电极、N+有源区、P‑雪崩区、P型衬底层、P+光敏区、背面钝化层、增透层以及P电极，在P+光敏区内设置有P+截止环和N+保护环；所述硅雪崩探测器芯片用于将脉冲光信号转换为脉冲电流信号，所述前置放大电路用于将脉冲电流信号进行放大输出；本发明创造性地提出了在探测器芯片背面集成微结构以提高近红外响应度，优化高能注入工艺以降低芯片的偏压温度系数，同时突破性地提出了双保护环结构以提高芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN110783431A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201911106459.9

申请日：2019-11-13

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 谷顺虎 ,  曾武贤 ,  景媛媛

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/68 ,  H01L25/04 ,  H01L31/0203

摘要： 本发明公开了一种APD阵列器件的制作方法，包括以下步骤：先将APD硅片分割成单个的APD芯片；然后根据雷达设备激光阵列器件中激光器之间的间距，计算出APD芯片之间的间距，从而确定每个APD芯片在管壳上的安装位置；在管壳上设置大焊盘、小焊盘及布线，将APD芯片粘接固定在大焊盘上；将APD芯片的正面焊点通过引线与管壳外部的引脚连接，形成APD阵列器件的输入和输出端；最后对APD阵列器件进行围坝灌封。本发明中，通过预先确定APD芯片的位置，使APD芯片的位置与激光器一一对应，在组装时进行一次雷达激光对位调试即可使所有APD芯片均精确对齐；激光对位调试快捷，制作成本低，实用性强。

公开(公告)号：CN110736938A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201911010053.0

申请日：2019-10-23

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 景媛媛 ,  黄芳 ,  赖升

IPC分类号： G01R31/52

摘要： 一种用于判断引线键合是否短路的检测结构与方法，包括：TO管帽、探测器、TO管座、TO管脚、印制电路板PCB，所述PCB为圆环形结构，其圆环平面设置有内部通孔；所述探测器下方设置圆形结构的TO管座，用于支撑探测器，且TO管座上均匀设置有圆形通孔；所述探测器外侧包裹有TO管帽，TO管帽下端直径大于探测器直径。本发明的一种用于判断引线键合是否短路的检测结构精确的考虑了键合引线和TO管帽结构的相互影响，提高了设计精度，可在探测器密封前完成短路项检测，如果检测到探测器出现了短路情况，可在密封工艺前进行返修，缩短操作时间、节约成本、提高生产效率。

公开(公告)号：CN109686780B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN201710980121.0

申请日：2017-10-19

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 王波 ,  景媛媛 ,  向勇军

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8222

摘要： 本发明公开了一种硅基高电流传输比双达林顿晶体管及其制作方法，本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管包括衬底层、N型硅外延层、二氧化硅钝化层、第一极基区、电极、第一级发射区、第二级基区、第二级发射区、集电区、氮化硅层和底层电极。本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管的电流传输比相对于普通晶体管高出数倍，降低了后续电路的放大成本，为整机节约了体积。本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管的制作方法，采用新结构及工艺制作出了硅基高电流传输比双达林顿晶体管，其电流传输比达到2000以上，解决了现有光电三极管对氦氖激光器作光源的光电响应较低，电流传输比低的技术问题。

公开(公告)号：CN105513975A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610062067.7

申请日：2016-01-29

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 黄绍春 ,  叶嗣荣 ,  郭林红 ,  景媛媛 ,  但伟

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00014 ,  H01L25/167 ,  H01L21/50

摘要： 本发明公开了一种易扩展的集成式光电耦合器，所述集成式光电耦合器由LED发光器件和硅基光敏二极管组成；所述硅基光敏二极管的光敏区表面设置有光耦合介质层，光敏区边沿的光耦合介质层表面设置有金属布线层，光敏区中部的光耦合介质层表面设置有金属焊盘，金属焊盘和金属布线层之间通过一窄条形的连接金属层连接，连接金属层设置于光耦合介质层表面；所述金属焊盘与位于LED发光器件上发光区中部的LED阳极焊接固定。本发明的有益技术效果是：提出了一种新结构的光电耦合器，该光电耦合器的光传输结构的尺寸十分小，器件在相应方向上的物理尺寸也大幅缩减。

公开(公告)号：CN215299266U

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202121684840.6

申请日：2021-07-23

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 张兴 ,  高传顺 ,  景媛媛 ,  黄建 ,  冉建 ,  黄烈云 ,  黄绍春 ,  向勇军

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L25/16 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于光电探测领域，具体涉及一种近红外响应增强型硅雪崩探测器模块，该模块包括硅雪崩探测器芯片和前置放大电路，硅雪崩探测器芯片与前置放大电路连接；所述硅雪崩探测器芯片自上向下依次包括正面钝化层、N电极、N+有源区、P‑雪崩区、P型衬底层、P+光敏区、背面钝化层、增透层以及P电极，在P+光敏区内设置有P+截止环和N+保护环；所述硅雪崩探测器芯片用于将脉冲光信号转换为脉冲电流信号，所述前置放大电路用于将脉冲电流信号进行放大输出；本发明创造性地提出了在探测器芯片背面集成微结构以提高近红外响应度，优化高能注入工艺以降低芯片的偏压温度系数，同时突破性地提出了双保护环结构以提高芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN204035941U

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201420510484.X

申请日：2014-09-05

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 谭千里 ,  周红 ,  郭林红 ,  景媛媛 ,  唐伟 ,  吕实 ,  夏阳

IPC分类号： B23P19/00

摘要： 本实用新型公开了一种用于四象限激光探测器装配的装配装置，其结构为：所述装配装置由支架、光学投影仪、夹具和底座组成；所述支架下端与底座连接，支架上端与光学投影仪连接；所述夹具设置于底座上端面上；夹具上端面上设置有中心定位柱和十字定位柱；所述光学投影仪能在夹具上端面上投射出十字形光斑，十字形光斑的位置与十字定位柱重合。本实用新型的有益技术效果是：简化了装配过程中的定位操作，提高了装配效率。