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公开(公告)号：CN103014649A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210561397.2
申请日：2012-12-21
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： C23C14/50 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种光纤镀膜工艺，该工艺通过采用成本低廉的硅材质固定板实现对光纤的夹持，以及用锡箔或铝箔对光纤上不需要镀膜的区域进行保护，最终使得原来非光纤镀膜用的普通光学镀膜机可以用作为光纤镀膜；本发明的有益技术效果是：使普通光学镀膜机即可完成对光纤的部分镀膜处理，无需购置高成本的特殊夹具和专用精密光纤镀膜设备，降低了生产成本，固定板采用硅材料制作，价格低廉可重复使用，操作简便、易行。
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公开(公告)号：CN113451436B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110696324.3
申请日：2021-06-23
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/0224
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种氮化物紫外雪崩光电探测器及其制作方法；所述氮化物紫外雪崩光电探测器的芯片结构包括：P型层、N型层、上电极和下电极，其中所述P型层设置于N型层上方，经刻蚀和光刻工艺露出部分N型层，所述上电极置于P型层上方，所述下电极置于N型层露出部分上方，所述上电极与下电极位于芯片同面，芯片表面除电极区域外均覆盖介质膜，所述介质膜为双层复合膜，由内至外分别为SiNX介质膜和BCB介质膜；本发明利用SiNX介质膜的致密性特点和BCB材料介电常数低的特点，完成对台阶侧壁和底部全覆盖，减少产生气泡和空洞等工艺问题；提高紫外探测器的可靠性。
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公开(公告)号：CN113451436A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110696324.3
申请日：2021-06-23
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/0224
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种氮化物紫外雪崩光电探测器及其制作方法；所述氮化物紫外雪崩光电探测器的芯片结构包括：P型层、N型层、上电极和下电极，其中所述P型层设置于N型层上方，经刻蚀和光刻工艺露出部分N型层，所述上电极置于P型层上方，所述下电极置于N型层露出部分上方，所述上电极与下电极位于芯片同面，芯片表面除电极区域外均覆盖介质膜，所述介质膜为双层复合膜，由内至外分别为SiNX介质膜和BCB介质膜；本发明利用SiNX介质膜的致密性特点和BCB材料介电常数低的特点，完成对台阶侧壁和底部全覆盖，减少产生气泡和空洞等工艺问题；提高紫外探测器的可靠性。
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公开(公告)号：CN108257986A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810049645.2
申请日：2018-01-18
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/76
摘要： 本发明提供一种平面型AlGaN紫外探测器阵列结构及其制作方法，该结构包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下接触层、吸收层、阻挡层和上接触层，在上接触层上设置有延伸至下接触层的离子注入区，在离子注入区内注入He或B离子后形成电阻隔离区，电阻隔离区分隔形成的紫外线探测器像元阵列与电阻隔离区位于同一平面上；紫外探测器像元阵列的上表面设置有上电极，在上接触层上还设置有延伸至下接触层的沟槽，沟槽内形成有延伸至上接触层表面的下电极。本发明可以省略台面型AlGaN紫外探测器阵列制作中工艺要求较高的钝化步骤，从而可以降低工艺要求，提高互连集成的成品率。
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公开(公告)号：CN113594024A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110868316.2
申请日：2021-07-30
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/28
摘要： 本发明涉及一种金属电极剥离胶膜的制作方法及金属剥离电极的制作方法，金属电极剥离胶膜的制作方法包括采用碱性溶液浸泡清洗半成品芯片；依次采用丙酮、乙醇和去离子水清洗半成品芯片表面；将半成品芯片烘干；在半成品芯片上涂反转胶并进行前烘；对反转胶进行曝光、反转烘烤和泛曝光；对反转胶进行显影，形成电极剥离胶膜。本发明中，利用碱性溶液处理钝化层表面，能够使钝化层表面自由能降低，从而使钝化层表面呈现一定的亲水性，便于制作出胶膜倒台倾角和扩大倒台底部展宽，能够有效解决制作电极胶膜时倒台倾斜角不稳定和胶膜厚度变薄的问题，使剥离电极尺寸稳定可控，电极边沿无金属丝粘连，可广泛应用于半导体芯片的研制和批生产工艺中。
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公开(公告)号：CN108152875A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711465759.7
申请日：2017-12-28
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明提供一种InP基纳米光栅及其制作方法，包括：在InP基晶圆上生长SiNx膜；依次旋转涂覆抗反射涂层、光刻胶层，并通过位相掩膜曝光和显影方法在光刻胶层上形成光栅图形；采用二次曝光和显影方法，去除InP基晶圆边缘的光刻胶并擦拭掉InP基晶圆边缘的抗反射涂层；刻蚀抗反射涂层，以将光刻胶层上的光栅图形转移到抗反射涂层上；刻蚀SiNx膜，以将抗反射涂层上的光栅图形转移到SiNx膜上；去除光刻胶层和抗反射涂层；刻蚀InP基晶圆，以将SiNx膜上的光栅图形转移到InP基晶圆上；去除SiNx膜和SiNx膜上残留的抗反射涂层，从而获得InP基纳米光栅。本发明制成的InP基纳米光栅洁净度且深宽比可满足设计要求。
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公开(公告)号：CN106684204A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610960323.4
申请日：2016-11-04
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1075 , H01L31/1804
摘要： 本发明公开了一种背照式紫外雪崩探测器，所述背照式紫外雪崩探测器由蓝宝石衬底、低温AlN核化层、高温AlN模板、AlN/AlGaN超晶格层、P+‑GaN接触层、P‑‑AlGaN吸收层、P‑Si电荷层、n‑‑Si倍增层、n+‑Si接触层、n型电极层和P型电极组成；另外，本发明还公开了一种背照式紫外雪崩探测器的制作方法；本发明的有益技术效果是：提供了一种背照式紫外雪崩探测器，其性能较好。
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公开(公告)号：CN105513975A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610062067.7
申请日：2016-01-29
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
CPC分类号： H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014 , H01L25/167 , H01L21/50
摘要： 本发明公开了一种易扩展的集成式光电耦合器，所述集成式光电耦合器由LED发光器件和硅基光敏二极管组成；所述硅基光敏二极管的光敏区表面设置有光耦合介质层，光敏区边沿的光耦合介质层表面设置有金属布线层，光敏区中部的光耦合介质层表面设置有金属焊盘，金属焊盘和金属布线层之间通过一窄条形的连接金属层连接，连接金属层设置于光耦合介质层表面；所述金属焊盘与位于LED发光器件上发光区中部的LED阳极焊接固定。本发明的有益技术效果是：提出了一种新结构的光电耦合器，该光电耦合器的光传输结构的尺寸十分小，器件在相应方向上的物理尺寸也大幅缩减。
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公开(公告)号：CN113594024B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202110868316.2
申请日：2021-07-30
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/28
摘要： 本发明涉及一种金属电极剥离胶膜的制作方法及金属剥离电极的制作方法，金属电极剥离胶膜的制作方法包括采用碱性溶液浸泡清洗半成品芯片；依次采用丙酮、乙醇和去离子水清洗半成品芯片表面；将半成品芯片烘干；在半成品芯片上涂反转胶并进行前烘；对反转胶进行曝光、反转烘烤和泛曝光；对反转胶进行显影，形成电极剥离胶膜。本发明中，利用碱性溶液处理钝化层表面，能够使钝化层表面自由能降低，从而使钝化层表面呈现一定的亲水性，便于制作出胶膜倒台倾角和扩大倒台底部展宽，能够有效解决制作电极胶膜时倒台倾斜角不稳定和胶膜厚度变薄的问题，使剥离电极尺寸稳定可控，电极边沿无金属丝粘连，可广泛应用于半导体芯片的研制和批生产工艺中。
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公开(公告)号：CN112285816A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011161096.1
申请日：2020-10-27
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明涉及一种DFB光栅的制作方法，尤其涉及一种分布反馈半导体激光器光栅及芯片的制备方法；光栅的制备方法包括生长出具有三层光栅材料的外延片结构，用腐蚀液沿V沟方向腐蚀该外延片结构，并通过扫描电镜测试底部至顶部的高度；根据光栅的占空比，利用相似梯形原理，在外延结构厚度不变的条件下，调整三层材料的厚度，从而达到控制光栅占空比的目的，最后通过二次外延得到所需要占空比的光栅。本发明公开的这种控制光栅占空比的方法能够较为精准控制光栅的占空比，工艺可重复性好，能够适应规模化生产。
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