本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种氮化物紫外雪崩光电探测器及其制作方法；所述氮化物紫外雪崩光电探测器的芯片结构包括：P型层、N型层、上电极和下电极，其中所述P型层设置于N型层上方，经刻蚀和光刻工艺露出部分N型层，所述上电极置于P型层上方，所述下电极置于N型层露出部分上方，所述上电极与下电极位于芯片同面，芯片表面除电极区域外均覆盖介质膜，所述介质膜为双层复合膜，由内至外分别为SiNX介质膜和BCB介质膜；本发明利用SiNX介质膜的致密性特点和BCB材料介电常数低的特点，完成对台阶侧壁和底部全覆盖，减少产生气泡和空洞等工艺问题；提高紫外探测器的可靠性。