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公开(公告)号：CN103604950A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310582955.8
申请日：2013-11-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/09
Abstract: 本发明提供了一种压电式微加速度传感器。所述的传感器包括敏感芯片和上、下玻璃板；其中，敏感芯片采用结构对称的环状结构，共包含八个上电极、八个下电极、八个压电层、支撑膜、质量块。所述的八个下电极置于支撑膜之上，八个压电层置于下电极之上，八个上电极置于压电层之上。质量块悬置于下电极之下并与支撑膜固定连接，质量块悬置于支撑膜之下，构成敏感芯片的可动部分。电极、压电层分别构成的圆环均与质量块同圆心。所述的敏感芯片与上、下玻璃板分别通过键合连接。本发明的压电式微加速度传感器的固有频率为14.8KHz以上，灵敏度为0.62pC/g。
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公开(公告)号：CN104198762A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410447900.0
申请日：2014-09-04
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供了一种八梁对称硅微加速度计。所述电容式微加速度计从上到下包括上硅电极板、敏感芯片和下硅电极板三部分。敏感芯片为“质量块—悬臂梁”微结构。悬臂梁总共八根，对称分部在质量块四周，质量块处于中间水平位置。质量块厚度和所采用硅片一致，形状为多边形以效地利用空间，使得质量得到了很大提高，可以获得较小的器件噪声和更大的灵敏度。微加速度计采用全硅工艺，硅电极板和敏感芯片通过硅-硅熔融键合，可以减少热膨胀系数不匹配等问题。通过双层SiO2工艺,在硅片表面形成质量块和梁的图形,避免了深槽光刻。 本发明的八梁对称硅微加速度计具有较高稳定性，器件噪声小，提高了加速度测量精度。
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公开(公告)号：CN104020313B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410263417.7
申请日：2014-06-16
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供了一种全金属电容极板微加速度传感器。所述的传感器为三层全金属结构，包括动极板和上、下固定极板；其中，动极板包含锚点、质量块、悬臂梁、框架。其连接关系是，所述的锚点与悬臂梁固定连接；悬臂梁和质量块固定连接，构成敏感芯片的可动部分；锚点和框架固定连接；质量块与上、下固定极板之间存在间隙，间隙上、下表面均为全金属结构；所述的上固定极板与动极板锚点上表面通过键合连接；所述的下固定极板与锚点下表面通过键合连接。本发明的键合采用热压键合完成，质量块与上、下极板间的空隙可以灵活精确控制。
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公开(公告)号：CN103604949A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310582637.1
申请日：2013-11-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/09
Abstract: 本发明提供了一种环状压电式微加速度传感器。所述的传感器包括敏感芯片和上、下玻璃板；其中，敏感芯片包含两个上电极、两个下电极、两个压电层、支撑膜、外框、质量块。所述的两个下电极置于支撑膜之上，两个压电层置于下电极之上，两个上电极置于压电层之上。质量块悬置于下电极之下并与支撑膜固定连接，构成敏感芯片的可动部分。电极、压电层分别构成的圆环均与质量块同圆心。所述的敏感芯片与上、下玻璃板分别通过键合连接。本发明的环状压电式微加速度传感器的固有频率为14.2KHz以上，灵敏度为0.23pC/g。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104966670A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510353482.3
申请日：2015-06-25
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L21/306 , C23F1/24
CPC classification number: H01L21/30604
Abstract: 本发明提供了一种单晶硅刻蚀方法及刻蚀液。所述的刻蚀方法首先在单晶硅片表面通过热氧化方法生长一层氧化硅，再通过光刻方法在单晶硅片表面形成待刻蚀图形，随后将单晶硅片上待刻蚀图形表面的氧化硅腐蚀干净，之后将单晶硅片浸入加热后的单晶硅刻蚀液中完成刻蚀。所述的刻蚀液为组合物，包括四甲基氢氧化铵、曲拉通、异丙醇和水。所述的刻蚀对象为单晶硅（100）。通过本发明的单晶硅刻蚀液及刻蚀方法获得的凸角侧蚀与刻蚀深度比可达0.39，刻蚀表面粗糙度为1.27nm。通过调节本发明的刻蚀液的各组分含量能有效控制刻蚀形貌，实现高精度微结构加工。本发明的单晶硅刻蚀液具有与CMOS兼容、可精确控制刻蚀深度、低毒性、低污染的优点。
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公开(公告)号：CN104020313A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410263417.7
申请日：2014-06-16
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供了一种全金属电容极板微加速度传感器。所述的传感器为三层全金属结构，包括动极板和上、下固定极板；其中，动极板包含锚点、质量块、悬臂梁、框架。其连接关系是，所述的锚点与悬臂梁固定连接；悬臂梁和质量块固定连接，构成敏感芯片的可动部分；锚点和框架固定连接；质量块与上、下固定极板之间存在间隙，间隙上、下表面均为全金属结构；所述的上固定极板与动极板锚点上表面通过键合连接；所述的下固定极板与锚点下表面通过键合连接。本发明的键合采用热压键合完成，质量块与上、下极板间的空隙可以灵活精确控制。
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公开(公告)号：CN203561646U
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201320733460.6
申请日：2013-11-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/09
Abstract: 本实用新型提供了一种环状压电式微加速度传感器。所述的传感器包括敏感芯片和上、下玻璃板；其中，敏感芯片包含两个上电极、两个下电极、两个压电层、支撑膜、外框、质量块。所述的两个下电极置于支撑膜之上，两个压电层置于下电极之上，两个上电极置于压电层之上。质量块悬置于下电极之下并与支撑膜固定连接，构成敏感芯片的可动部分。电极、压电层分别构成的圆环均与质量块同圆心。所述的敏感芯片与上、下玻璃板分别通过键合连接。本实用新型的环状压电式微加速度传感器的固有频率为14.2KHz以上，灵敏度为0.23pC/g。
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公开(公告)号：CN203941192U
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201320733480.3
申请日：2013-11-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/09
Abstract: 本实用新型提供了一种压电式微加速度传感器。所述的传感器包括敏感芯片和上、下玻璃板；其中，敏感芯片采用结构对称的环状结构，共包含八个上电极、八个下电极、八个压电层、支撑膜、质量块。所述的八个下电极置于支撑膜之上，八个压电层置于下电极之上，八个上电极置于压电层之上。质量块悬置于下电极之下并与支撑膜固定连接，质量块悬置于支撑膜之下，构成敏感芯片的可动部分。电极、压电层分别构成的圆环均与质量块同圆心。所述的敏感芯片与上、下玻璃板分别通过键合连接。本实用新型的压电式微加速度传感器的固有频率为14.8KHz以上，灵敏度为0.62pC/g。
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公开(公告)号：CN203909067U
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201420315796.5
申请日：2014-06-16
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本实用新型提供了一种全金属电容极板微加速度传感器。所述的传感器为三层全金属结构，包括动极板和上、下固定极板；其中，动极板包含锚点、质量块、悬臂梁、框架。其连接关系是，所述的锚点与悬臂梁固定连接；悬臂梁和质量块固定连接，构成敏感芯片的可动部分；锚点和框架固定连接；质量块与上、下固定极板之间存在间隙，间隙上、下表面均为全金属结构；所述的上固定极板与动极板锚点上表面通过键合连接；所述的下固定极板与锚点下表面通过键合连接。本实用新型的键合采用热压键合完成，质量块与上、下极板间的空隙可以灵活精确控制。
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