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公开(公告)号：CN109833982B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201910276811.7
申请日：2019-04-08
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种土工鼓式离心机装置，包括外轴、内轴；外轴为空心轴，外轴用于驱动模型槽转动；内轴安装在外轴内部，内轴由内轴电机驱动，内轴用于驱动作动器平台转动；外轴与内轴不接触，外轴与内轴同轴心设置；外轴电机为直驱电机，外轴穿过外轴电机并由外轴电机驱动；外轴和内轴通过交叉耦合控制方法实现其同步或异步运动。本发明采用直驱电机直接驱动外轴，具有启动迅速，转速控制精度高，运行平稳等特点；本申请外轴和内轴通过交叉耦合控制方法实现其同步或异步运动，可避免由机械连接(离合器)实现同步带来的振动影响。
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公开(公告)号：CN109827705B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201910276753.8
申请日：2019-04-08
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于弯矩传感器性能检测的标定装置，弯矩传感器竖直安装，标定装置包括竖直设置的标定杆、用于在标定过程中，测量弯矩传感器在不同弯矩载荷下的变形量的刻度盘、用于对标定杆施加不同大小水平力的力加载机构。标定杆的上端与弯矩传感器固定连接；标定杆的下端用于在刻度盘上指示，测量弯矩传感器在不同弯矩载荷下的变形量；本发明通过力加载机构对标定杆的不同水平作用力，然后标定杆与刻度盘的搭配可以模拟不同的弯矩载荷，并得到不同弯矩载荷下弯矩传感器的输出值，从而实现对弯矩传感器的性能标定；刻度盘及标定杆可方便的测量加载过程中的传感器变形量，以修正传感器的标定系数。
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公开(公告)号：CN113155345A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110311847.1
申请日：2021-03-24
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性压阻阵列和磁铁线圈阵列的柔性触觉传感器，包括弹性体、永磁铁、柔性压阻阵列、导电线圈阵列；永磁铁安装在弹性体内部；弹性体的底部与柔性压阻阵列的作用端连接；导电线圈阵列置于柔性压阻阵列的下方；本申请通过弹性体、永磁铁、柔性压阻阵列、导电线圈阵列的设置及其连接，有效的将柔性压阻单元阵列和磁铁线圈阵列两种敏感单元有机结合，基于压阻效应和电磁感应原理，能够实现柔性接触面上的三维力(即正压力和二维摩擦力)和滑动的检测，可以分辨滑动的二维方向，兼顾力与滑动检测的静态性能和动态性能，并且具有制作成本低的特点。
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公开(公告)号：CN112730891A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110034880.4
申请日：2021-01-12
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种微型三轴加速度传感器结构，包括传感器基座、三个定位环、三个剪切压电环、三个内锥环、三个外锥环；剪切压电环套装在定位环外侧；传感器基座上设置有三根中心柱；三根中心柱中任意两根均垂直、定位环套装在中心柱外侧、内锥环套装在剪切压电环外侧；内锥环的锥面设置在外侧；外锥环套装在内锥环外侧；外锥环的锥面设置在内侧，外锥环的锥面与内锥环的锥面配合。本申请通过特殊的结构配合，实现了无需采用材料特殊、国产材料性能不稳定的形状记忆合金，无需在高温下进行收缩，简化了装配工艺，避免了高温环境对剪切压电片的性能造成不良影响。
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公开(公告)号：CN111778559A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010823206.X
申请日：2020-08-17
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
Abstract: 本发明公开了石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔，采用包含相变材料的保温托盘实现石墨圆盘的保温，在一定时间内可使保温托盘维700℃以上高温，将显著降低GaN单晶衬底片因温度突变或温度过低导致生长质量问题的概率，提高GaN单晶生长质量；采用集成腔室与HVPE设备连接，腔室内部可实现一定真空度或充填惰性气体，并具有加热保温功能，可以保证GaN单晶衬底片在整个中转过程中的环境氛围，确保后续工艺中的GaN单晶衬底生长质量；采用具有保温功能的中转托盘在集成腔中全盘转接保温托盘中的GaN单晶衬底片，使所有GaN单晶片的蓝宝石衬底面朝上，这样，既可以取消伯努利吸附传输方式，还可以显著提高GaN单晶衬底片的激光预剥离效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103955002B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201410214982.4
申请日：2014-05-21
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
IPC: G01V3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于磁异常一阶导数的磁偶极子目标位置测量方法，采用由多个三轴向磁传感器组成的测量平台进行测量，所述位置测量方法包括以下步骤：(1)用第一磁传感器～第八磁传感器搭建测量平台，其中，第三磁传感器和第六磁传感器位于同一直线且共同位于测量平台的中心，其它磁传感器在其周围等间距排列；(2)以磁偶极子目标为坐标原点，第三磁传感器作为测量基点，通过方程组求解第三磁传感器的位置坐标值u、v、w，完成测量。本发明采用了一个测点同时测量两组数据的方法，来解算磁偶极子目标的位置参数，成功消除了工程应用中由于测量平台不稳定以及地磁场难以分离所带来的干扰问题，提高了测量精度。
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公开(公告)号：CN111778559B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202010823206.X
申请日：2020-08-17
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
IPC: H01L21/677 , C30B29/40 , C30B25/18 , C30B25/02
Abstract: 本发明公开了石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔，采用包含相变材料的保温托盘实现石墨圆盘的保温，在一定时间内可使保温托盘维700℃以上高温，将显著降低GaN单晶衬底片因温度突变或温度过低导致生长质量问题的概率，提高GaN单晶生长质量；采用集成腔室与HVPE设备连接，腔室内部可实现一定真空度或充填惰性气体，并具有加热保温功能，可以保证GaN单晶衬底片在整个中转过程中的环境氛围，确保后续工艺中的GaN单晶衬底生长质量；采用具有保温功能的中转托盘在集成腔中全盘转接保温托盘中的GaN单晶衬底片，使所有GaN单晶片的蓝宝石衬底面朝上，这样，既可以取消伯努利吸附传输方式，还可以显著提高GaN单晶衬底片的激光预剥离效率。
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公开(公告)号：CN117344270A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311300056.4
申请日：2023-10-09
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法，包括步骤：金属基底研磨抛光；金属基底清洗、烘干；沉积第一层SiO2薄膜；大气氛围200℃退火；沉积第二层SiO2薄膜；大气氛围200℃退火；本申请首先通过金属基底研磨抛光得到无划痕、无明显缺陷的金属表面；然后将金属基底在丙酮和酒精溶液中清洗、烘干后，采用离子束溅射工艺在金属基底表面沉积复合SiO2绝缘薄膜层，并做相应的退火处理；最终得到质量良好的高绝缘氧化硅薄膜；采用复合结缘层的制备工艺，避免了金属基底缺陷的延伸，从而保证金属基传感器的绝缘层薄膜具有较强的耐压强度、低粗糙度和强结合力。
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公开(公告)号：CN113155345B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110311847.1
申请日：2021-03-24
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性压阻阵列和磁铁线圈阵列的柔性触觉传感器，包括弹性体、永磁铁、柔性压阻阵列、导电线圈阵列；永磁铁安装在弹性体内部；弹性体的底部与柔性压阻阵列的作用端连接；导电线圈阵列置于柔性压阻阵列的下方；本申请通过弹性体、永磁铁、柔性压阻阵列、导电线圈阵列的设置及其连接，有效的将柔性压阻单元阵列和磁铁线圈阵列两种敏感单元有机结合，基于压阻效应和电磁感应原理，能够实现柔性接触面上的三维力(即正压力和二维摩擦力)和滑动的检测，可以分辨滑动的二维方向，兼顾力与滑动检测的静态性能和动态性能，并且具有制作成本低的特点。
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公开(公告)号：CN112643591B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110035387.4
申请日：2021-01-12
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于微型加速度传感器的装配工装，包括多向调节机构、压头、夹具、顶针；压头与多向调节机构的调节端连接；压头的第一端用于与夹具的第一端配合进行加速度传感器的安装；夹具的安装方向与第二方向平行；加速度传感器的零部件定位安放在夹具的第一端上；压头内部形成有用于顶针移动的通道；顶针可移动的置于该通道内，且顶针的第一端与夹具的第一端配合进行加速度传感器的安装。本发明中，夹具可更换，可适用于多种类型的传感器装配；在不更换夹具的情况下，可以实现内外锥环、压电片及定位环的装配，保证装配效率和产品一致性；通过竖直微调平台可以精确控制内外锥环之间轴向装配尺寸，从而有效控制压电片的预紧力。
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