一种多次图形化降低氮化镓薄膜位错密度的方法及制备形成的氮化镓薄膜

    公开(公告)号:CN119132943A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411141263.4

    申请日:2024-08-20

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明涉及一种多次图形化降低氮化镓薄膜位错密度的方法及制备形成的氮化镓薄膜,上述方法包括如下步骤:在异质衬底上沉积形成缓冲层;在缓冲层上外延生长GaN外延层;在缓冲层上构建获得一次图形结构;在一次图形结构的基础上继续进行外延生长,以使一次图形结构愈合并继续生长形成一次GaN薄膜;在一次GaN薄膜上构建获得二次图形结构;在二次图形结构的基础上继续进行外延生长,以使二次图形结构愈合并继续生长形成二次GaN薄膜。本发明充分利用不同图形结构下GaN外延生长时的外延横向过生长能力,通过二次乃至多次的加工实现位错缺陷在孔洞处以及图形结构界面处的弯曲闭合,最终实现低位错密度GaN薄膜的异质外延生长。

    一种多种检测功能的RIE半导体材料刻蚀装置

    公开(公告)号:CN110931399A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911333786.8

    申请日:2019-12-23

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明提出了一种多种检测功能的RIE半导体材料刻蚀装置,包括:RIE半导体材料刻蚀腔体、气体流量计、质谱-光谱联用仪、RHEED、原子力显微镜、气体压强计、温度测试仪、翘曲测试仪、X射线衍射仪、射频电源、真空泵、采集板卡、电脑终端。其将光谱检测、质谱检测、XRD检测、原子力显微镜检测、温度、应力、气体流量和压强检测集成于RIE半导体材料刻蚀系统中,提供了一种具备气态/固态/粒子态/等离子态的多维度质量检测功能的反应离子刻蚀原位在线检测系统。该装置测量手段基本实现了覆盖元素、晶格、物质等与缺陷直接相关的信息的监测以及薄膜表面粗糙度、刻蚀深度、深宽比等薄膜信息的检测,实现了低损伤高性能的材料刻蚀过程。

    一种碳化硅双空位色心离子束注入方法及系统

    公开(公告)号:CN118228570A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410165561.0

    申请日:2024-02-05

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 一种碳化硅双空位色心离子束注入方法及系统,涉及离子束注入技术领域,包括:建立氮离子注入碳化硅的分子动力学模型,以及分子动力学模拟结果数据库;基于分子动力学模拟结果数据库,建立氮离子注入碳化硅的RVE模型,以及有限元模拟结果数据库;基于分子动力学模拟结果数据库和有限元模拟结果数据库优化注入工艺参数,选择最佳参数组,进行离子束注入实验;监测离子束注入过程的束流特征,实时探测双空位色心的产生,监测注入过程温度场演变,基于监测结果,实时调整离子束注入的工艺参数至注入完成。本申请考虑多尺度效应,通过多物理场多尺度建模仿真,并基于径向基神经网络优化离子束注入工艺参数,可突破制备稳定性限制,提高制备可重复性。

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