公开(公告)号：CN101967624A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200910226612.1

申请日：2009-12-14

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  赖延清 ,  张坤 ,  李轶 ,  张治安 ,  匡三双 ,  李劼 ,  刘业翔

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种Cu2ZnSnS4光伏薄膜的制备方法，其特征在于以硫化氢和氩气混合气体作为溅射气体，以Cu-Zn-Sn合金靶作为阴极靶，以磁控反应溅射的方式进行薄膜的沉积。其中，合金靶的组分为原子比Cu∶Zn∶Sn＝1∶0.1～2∶0.1～2，溅射时溅射室内压强为0.05Pa～10Pa，靶材与衬底的距离为3～15cm，阴极靶的溅射功率为15～300W，衬底温度为20～700℃，并以0～1000转每分钟的速率旋转，生长的薄膜厚度为0.2～5μm。与传统的基于热活化的技术相比，本发明所述的制备方法制备的薄膜大面积成分均匀性好、结晶质量高且杂相少，同时该法还具有工艺简单、成本低廉和重现性好等优势。

公开(公告)号：CN101330110A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810031972.1

申请日：2008-08-01

Applicant: 中南大学

Inventor： 赖延清 ,  刘芳洋 ,  张治安 ,  李劼 ,  刘业翔 ,  田忠良 ,  吕晓军 ,  李轶 ,  欧阳紫靛 ,  吕莹 ,  刘军 ,  匡三双

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种薄膜太阳电池的光吸收层材料及其制备方法。该光吸收层材料为Cu2MS3(M＝Si，Ge，Sn)系列化合物中的Cu2SixSn1－xS3或Cu2GexSn1－xS3(x＝0～1)半导体薄膜。其制备方法是先在基底上磁控溅射沉积Cu－Si－Sn或Cu－Ge－Sn合金预制层，然后对预制层进行硫化处理。本发明所述的材料及其制备方法可解决当前太阳电池发展所遇到的资源短缺与环境污染问题，为太阳电池的发展开辟新的途径。

公开(公告)号：CN101805890A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200910226611.7

申请日：2009-12-14

Applicant: 中南大学

Inventor： 赖延清 ,  刘芳洋 ,  李轶 ,  张坤 ,  匡三双 ,  张治安 ,  李劼 ,  刘业翔

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种原位生长Cu2ZnSnS4光伏薄膜方法，其特征在于以硫化氢和氩气混合气体作为溅射气体，以金属铜靶、锌靶和锡靶分别作为Cu源、Zn源和Sn源，以磁控反应共溅射的方式进行薄膜的原位生长。其中，溅射时溅射室内压强为0.05Pa～10Pa，靶材与衬底的距离为3～15cm，各个靶的溅射功率为15～300W，衬底温度为20～700℃，并以0～100转每分钟的速率旋转，生长的薄膜厚度为0.2～5μm。本发明所述的制备方法工艺简单，成本较低，所制备的薄膜具有良好的成分均匀性和高的结晶质量，以及优越的光学、电学性质。