公开(公告)号：CN101079454A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710035012.8

申请日：2007-05-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 赖延清 ,  刘芳洋 ,  吕莹 ,  张治安 ,  李劼 ,  刘业翔

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/368

CPC classification number: H01L21/02568 ,  H01L21/02628

Abstract: 本发明涉及一种脉冲电沉积铜铟镓硒半导体薄膜材料的方法，在基底上脉冲电沉积含Cu、In、Ga、Se的预制层，再对预制层进行热处理。本发明方法克服了PVD法或CVD法成本高昂、难于大规模生产，而传统恒电位或恒电流沉积薄膜膜层质量较差等阻碍铜铟镓硒薄膜工业化生产的难题，具有镀层质量好、成本低、易于实现大面积沉积和大规模应用等特点。

公开(公告)号：CN101330110A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810031972.1

申请日：2008-08-01

Applicant: 中南大学

Inventor： 赖延清 ,  刘芳洋 ,  张治安 ,  李劼 ,  刘业翔 ,  田忠良 ,  吕晓军 ,  李轶 ,  欧阳紫靛 ,  吕莹 ,  刘军 ,  匡三双

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种薄膜太阳电池的光吸收层材料及其制备方法。该光吸收层材料为Cu2MS3(M＝Si，Ge，Sn)系列化合物中的Cu2SixSn1－xS3或Cu2GexSn1－xS3(x＝0～1)半导体薄膜。其制备方法是先在基底上磁控溅射沉积Cu－Si－Sn或Cu－Ge－Sn合金预制层，然后对预制层进行硫化处理。本发明所述的材料及其制备方法可解决当前太阳电池发展所遇到的资源短缺与环境污染问题，为太阳电池的发展开辟新的途径。

公开(公告)号：CN100452446C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200710035012.8

申请日：2007-05-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 赖延清 ,  刘芳洋 ,  吕莹 ,  张治安 ,  李劼 ,  刘业翔

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/368

CPC classification number: H01L21/02568 ,  H01L21/02628

Abstract: 本发明涉及一种脉冲电沉积铜铟镓硒半导体薄膜材料的方法，在基底上脉冲电沉积含Cu、In、Ga、Se的预制层，再对预制层进行热处理。本发明方法克服了PVD法或CVD法成本高昂、难于大规模生产，而传统恒电位或恒电流沉积薄膜膜层质量较差等阻碍铜铟镓硒薄膜工业化生产的难题，具有镀层质量好、成本低、易于实现大面积沉积和大规模应用等特点。