-
公开(公告)号:CN118434704A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202280085119.6
申请日:2022-12-06
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C13/62 , C07C13/66 , C07C15/28 , C07C211/54 , C07C211/61 , C07D333/76 , C07D403/08 , C07F5/02 , C09K11/06 , C07B61/00 , C07D209/86 , C07D213/16 , C07D215/14 , C07D239/26 , C07D307/91 , C07D241/42 , C07D251/24 , H10K50/00 , H10K50/16 , H10K50/15
Abstract: 本发明提供能够制作可发挥优异的发光效率特性、尤其是优异的驱动电压特性和优异的发光效率特性的有机电致发光器件的双金刚烷化合物、以及包含该双金刚烷化合物的有机电致发光器件用材料。另外,提供能够高水平地实现发光效率特性、尤其是驱动电压特性和发光效率特性的有机电致发光器件。本发明的双金刚烷化合物具有下述式(1)所示的基团和下述式(2)所示的基团。#imgabs0#(式(1)中,双金刚烷环中的碳原子上可取代有碳原子数6~12的芳基。式(1)中,*表示结合键。a表示1~6的整数。)#imgabs1#(式(2)所示的Ar表示:(i)可被取代的碳原子数6~60的芳香族烃基,(ii)可被取代的碳原子数3~60的杂芳基,或(iii)所述(i)和所述(ii)的基团组合而成的基团。其中,关于Ar,构成Ar的碳原子的总数为8以上,在Ar仅由上述(i)的碳原子数6~60的芳香族烃基构成的情况下,构成Ar的碳原子的总数为13以上。式(2)中,*表示结合键。b表示1~6的整数。)。
-
公开(公告)号:CN118696625A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202380021052.4
申请日:2023-02-09
Applicant: 东曹株式会社
IPC: H10K85/60 , C07D251/34 , C07D401/04 , H01L21/3065 , H10K50/805 , H10K50/81 , H10K71/60 , H10K102/20
Abstract: 本发明提供一种能够高度地抑制在膜表面形成金属薄膜的金属图案化用材料、杂环化合物、使用了它们的金属图案化用薄膜、有机电致发光元件、金属图案的形成方法及电子设备。一种金属图案化用材料,其由式(A1)或(B1)表示,式中,A各自独立地表示N或CR,至少一个为N,至少一个为CR;B表示N、NR、S、O或CR,至少一个为N、S或O,至少一个为CR。#imgabs0#
-
公开(公告)号:CN116157382A
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202180055336.6
申请日:2021-08-11
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07C211/56
Abstract: 本发明提供一种耐热性优异、抑制了金属薄膜向膜表面形成的金属图案化用材料、胺化合物、使用它们的金属图案的形成方法及电子设备。使用一种金属图案化用材料,其是在分子内具有芳环和/或杂芳环、氟原子和至少1个叔胺,芳环为选自由单芳环、联芳环、以及碳原子数为6以上且15以下的稠芳环组成的组中的至少1种,不具有碳原子数为16以上的稠芳环,形成芳环的碳原子数、以及形成杂芳环的碳原子数中,与氟原子直接结合的碳原子数的比例为10%以上,分子量为500以上且3000以下,玻璃化转变温度为60℃以上的化合物。
-
公开(公告)号:CN119318234A
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202380044674.9
申请日:2023-06-29
Applicant: 东曹株式会社
IPC: H10K50/165 , C07D215/26 , C07D215/30 , C07D251/24 , C07D401/10 , C07F5/02 , C09K11/06 , H10K50/11 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K50/17 , H10K85/30 , H10K85/60
Abstract: 本发明的目的在于提供兼顾优异的驱动电压特性和电流效率特性、且效率变化和连续驱动后效率变化小的有机电致发光元件。一种有机电致发光元件,其具有:阳极;阴极;其与阳极对置;发光层,其配置于所述阳极与阴极之间;以及空穴传输区域,其配置于所述阳极与发光层之间,电子传输区域,其配置于所述发光层与阴极之间,所述电子传输区域含有由式(2)所示的三嗪化合物,所述有机电致发光元件满足下述的(i)和(ii)中的至少一个以上的条件。#imgabs0#(i)所述发光层含有式(1)所示的硼化合物。#imgabs1#(ii)所述空穴传输区域含有式(3)所示的轴烯化合物。#imgabs2#
-
公开(公告)号:CN117044428A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202280021378.2
申请日:2022-03-31
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制有机电致发光元件的横向电流的横向电流抑制材料、咔唑化合物、使用它们的空穴注入层、及驱动电压、发光效率、耐久性优异且横向电流少的有机电致发光元件。一种式(1)所表示的有机电致发光元件用的横向电流抑制材料[式(1)中,A由下述式(2)或(3)表示,B由下述式(4)表示]。#imgabs0#
-
-
-
-