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公开(公告)号:CN116157382A
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202180055336.6
申请日:2021-08-11
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07C211/56
Abstract: 本发明提供一种耐热性优异、抑制了金属薄膜向膜表面形成的金属图案化用材料、胺化合物、使用它们的金属图案的形成方法及电子设备。使用一种金属图案化用材料,其是在分子内具有芳环和/或杂芳环、氟原子和至少1个叔胺,芳环为选自由单芳环、联芳环、以及碳原子数为6以上且15以下的稠芳环组成的组中的至少1种,不具有碳原子数为16以上的稠芳环,形成芳环的碳原子数、以及形成杂芳环的碳原子数中,与氟原子直接结合的碳原子数的比例为10%以上,分子量为500以上且3000以下,玻璃化转变温度为60℃以上的化合物。
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公开(公告)号:CN104326968B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410525675.8
申请日:2010-10-20
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07D209/88
CPC classification number: C09K11/06 , C07D209/88 , C07D401/04 , C09K2211/1029 , H01L51/0072 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5064 , H05B33/14
Abstract: 一种咔唑化合物,其由下式表示,其中,m=1,n=0时,Ar1、Ar2、Ar3和X2为C6~50芳基、C4~50杂芳基,X1为C6~50亚芳基,R1、R2、R4、R5和R7为H、卤原子、氨基、C1~18烷基、C1~18烷氧基、C6~50芳基、C4~50杂芳基,R3和R6为H、卤原子、C1~18烷基、C1~18烷氧基、C6~50芳基、C4~50杂芳基,Ar1与Ar2以及Ar3与X2可以互相键合而形成环;m=0,n=1~3时,Ar3、Ar4和Ar5为C6~50芳基、C4~50杂芳基,X1为C1~18烷基、C6~50芳基、C4~50杂芳基,X2为C6~50亚芳基,R1~R7为H、卤原子、C1~18烷基、C1~18烷氧基、C6~50芳基、C4~50杂芳基,Ar4与Ar5可以互相键合而形成环;m=n=0时,X1为C1~18烷基、C6~50芳基、C4~50杂芳基,Ar3、X2为C6~50芳基、C4~50杂芳基,R2为H、卤原子、C1~18烷基、C1~18烷氧基,R1、R3~R7为H、卤原子、C1~18烷基、C1~18烷氧基、C6~50芳基、C4~50杂芳基。上述咔唑化合物作为有机EL元件材料有用。
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公开(公告)号:CN104011022B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201280064781.X
申请日:2012-10-25
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07D209/88 , C07D401/14 , C07D403/04 , C07D405/12 , C07D409/04 , C07D409/12 , C07D409/14 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0052 , C07D209/86 , C07D209/88 , C07D401/14 , C07D403/04 , C07D405/12 , C07D409/04 , C07D409/12 , C07D409/14 , C09B57/008 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0058 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供一种通式(1)所示的4-氨基咔唑化合物。式中,Ar1~Ar4表示取代或未取代的芳基、噻吩基、吡啶基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、4-咔唑基、二苯并噻吩基苯基、二苯并呋喃基苯基、或9-咔唑基苯基;R1~R7表示取代或未取代的芳基、杂芳基、杂芳基苯基、或烷基、烷氧基、氰基、氢原子或者卤素原子;n表示0~2的整数;X表示取代或未取代的(n+1)价的芳香族烃基、杂芳基或杂芳基苯基。上述4-氨基咔唑化合物提供发光效率高、耐久性优异的有机EL元件。
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公开(公告)号:CN105531262A
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201480049605.8
申请日:2014-09-08
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07D209/88 , C07D405/10 , C07D409/04 , C07D409/10 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供一种适合有机EL元件的空穴传输材料的2-氨基咔唑化合物及使用了该化合物的驱动电压、发光效率、元件寿命优异的有机EL元件。一种式(1)所示的2-氨基咔唑化合物。在式(1)中,R为氢原子或甲基;R1~R3的任一个为4-二苯并噻吩基、4-二苯并呋喃基、9-菲基、或式(2)的取代基(R表示氢原子或甲基),其余为氢原子或甲基;Ar1、Ar2独立地为碳原子数6~18的芳香族烃基,这些基团任选具有甲基或甲氧基。
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公开(公告)号:CN104662016A
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201380050368.2
申请日:2013-09-26
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07D405/04 , C07D409/04 , C07D409/14 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0061 , C07D405/04 , C07D405/14 , C07D409/04 , C07D409/14 , C09K11/06 , C09K2211/1022 , C09K2211/1029 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供一种适于有机EL元件、特别是空穴传输材料的新型胺化合物、及使用了该胺化合物且驱动电压、发光效率、元件寿命优异的有机EL元件。通式(1)所示的胺化合物。X为硫原子或氧原子;R1~R10分别独立地为氢原子、氘原子、或苯基;Ar1、Ar2分别独立地为碳原子数6~18的芳香族烃基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基,这些基团也任选具有甲基、甲氧基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基或9-咔唑基这样的取代基。
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公开(公告)号:CN118696625A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202380021052.4
申请日:2023-02-09
Applicant: 东曹株式会社
IPC: H10K85/60 , C07D251/34 , C07D401/04 , H01L21/3065 , H10K50/805 , H10K50/81 , H10K71/60 , H10K102/20
Abstract: 本发明提供一种能够高度地抑制在膜表面形成金属薄膜的金属图案化用材料、杂环化合物、使用了它们的金属图案化用薄膜、有机电致发光元件、金属图案的形成方法及电子设备。一种金属图案化用材料,其由式(A1)或(B1)表示,式中,A各自独立地表示N或CR,至少一个为N,至少一个为CR;B表示N、NR、S、O或CR,至少一个为N、S或O,至少一个为CR。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN105531262B
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201480049605.8
申请日:2014-09-08
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07D209/88 , C07D405/10 , C07D409/04 , C07D409/10 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供一种适合有机EL元件的空穴传输材料的2‑氨基咔唑化合物及使用了该化合物的驱动电压、发光效率、元件寿命优异的有机EL元件。一种式(1)所示的2‑氨基咔唑化合物。在式(1)中,R为氢原子或甲基;R1~R3的任一个为4‑二苯并噻吩基、4‑二苯并呋喃基、9‑菲基、或式(2)的取代基(R表示氢原子或甲基),其余为氢原子或甲基;Ar1、Ar2独立地为碳原子数6~18的芳香族烃基,这些基团任选具有甲基或甲氧基。
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公开(公告)号:CN104370801B
公开(公告)日:2017-11-03
申请号:CN201410525660.1
申请日:2010-10-20
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07D209/88
CPC classification number: C09K11/06 , C07D209/88 , C07D401/04 , C09K2211/1029 , H01L51/0072 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5064 , H05B33/14
Abstract: 一种咔唑化合物,其由下式表示,其中,m=1,n=0时,Ar1、Ar2、Ar3和X2为C6~50芳基、C4~50杂芳基,X1为C6~50亚芳基,R1、R2、R4、R5和R7为H、卤原子、氨基、C1~18烷基、C1~18烷氧基、C6~50芳基、C4~50杂芳基,R3和R6为H、卤原子、C1~18烷基、C1~18烷氧基、C6~50芳基、C4~50杂芳基,Ar1与Ar2以及Ar3与X2可以互相键合而形成环;m=0,n=1~3时,Ar3、Ar4和Ar5为C6~50芳基、C4~50杂芳基,X1为C1~18烷基、C6~50芳基、C4~50杂芳基,X2为C6~50亚芳基,R1~R7为H、卤原子、C1~18烷基、C1~18烷氧基、C6~50芳基、C4~50杂芳基,Ar4与Ar5可以互相键合而形成环;m=n=0时,X1为C1~18烷基、C6~50芳基、C4~50杂芳基,Ar3、X2为C6~50芳基、C4~50杂芳基,R2为H、卤原子、C1~18烷基、C1~18烷氧基,R1、R3~R7为H、卤原子、C1~18烷基、C1~18烷氧基、C6~50芳基、C4~50杂芳基。上述咔唑化合物作为有机EL元件材料有用。
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公开(公告)号:CN102643161B
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN201210113455.5
申请日:2007-04-12
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07C25/22
CPC classification number: C07C211/61 , C07C2603/40 , C07C2603/94 , C07C2603/97 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , H01L51/0054 , H01L51/006 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5088 , H05B33/14
Abstract: 本发明公开了一种具有高的空穴传输能力、高的玻璃化转变温度和长期耐久性的新型材料。具体公开了由以下通式(1)表示的苯并芴化合物。(在式中,M表示具有6-40个碳原子的取代或未取代的芳基或具有5-40个碳原子的取代或未取代的杂芳基;Ar1-Ar4独立地表示具有6-40个碳原子的取代或未取代的芳基或具有5-40个碳原子的取代或未取代的杂芳基,条件是Ar1-Ar4中至少一个表示由以下通式(2)-(5)之一表示的取代基;和p表示0-2的整数。)(在(2)-(5)式中,R1-R4独立地表示氢原子、卤原子、取代或未取代的氨基、直链、支链或环状烷基、直链、支链或环状烷氧基、具有6-40个碳原子的取代或未取代的芳基或具有6-40个碳原子的取代或未取代的芳氧基。在此,R1和R2可结合在一起形成环。)
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公开(公告)号:CN104370801A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201410525660.1
申请日:2010-10-20
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07D209/88
CPC classification number: C09K11/06 , C07D209/88 , C07D401/04 , C09K2211/1029 , H01L51/0072 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5064 , H05B33/14
Abstract: 一种咔唑化合物,其由下式表示,其中,m=1,n=0时,Ar1、Ar2、Ar3和X2为C6~50芳基、C4~50杂芳基,X1为C6~50亚芳基,R1、R2、R4、R5和R7为H、卤原子、氨基、C1~18烷基、C1~18烷氧基、C6~50芳基、C4~50杂芳基,R3和R6为H、卤原子、C1~18烷基、C1~18烷氧基、C6~50芳基、C4~50杂芳基,Ar1与Ar2以及Ar3与X2可以互相键合而形成环;m=0,n=1~3时,Ar3、Ar4和Ar5为C6~50芳基、C4~50杂芳基,X1为C1~18烷基、C6~50芳基、C4~50杂芳基,X2为C6~50亚芳基,R1~R7为H、卤原子、C1~18烷基、C1~18烷氧基、C6~50芳基、C4~50杂芳基,Ar4与Ar5可以互相键合而形成环;m=n=0时,X1为C1~18烷基、C6~50芳基、C4~50杂芳基,Ar3、X2为C6~50芳基、C4~50杂芳基,R2为H、卤原子、C1~18烷基、C1~18烷氧基,R1、R3~R7为H、卤原子、C1~18烷基、C1~18烷氧基、C6~50芳基、C4~50杂芳基。上述咔唑化合物作为有机EL元件材料有用。
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