公开(公告)号：CN112993034A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911312979.5

申请日：2019-12-18

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘斯扬 ,  卢丽 ,  肖魁 ,  林峰 ,  叶然 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：衬底；漂移区，设于所述衬底上；漏极区，设于所述漂移区中；体区，设于所述衬底上；源极区，设于所述体区中；平面栅结构，设于所述体区上；槽栅结构，从所述体区的顶部向下方延伸；体轻掺杂区，设于所述体区中且紧贴所述槽栅结构的侧壁设置，所述体轻掺杂区的掺杂浓度小于周围的体区的掺杂浓度、且与所述体区位于平面栅结构下方的上表面区域的掺杂浓度趋于一致。本发明通过设置与体区位于平面栅结构下方的上表面区域的掺杂浓度趋于一致的体轻掺杂区，从而使平面栅的阈值电压与槽栅的阈值电压趋于一致。

公开(公告)号：CN118798104B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202310701433.9

申请日：2023-06-13

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 李胜 ,  马岩锋 ,  何乃龙 ,  刘斯扬 ,  刘梦丽 ,  张森 ,  肖魁 ,  林峰 ,  孙伟锋

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法，所述模型包括：基础模型，包括GaN HEMT器件模型，所述GaN HEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻；子模型，包括位于相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路，第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2，第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1，第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3；子模型与栅极电阻串联连接。本发明可有效地解决传统的p‑GaN栅HEMT的器件模型对阈值电压漂移建模不足的问题，预防了阈值电压漂移所导致的潜在的电路功能失效的危险，大大降低了集成电路设计的风险与成本。

公开(公告)号：CN118798104A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310701433.9

申请日：2023-06-13

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 李胜 ,  马岩锋 ,  何乃龙 ,  刘斯扬 ,  刘梦丽 ,  张森 ,  肖魁 ,  林峰 ,  孙伟锋

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法，所述模型包括：基础模型，包括GaN HEMT器件模型，所述GaN HEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻；子模型，包括位于相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路，第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2，第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1，第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3；子模型与栅极电阻串联连接。本发明可有效地解决传统的p‑GaN栅HEMT的器件模型对阈值电压漂移建模不足的问题，预防了阈值电压漂移所导致的潜在的电路功能失效的危险，大大降低了集成电路设计的风险与成本。

公开(公告)号：CN109995236B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201711480340.9

申请日：2017-12-29

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 钱钦松 ,  许胜有 ,  林峰 ,  王浩 ,  苏巍 ,  刘琦 ,  时龙兴

IPC: H02M3/335

Abstract: 一种LLC变换器同步整流管的控制系统，包括电压采样电路、高通滤波电路、PI补偿及有效值检测电路、以微控制器MCU为核心的控制系统。利用电路中不可避免存在的寄生电感和寄生电容引起电路波形振荡的原理，当LLC变换器在高频下工作时，同步整流管的漏源电压VDS(SR)通过采样电路将关断期间的漏源电压的变化信号送入高通滤波电路和PI补偿及有效值检测电路得到因寄生参数引起的漏源电压振荡信号的有效值放大信号，并通过以微控制器MCU为核心的控制电路比较当前值与上一次采集值的关系，从而改变同步整流管在下个周期中的导通时间，最终使同步整流管能在最佳的关断点关断，实现同步整流管的最优效率工作。

公开(公告)号：CN109995254B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201711474042.9

申请日：2017-12-29

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 徐申 ,  王炜 ,  林峰 ,  何波涌 ,  苏巍 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H02M7/219 ,  H02M3/335

Abstract: 本发明公开了一种提高同步整流原边反馈反激式电源动态性能的方法，针对已有的小功率DCM下的动态控制算法存在的不足，尤其是重载切轻载情况下，动态恢复时间过长的缺陷，通过控制变换器原边开关管的关断和副边同步整流管以固定占空比开关，抽取输出端负载电容的能量至原边，使输出电压迅速下降，同时一直以固定的频率对输出电压进行采样，当输出电压降低至额定值时，根据负载大小判断出此时系统对应的跳出高动态模式后的稳态模式，然后系统进入稳态模式。本发明能够将输出电压缩短在2.5ms内，并且系统在离开动态模式进入稳态模式时输出电压纹波很小，显著提高了大功率下反激变换器的动态性能。

公开(公告)号：CN111426927A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201811583501.1

申请日：2018-12-24

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘斯扬 ,  李智超 ,  叶然 ,  卢丽 ,  孙伟锋 ,  苏巍 ,  马书嫏 ,  华晓春 ,  顾力晖 ,  林峰

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件动态电学应力施加装置，包括：信号发生器、光耦保护模块、栅脉冲驱动模块、高压控制模块和所述n个被测功率半导体器件，其中，所述信号发生器、所述光耦保护模块、所述栅脉冲驱动模块依次串接至所述n个被测功率半导体器件栅极，所述高压控制模块与所述n个被测功率半导体器件漏极相连，所述n个被测功率半导体器件源级接地。本发明还涉及一种功率半导体器件动态电学应力测试方法。本发明能够同时完成对一个或多个被测功率半导体器件进行动态电学应力的施加，通过光耦保护模块实现了信号发生器与高压电路的光电隔离，方便对被测功率半导体器件退化参数的监测，提高了动态电学应力条件下热载流子可靠性测试的效率。

公开(公告)号：CN116705609A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202210181654.3

申请日：2022-02-25

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 张龙 ,  何乃龙 ,  崔永久 ,  张森 ,  王肖娜 ,  林峰 ,  马杰 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取基底；图案化掩膜层，形成至少两个注入窗口；通过各注入窗口进行N型离子注入，在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区；在各注入窗口表面形成氧化层；去除掩膜层；向P型区进行P型离子普注，在氧化层处P型离子的注入被阻挡；通过热退火使注入的P型离子扩散形成漂移区和P型阱区。本发明图案化的掩膜层形成分段的注入窗口，注入N型离子后通过在注入窗口表面覆盖氧化层，后续注入P型离子时该氧化层作为注入的阻挡层，因此P型离子注入无需单独准备一块光刻版，有效地简化了PLDMOS器件的制造工艺，使其能与NLDMOS的制造工艺兼容。

公开(公告)号：CN109995254A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201711474042.9

申请日：2017-12-29

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 徐申 ,  王炜 ,  林峰 ,  何波涌 ,  苏巍 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H02M7/219 ,  H02M3/335

Abstract: 本发明公开了一种提高同步整流原边反馈反激式电源动态性能的方法，针对已有的小功率DCM下的动态控制算法存在的不足，尤其是重载切轻载情况下，动态恢复时间过长的缺陷，通过控制变换器原边开关管的关断和副边同步整流管以固定占空比开关，抽取输出端负载电容的能量至原边，使输出电压迅速下降，同时一直以固定的频率对输出电压进行采样，当输出电压降低至额定值时，根据负载大小判断出此时系统对应的跳出高动态模式后的稳态模式，然后系统进入稳态模式。本发明能够将输出电压缩短在2.5ms内，并且系统在离开动态模式进入稳态模式时输出电压纹波很小，显著提高了大功率下反激变换器的动态性能。

公开(公告)号：CN119230551A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202310794902.6

申请日：2023-06-29

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 林峰 ,  许超奇 ,  陈淑娴 ,  孙伟锋 ,  刘斯扬 ,  卢丽

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及一种集成纵向器件的SOI半导体结构及其制造方法，所述方法包括：获取晶圆，晶圆包括衬底、衬底上的掩埋介质区及掩埋介质区上的顶部半导体层；图案化晶圆，将纵向器件区的衬底露出；在纵向器件区的侧面形成第一绝缘隔离部；在纵向器件区外延形成第一导电类型区；通过CMOS工艺在第一器件区形成CMOS器件主体、在纵向器件区形成第一阱区和第一源极区；第一阱区形成于第一导电类型区中，第一源极区形成于第一阱区中；在衬底的底部形成第一漏极区。本发明第二导电类型的耗尽区能够优化纵向器件的电场，使该耗尽区的面积减小，缩小芯片面积。

公开(公告)号：CN116484345A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310442350.2

申请日：2023-04-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴桐 ,  林峰 ,  唐旭升

IPC: G06F21/32 ,  A61B5/0507 ,  G06F18/241 ,  G06F18/10 ,  G06F18/213 ,  G06N3/0464

Abstract: 本发明公开了一种基于毫米波雷达感知心脏特征的连续身份识别系统，包括控制模块、毫米波雷达感知模块、心脏运动信号提取模块和身份识别模块。该系统在一定程度上避免了现有的基于生物特征的身份识别系统面临的侵犯隐私、易伪造、可用性低等问题；使用连续身份识别机制，增强了系统安全性；基于毫米波雷达的非接触式生命体征感知方法能够在保护用户隐私的条件下，采集不易被伪造或窃取的心脏运动信号，提高了识别系统的可用性。本发明具有一定的新颖性，可作为智能互联场景下的身份识别解决方案。