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公开(公告)号:CN114895502B
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN202210443722.9
申请日:2022-04-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种基于光开关切换网络的重频大范围可调氮化硅微光梳阵列,包括基于厚Si3N4波导的对称马氏干涉仪光开关阵列、包括基于厚Si3N4波导经色散工程的具有不同尺寸的微环谐振腔。通过二叉树型与级联型两种光开关切换网络改变入射光的路径,使得入射光耦合到不同尺寸的微环谐振腔里。通过热电极快速改变干涉仪两臂相位差实现光路切换,切换时间小于60μs;通过热电极快速调谐微环的谐振峰,控制光源频率与谐振峰的失谐量,进而激发出不同重频的单孤子微光梳。本发明适用于高频微波与毫米波信号产生、微波光子滤波、多光梳测量技术、光通讯收发模块、光计算等氮化硅集成光路光学器件系统中,具有重频调节范围大、光开关切换速度快、尺寸紧凑等优点。
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公开(公告)号:CN112596155B
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202011488410.7
申请日:2020-12-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器,包括基于LNOI材料的锥形渐变周期亚波长光栅波导、亚波长光栅填充缓冲区域、锥形拉锥、倒锥型耦合区域、脊型输出波导;其中倒锥型耦合区域位于上述其他结构的上方。本发明可实现光纤模式与LN脊型波导传输模式间的模式转换功能,实现低损耗光纤与芯片端面对接,适用于电光调制器、波导阵列光栅、微环谐振器等铌酸锂集成光路光学器件的端面接口,具有尺寸紧凑、耦合效率高、宽带宽等优点。
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公开(公告)号:CN114895502A
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202210443722.9
申请日:2022-04-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种基于光开关切换网络的重频大范围可调氮化硅微光梳阵列,包括基于厚Si3N4波导的对称马氏干涉仪光开关阵列、包括基于厚Si3N4波导经色散工程的具有不同尺寸的微环谐振腔。通过二叉树型与级联型两种光开关切换网络改变入射光的路径,使得入射光耦合到不同尺寸的微环谐振腔里。通过热电极快速改变干涉仪两臂相位差实现光路切换,切换时间小于60μs;通过热电极快速调谐微环的谐振峰,控制光源频率与谐振峰的失谐量,进而激发出不同重频的单孤子微光梳。本发明适用于高频微波与毫米波信号产生、微波光子滤波、多光梳测量技术、光通讯收发模块、光计算等氮化硅集成光路光学器件系统中,具有重频调节范围大、光开关切换速度快、尺寸紧凑等优点。
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公开(公告)号:CN112596155A
公开(公告)日:2021-04-02
申请号:CN202011488410.7
申请日:2020-12-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器,包括基于LNOI材料的锥形渐变周期亚波长光栅波导、亚波长光栅填充缓冲区域、锥形拉锥、倒锥型耦合区域、脊型输出波导;其中倒锥型耦合区域位于上述其他结构的上方。本发明可实现光纤模式与LN脊型波导传输模式间的模式转换功能,实现低损耗光纤与芯片端面对接,适用于电光调制器、波导阵列光栅、微环谐振器等铌酸锂集成光路光学器件的端面接口,具有尺寸紧凑、耦合效率高、宽带宽等优点。
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公开(公告)号:CN114690313A
公开(公告)日:2022-07-01
申请号:CN202210440234.2
申请日:2022-04-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于厚Si3N4材料的低插入损耗、大带宽紧凑型多模干涉耦合器,包括基于厚Si3N4材料的单条形锥形渐变输入波导、多模干涉区域、锥形渐变输出波导。本发明可实现入射光由一端口分配到两个输出波导,形成一分二功分器或二合一耦合器,适用于微波光子滤波与整形、双光梳技术、光学相干断层扫描技术、光通讯收发模块、光计算等氮化硅集成光路光学器件系统中,具有尺寸紧凑、耦合效率高、大带宽、低插损等优点。
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公开(公告)号:CN114675373A
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN202210319254.4
申请日:2022-03-29
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于厚Si3N4材料的低插入损耗、大带宽紧凑型多模干涉耦合器,包括基于厚Si3N4材料的单条形锥形渐变输入波导、多模干涉区域、锥形渐变输出波导。本发明可实现入射光由一端口分配到两个输出波导,形成一分二功分器或二合一耦合器,适用于微波光子滤波与整形、双光梳技术、光学相干断层扫描技术、光通讯收发模块、光计算等氮化硅集成光路光学器件系统中,具有尺寸紧凑、耦合效率高、大带宽、低插损等优点。
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