Invention Publication
- Patent Title: 一种基于厚Si3N4材料的低插入损耗、大带宽紧凑型多模干涉耦合器
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Application No.: CN202210440234.2Application Date: 2022-04-25
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Publication No.: CN114690313APublication Date: 2022-07-01
- Inventor: 林曈 , 胡国华 , 喻杭 , 崔一平 , 恽斌峰 , 张若虎
- Applicant: 东南大学
- Applicant Address: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- Assignee: 东南大学
- Current Assignee: 东南大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- Agency: 南京瑞弘专利商标事务所
- Agent 任志艳
- Main IPC: G02B6/12
- IPC: G02B6/12 ; G02B6/122
Abstract:
本发明公开了一种基于厚Si3N4材料的低插入损耗、大带宽紧凑型多模干涉耦合器，包括基于厚Si3N4材料的单条形锥形渐变输入波导、多模干涉区域、锥形渐变输出波导。本发明可实现入射光由一端口分配到两个输出波导，形成一分二功分器或二合一耦合器，适用于微波光子滤波与整形、双光梳技术、光学相干断层扫描技术、光通讯收发模块、光计算等氮化硅集成光路光学器件系统中，具有尺寸紧凑、耦合效率高、大带宽、低插损等优点。
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