Invention Grant
- Patent Title: 基于厚Si3N4材料的低插入损耗、大带宽紧凑型多模干涉耦合器
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Application No.: CN202210319254.4Application Date: 2022-03-29
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Publication No.: CN114675373BPublication Date: 2024-03-08
- Inventor: 林曈 , 胡国华 , 喻杭 , 崔一平 , 恽斌峰 , 张若虎
- Applicant: 东南大学
- Applicant Address: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- Assignee: 东南大学
- Current Assignee: 东南大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- Agency: 南京瑞弘专利商标事务所
- Agent 秦秋星
- Main IPC: G02B6/122
- IPC: G02B6/122 ; G02B6/125
Public/Granted literature
- CN114675373A 基于厚Si3N4材料的低插入损耗、大带宽紧凑型多模干涉耦合器 Public/Granted day:2022-06-28
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