Invention Publication
- Patent Title: 一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器
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Application No.: CN202011488410.7Application Date: 2020-12-16
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Publication No.: CN112596155APublication Date: 2021-04-02
- Inventor: 胡国华 , 祝霖 , 崔一平 , 邓春雨 , 梁玥 , 喻杭 , 彭惠民 , 恽斌峰 , 张若虎
- Applicant: 东南大学
- Applicant Address: 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
- Assignee: 东南大学
- Current Assignee: 东南大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
- Agency: 南京众联专利代理有限公司
- Agent 杜静静
- Main IPC: G02B6/122
- IPC: G02B6/122 ; G02B6/124 ; G02B6/14

Abstract:
本发明公开了一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器,包括基于LNOI材料的锥形渐变周期亚波长光栅波导、亚波长光栅填充缓冲区域、锥形拉锥、倒锥型耦合区域、脊型输出波导;其中倒锥型耦合区域位于上述其他结构的上方。本发明可实现光纤模式与LN脊型波导传输模式间的模式转换功能,实现低损耗光纤与芯片端面对接,适用于电光调制器、波导阵列光栅、微环谐振器等铌酸锂集成光路光学器件的端面接口,具有尺寸紧凑、耦合效率高、宽带宽等优点。
Public/Granted literature
- CN112596155B 一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器 Public/Granted day:2022-06-14
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