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公开(公告)号:CN118748319A
公开(公告)日:2024-10-08
申请号:CN202410798327.1
申请日:2024-06-20
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹微凸封装天线,所述微凸封装天线包括:太赫兹片上天线(20)和微凸点寄生结构(10),微凸点寄生结构(10)位于太赫兹片上天线(20)上面;所述太赫兹片上天线(20)包括从上到下顺序设置的辐射贴片(201)、片上介质层(202)、参考地层(203)、衬底层(204);所述微凸点寄生结构(10)包括从上到下顺序设置的金属凸点(101)、凸点焊盘(102)、封装介质层(103)。本发明采用扇出型封装技术,在传统太赫兹片上天线辐射结构上方引入微凸点寄生结构。该发明极大提升太赫兹片上天线的带宽、效率和增益性能,在太赫兹通信、雷达感知等领域中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN112596155B
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202011488410.7
申请日:2020-12-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器,包括基于LNOI材料的锥形渐变周期亚波长光栅波导、亚波长光栅填充缓冲区域、锥形拉锥、倒锥型耦合区域、脊型输出波导;其中倒锥型耦合区域位于上述其他结构的上方。本发明可实现光纤模式与LN脊型波导传输模式间的模式转换功能,实现低损耗光纤与芯片端面对接,适用于电光调制器、波导阵列光栅、微环谐振器等铌酸锂集成光路光学器件的端面接口,具有尺寸紧凑、耦合效率高、宽带宽等优点。
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公开(公告)号:CN112596155A
公开(公告)日:2021-04-02
申请号:CN202011488410.7
申请日:2020-12-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器,包括基于LNOI材料的锥形渐变周期亚波长光栅波导、亚波长光栅填充缓冲区域、锥形拉锥、倒锥型耦合区域、脊型输出波导;其中倒锥型耦合区域位于上述其他结构的上方。本发明可实现光纤模式与LN脊型波导传输模式间的模式转换功能,实现低损耗光纤与芯片端面对接,适用于电光调制器、波导阵列光栅、微环谐振器等铌酸锂集成光路光学器件的端面接口,具有尺寸紧凑、耦合效率高、宽带宽等优点。