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公开(公告)号：CN101031851B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200580027646.8
申请日：2005-06-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00 , G05B19/418
CPC classification number: G05B19/41865 , G05B2219/45031 , H01L22/20 , Y02P80/114 , Y02P90/20 , Y02P90/86
Abstract: 本发明涉及半导体处理系统的控制。另外，本发明涉及run-to-run(运行到运行)控制器，其用于创建虚拟模块以在半导体晶片处理期间控制由多室工具执行的多趟过程。
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公开(公告)号：CN101006398B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200580027647.2
申请日：2005-06-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00 , G05B19/418
CPC classification number: H01L22/20 , G05B2219/45031
Abstract: 本发明涉及半导体处理系统的控制。另外，本发明涉及运行到运行控制器，其用于创建虚拟模块以在半导体晶片处理期间控制由多室工具执行的多趟过程。
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公开(公告)号：CN101707189A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910161199.5
申请日：2009-08-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了将多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型用于金属栅结构。本发明提供了一种使用包括一个或多个测量工序、一个或多个多蚀刻(P-E)顺序、和一个或多个金属栅蚀刻顺序的多层处理顺序和多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型和库来处理晶片的方法。MLMIMO处理控制使用多层与/或多处理步骤之间动态相互作用行为建模。多层与/或多处理步骤可以与线、沟、通孔、间隔、接触以及栅结构的形成相关，可以使用各向同性与/或各向异性的蚀刻处理来形成线、沟、通孔、间隔、接触以及栅结构。
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公开(公告)号：CN101681870A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015806.0
申请日：2008-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , C23C16/458
CPC classification number: H01L21/68735 , C23C16/4586 , C23C16/466 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/68714
Abstract: 本发明控制处理过程中沿着衬底控制径向或非径向温度分布，来补偿非均匀的影响，其包括由系统或处理引起的多种非均匀性。通过沿着晶片支撑卡盘(衬底支撑台20、20a)上不同的区域以不同的方式流出背部气体来控制温度，优选动态的控制，以改变沿着晶片的热传导。对支撑台(20、20a)中的多个气体端口(26、26a)进行分组，并且通过不同的阀(32)分别控制流入或流出各组的气体，阀对应于控制器(35)，控制器控制每个区域的气体压强以空间的并且优选动态的控制晶片温度，以补偿系统和处理的非均匀性。通过分别动态控制阀(32)，通过在不同的气体端口(26、26a)处分别控制背部气体压强来改变晶片变形，以控制施加到衬底背部的局部力，阀改变流向气体端口(26、26a)和环绕气体端口(26、26a)的气体端口(26、26a)的气流。
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公开(公告)号：CN101551834A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910133608.0
申请日：2009-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/32137 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型和使用方法。本发明提供的方法使用多层处理程序和多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型和库处理衬底，该方法可以包括一个或者多个掩膜层形成工序、一个或者多个预处理测量工序、一个或者多个局部蚀刻(P－E)工序、一个或者多个最终蚀刻(F－E)工序以及一个或者多个后处理测量工序。
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公开(公告)号：CN111630623A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201980009430.0
申请日：2019-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 描述了用于控制等离子体性能的方法和系统的实施例。在实施例中，一种方法可以包括以第一组功率参数向等离子体室供应功率。另外，该方法可以包括使用该第一组功率参数在该等离子体室内形成等离子体。该方法还可以包括测量以该第一组功率参数耦合到该等离子体的功率。而且，该方法可以包括以第二组功率参数向该等离子体室供应功率。该方法可以另外包括测量以到该等离子体的该第二组功率参数耦合到该等离子体的功率。该方法还可以包括至少部分地基于对以该第二组功率参数耦合的功率的测量来调整该第一组功率参数。
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公开(公告)号：CN102473629B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201080035809.8
申请日：2010-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 本发明涉及通过重力引起的气体扩散分离(GIGDS)技术来控制等离子体产生。本发明可以提供一种使用由重力引起的气体扩散分离技术而引起的等离子体分离来处理衬底的设备和方法。通过增加或使用包括具有不同重力(即，气体成分的分子量与基准分子重之间的比例)的惰性和处理气体的气体，可以形成双区或多区等离子体，其中，一种气体可以被高度限制到等离子体产生区域附近并且另一种气体可以由于相异重力引起的扩散而从上述气体极大地分离，并且被限制到相比于上述气体更加接近晶片处理区域。
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公开(公告)号：CN102473629A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080035809.8
申请日：2010-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 本发明涉及通过重力引起的气体扩散分离(GIGDS)技术来控制等离子体产生。本发明可以提供一种使用由重力引起的气体扩散分离技术而引起的等离子体分离来处理衬底的设备和方法。通过增加或使用包括具有不同重力(即，气体成分的分子量与基准分子重之间的比例)的惰性和处理气体的气体，可以形成双区或多区等离子体，其中，一种气体可以被高度限制到等离子体产生区域附近并且另一种气体可以由于相异重力引起的扩散而从上述气体极大地分离，并且被限制到相比于上述气体更加接近晶片处理区域。
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公开(公告)号：CN101308775B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810093274.4
申请日：2008-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01J37/3244
Abstract: 本发明描述了一种通过室部件引入处理流体的方法和系统。该室部件包括室元件，所述室元件包括处于所述室元件的供应侧的第一表面和处于所述室元件的处理侧的第二表面，所述处理侧与所述供应侧相反。此外，所述室部件包括螺旋通道，所述螺旋通道穿过所述室元件从所述供应侧延伸到所述处理侧，所述螺旋通道包括构造来接收处理流体的入口和构造来分配所述处理流体的出口。
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