测量装置、基片处理系统和测量方法

    公开(公告)号:CN113340337A

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN202110200735.9

    申请日:2021-02-23

    Abstract: 本发明提供一种能够对图案形状长期地高精度地进行测量的技术。本发明的一个方式的测量装置包括输送部、拍摄部、摄像机高度测量部、温度检测部和控制部。输送部输送形成有图案的基片。拍摄部配置在输送部的上方,拍摄载置于输送部的基片的图案。摄像机高度测量部配置在拍摄部的附近,测量从形成有图案基片的图案面起至拍摄部的透镜为止的高度。温度检测部检测拍摄部周边的多个部位的温度。控制部控制各部。此外,控制部基于由温度检测部检测的拍摄部周边的多个部位的温度,校正由摄像机高度测量部测量的从基片的图案面起至拍摄部的透镜为止的高度。

    基板处理装置和基板载置方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118507416A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410172970.3

    申请日:2024-02-07

    Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板载置方法,能够改善基板的应力的分布来适当地保持基板。基板处理装置具备保持部,该保持部在吸附基板的吸附面具有圆状的中央区域和配置于中央区域的外侧的圆环状的外侧区域。另外,基板处理装置具备:吸附压力产生部,其使中央区域和沿着外侧区域的周向对该外侧区域进行分割得到的多个分区的各个分区独立地产生吸附压力;以及变形部,其使保持部的中央区域相对于该保持部的外缘移位。基板处理装置的控制部对以下工序进行控制:工序(A),基于基板的翘曲状态至少使外侧区域的多个分区的一部分分区产生吸附压力来使基板吸附于吸附面;以及工序(B),在工序(A)之后,一边继续进行工序(A),一边使吸附面变形。

    辅助曝光装置、曝光方法和存储介质

    公开(公告)号:CN116400569A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202211695442.3

    申请日:2022-12-28

    Inventor: 藤原慎 西山淳

    Abstract: 本发明提供使被处理基片的各产品区域周边的曝光分辨率提高的辅助曝光装置、曝光方法和存储介质。辅助曝光装置包括输送部、光源单元和聚光透镜。输送部在第一方向上输送包含多个产品区域和位于各产品区域的周边的周边区域的被处理基片。光源单元在与第一方向交叉的第二方向上排列地形成有多个光源,向在第一方向上被输送的被处理基片照射光。聚光透镜配置在光源单元与被处理基片之间,将利用光源单元向被处理基片的在第二方向上延伸的周边区域照射的光沿着第一方向聚光。

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