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公开(公告)号：CN118763017A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410689730.0
申请日：2019-08-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 小滨范史
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种接合装置的参数调整方法和接合装置。基于本公开的接合装置的参数调整方法包括获取工序和参数变更工序。在获取工序中，从检查重合基板的检查装置获取表示重合基板产生的变形的方向和程度的检查结果，所述重合基板是通过利用接合装置将第一基板和第二基板进行接合而形成的。在参数变更工序中，基于针对多个参数中的每一个参数的、表示变更了该参数的情况下的变形的方向和程度的变化倾向的趋势信息以及在获取工序中获取到的检查结果来变更多个参数中的至少一个参数，所述多个参数包括间隙、第一保持部对第一基板的吸附压力、第二保持部对第二基板的吸附压力以及撞针对第一基板的按压力中的至少一方。
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公开(公告)号：CN118507416A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410172970.3
申请日：2024-02-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明提供基板处理装置和基板载置方法，能够改善基板的应力的分布来适当地保持基板。基板处理装置具备保持部，该保持部在吸附基板的吸附面具有圆状的中央区域和配置于中央区域的外侧的圆环状的外侧区域。另外，基板处理装置具备：吸附压力产生部，其使中央区域和沿着外侧区域的周向对该外侧区域进行分割得到的多个分区的各个分区独立地产生吸附压力；以及变形部，其使保持部的中央区域相对于该保持部的外缘移位。基板处理装置的控制部对以下工序进行控制：工序(A)，基于基板的翘曲状态至少使外侧区域的多个分区的一部分分区产生吸附压力来使基板吸附于吸附面；以及工序(B)，在工序(A)之后，一边继续进行工序(A)，一边使吸附面变形。
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公开(公告)号：CN108807193B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201810410271.2
申请日：2018-05-02
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/50
摘要： 本发明涉及接合装置以及接合方法。目的是减少在接合后的基板所产生的局部变形。实施方式所涉及的接合装置具备第一保持部、第二保持部、冲击器、移动部以及温度调节部。第一保持部从上方吸附保持第一基板。第二保持部从下方吸附保持第二基板。冲击器从上方按压第一基板的中心部使得第一基板的中心部与第二基板接触。移动部使第二保持部在同第一保持部不相向的非相向位置与同第一保持部相向的相向位置之间移动。温度调节部与被配置于非相向位置的第二保持部相向，温度调节部对被第二保持部吸附保持的第二基板的温度进行局部调节。
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公开(公告)号：CN108807193A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810410271.2
申请日：2018-05-02
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L21/67098 , H01L21/67092 , H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/67259 , H01L21/683 , H01L21/6838 , H01L24/74 , H01L24/80
摘要： 本发明涉及接合装置以及接合方法。目的是减少在接合后的基板所产生的局部变形。实施方式所涉及的接合装置具备第一保持部、第二保持部、冲击器、移动部以及温度调节部。第一保持部从上方吸附保持第一基板。第二保持部从下方吸附保持第二基板。冲击器从上方按压第一基板的中心部使得第一基板的中心部与第二基板接触。移动部使第二保持部在同第一保持部不相向的非相向位置与同第一保持部相向的相向位置之间移动。温度调节部与被配置于非相向位置的第二保持部相向，温度调节部对被第二保持部吸附保持的第二基板的温度进行局部调节。
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公开(公告)号：CN118658825A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410610815.5
申请日：2019-01-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 提供一种接合装置和接合方法，该接合装置具备：保持部，其在用于吸附基板的吸附面具有：外侧吸附部，其对所述基板的外周部进行吸附；以及内侧吸附部，其对所述基板的比所述外侧吸附部靠径向内侧的部分进行吸附；相对保持部，其与所述保持部相对配置，对所述基板以外的与所述基板接合的其他基板进行保持；移动部，其使所述外侧吸附部相对于所述内侧吸附部进行相对于吸附面的垂直方向上的移动；以及控制部，其控制所述外侧吸附部相对于所述内侧吸附部的移动，从而控制在吸附于所述吸附面的所述基板产生的应变。
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公开(公告)号：CN112602168B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201980054018.0
申请日：2019-08-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 小滨范史
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
摘要： 基于本公开的接合装置(41)的参数调整方法包括获取工序和参数变更工序。在获取工序中，从检查重合基板(T)的检查装置(31)获取表示重合基板(T)产生的变形的方向和程度的检查结果，所述重合基板(T)是通过利用接合装置(41)将第一基板(W1)和第二基板(W2)进行接合而形成的。在参数变更工序中，基于针对多个参数中的每一个参数的、表示变更了该参数的情况下的变形的方向和程度的变化倾向的趋势信息以及在获取工序中获取到的检查结果来变更多个参数中的至少一个参数，所述多个参数包括间隙、第一保持部(140)对第一基板(W1)的吸附压力、第二保持部(141)对第二基板(W2)的吸附压力以及撞针(190)对第一基板(W1)的按压力中的至少一方。
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公开(公告)号：CN112236842A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201980038078.3
申请日：2019-05-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , B23K26/53 , H01L21/027 , H01L21/268 , H01L21/304
摘要： 处理基板的基板处理方法具有：改性工序，使用激光在至少所述基板的背面表层或所述基板的内部形成改性层；和表面处理工序，其在所述改性工序之后，在保持着所述基板的背面的状态下处理该基板的表面。改性装置具有向至少所述基板的背面表层或所述基板的内部照射激光而形成改性层的激光照射部。
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公开(公告)号：CN111615739A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201980008852.6
申请日：2019-01-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
摘要： 一种基板处理装置，该基板处理装置具备：保持部，其在用于吸附基板的吸附面具有：外侧吸附部，其对所述基板的外周部进行吸附；以及内侧吸附部，其对所述基板的比所述外侧吸附部靠径向内侧的部分进行吸附；移动部，其使所述外侧吸附部相对于所述内侧吸附部进行移动；以及控制部，其控制所述外侧吸附部相对于所述内侧吸附部的移动，从而控制在吸附于所述吸附面的所述基板产生的应变。
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公开(公告)号：CN118507415A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410172965.2
申请日：2024-02-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本公开提供一种基板处理装置和基板载置方法，能够改善基板的残余应力的分布来适当地保持基板。基板处理装置具备保持部，该保持部的用于吸附基板的吸附面具有圆状的中央区域、以及配置在比中央区域靠外侧的位置的圆环状的外侧区域。保持部具有：第一吸附压力产生部，其用于在中央区域产生使基板吸附于保持部的吸附压力；以及第二吸附压力产生部，其用于在外侧区域产生使基板吸附于保持部的吸附压力。另外，保持部具有外力施加部，该外力施加部用于在外侧区域对基板施加使该基板远离保持部的方向的外力。
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公开(公告)号：CN112236842B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201980038078.3
申请日：2019-05-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , B23K26/53 , H01L21/027 , H01L21/268 , H01L21/304
摘要： 处理基板的基板处理方法具有：改性工序，使用激光在至少所述基板的背面表层或所述基板的内部形成改性层；和表面处理工序，其在所述改性工序之后，在保持着所述基板的背面的状态下处理该基板的表面。改性装置具有向至少所述基板的背面表层或所述基板的内部照射激光而形成改性层的激光照射部。
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