半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100442446C

    公开(公告)日:2008-12-10

    申请号:CN200580000775.8

    申请日:2005-02-28

    Abstract: 基板(51)被形成为具有四条沿切片线的边的矩形形状,堤部(56)被形成为包围执行元件(50)和输入输出用的电极垫片(54)、(55)的整个周围。堤部(56)是具有四条边的矩形形状,且各条边分别平行于基板(51)的各边并连续延伸。由于通过堤部(56)可提高保护胶带(9)的粘着性,所以可阻止切片时产生的异物104附着在执行元件(50)和电极垫片(54)、(55)上。

    半导体装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1839467A

    公开(公告)日:2006-09-27

    申请号:CN200580000775.8

    申请日:2005-02-28

    Abstract: 基板(51)被形成为具有四条沿切片线的边的矩形形状,堤部(56)被形成为包围执行元件(50)和输入输出用的电极垫片(54)、(55)的整个周围。堤部(56)是具有四条边的矩形形状,且各条边分别平行于基板(51)的各边并连续延伸。由于通过堤部(56)可提高保护胶带(9)的粘着性,所以可阻止切片时产生的异物104附着在执行元件(50)和电极垫片(54)、(55)上。

    判定多能干细胞的未分化状态的方法、多能干细胞的传代培养方法及这些方法中使用的装置

    公开(公告)号:CN110997928B

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN201880051469.4

    申请日:2018-08-08

    Abstract: 本发明提供一种判定多能干细胞的未分化状态的方法,其包含向培养多能干细胞的受试培养用培养基照射波长190nm~2500nm的范围或其一部分范围的波长光,检测其反射光、透射光或透射反射光,得到吸光度光谱数据,通过基于使用在多能干细胞的培养中使用的多种对照培养用培养基预先制作的分析模型,对所述吸光度光谱数据中的测定全波长或其一部分范围的吸光度进行分析,判定多能干细胞的未分化状态;其中,所述多种对照培养用培养基含有用于维持多能干细胞的未分化状态的培养基,和选自由向外胚层系细胞分化诱导的分化诱导培养基、向中胚层系细胞分化诱导的分化诱导培养基以及向内胚层系细胞分化诱导的分化诱导培养基组成的组中的一种以上的分化诱导培养基。

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