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公开(公告)号：CN100454481C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200510128592.6
申请日：2005-11-29
Applicant: 东京応化工业株式会社 , E.T.系统工程株式会社
Abstract: 本发明提供一种可将夹在半导体晶片等基板与支承板之间的气体容易地除去而进行压接的粘贴装置。减压腔室(50)经由配管(51)与抽真空装置相连，在一侧面上形成有输入·输出用的开口(52)，开口(52)由闸门(53)开闭。利用压力缸组件(54)使闸门(53)升降移动，在上升的位置上通过用推动器(55)从侧面进行按压，使设置于闸门(53)的内侧面的密封件紧密抵接到开口(52)的周围，使腔室(50)内保持气密。通过使推动器(55)后退并使闸门(53)下降而打开开口(52)，在该状态下使用输送装置将晶片(W)与支承板(2)的层叠体输入输出。在腔室(50)内配置有压接层叠体的保持台(56)与按压板(57)。
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公开(公告)号：CN1801457A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510128592.6
申请日：2005-11-29
Applicant: 东京応化工业株式会社 , E.T.系统工程株式会社
Abstract: 本发明提供一种可将夹在半导体晶片等基板与支承板之间的气体容易地除去而进行压接的粘贴装置。减压腔室(50)经由配管(51)与抽真空装置相连，在一侧面上形成有输入·输出用的开口(52)，开口(52)由闸门(53)开闭。利用压力缸组件(54)使闸门(53)升降移动，在上升的位置上通过用推动器(55)从侧面进行按压，使设置于闸门(53)的内侧面的密封件紧密抵接到开口(52)的周围，使腔室(50)内保持气密。通过使推动器(55)后退并使闸门(53)下降而打开开口(52)，在该状态下使用输送装置将晶片(W)与支承板(2)的层叠体输入输出。在腔室(50)内配置有压接层叠体的保持台(56)与按压板(57)。
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公开(公告)号：CN1815688A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510136387.4
申请日：2005-11-29
Applicant: 东京応化工业株式会社
Abstract: 提供一种可以一边容易除去夹在半导体晶片等基片和支承板之间的气体一边压接的粘贴方法。在半导体晶片等基片(W)的电路形成面上涂敷粘接剂，在电路形成面上形成粘接剂层(1)，接着加热粘接剂层(1)使其干燥固化，然后在上述粘接剂层(1)上重叠在板的整个区域上设置有厚度方向贯通孔(3)的支承板(2)，在该状态下，在减压气氛且加热的条件下在粘接剂层(1)上按压支承板(2)进行压接。
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公开(公告)号：CN100530527C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510136387.4
申请日：2005-11-29
Applicant: 东京応化工业株式会社
Abstract: 提供一种可以一边容易除去夹在半导体晶片等基片和支承板之间的气体一边压接的粘贴方法。在半导体晶片等基片(W)的电路形成面上涂敷粘接剂，在电路形成面上形成粘接剂层(1)，接着加热粘接剂层(1)使其干燥固化，然后在上述粘接剂层(1)上重叠在板的整个区域上设置有厚度方向贯通孔(3)的支承板(2)，在该状态下，在减压气氛且加热的条件下在粘接剂层(1)上按压支承板(2)进行压接。
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公开(公告)号：CN100474550C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410082279.9
申请日：2004-12-01
Applicant: 东京応化工业株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T428/28
Abstract: 本发明的课题在于提供：在对半导体晶片等基板薄板化时，难以产生基板的裂纹或缺口的基板粘附方法。解决课题的方法为：在半导体晶片W的电路(元件)形成面涂敷粘合剂液，预干燥该粘合剂液以降低流动性，可以维持粘合剂层1的形状。使用烤箱预干燥例如在80℃下加热5分钟。粘合剂层1的厚度由在半导体晶片W的表面形成的电路的凹凸来决定。然后，在形成规定厚度的粘合剂层1的半导体晶片W上粘附支承板2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1655337A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200410082279.9
申请日：2004-12-01
Applicant: 东京応化工业株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T428/28
Abstract: 本发明的课题在于提供：在对半导体晶片等基板薄板化时，难以产生基板的裂纹或缺口的基板粘附方法。解决课题的方法为：在半导体晶片W的电路(元件)形成面涂敷粘合剂液，预干燥该粘合剂液以降低流动性，可以维持粘合剂层1的形状。使用烤箱预干燥例如在80℃下加热5分钟。粘合剂层1的厚度由在半导体晶片W的表面形成的电路的凹凸来决定。然后，在形成规定厚度的粘合剂层1的半导体晶片W上粘附支承板2。
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公开(公告)号：CN1428658A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02160473.8
申请日：2002-12-27
Applicant: 东京応化工业株式会社
IPC: G03F7/30 , H01L21/027
Abstract: 一种可缩短厚膜抗蚀剂的显影时间，而且可对大型被处理物进行显影的紧凑的显影装置及显影方法。本发明的显影装置是通过热交换器一边对从显影液供给罐供给的显影液进行温度调节、一边将其供给到显影槽的显影装置，将被处理物纵向保持在上述显影槽内，进行单张处理，并且，边使经过温度调节的显影液在显影装置内循环、边进行显影处理。
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公开(公告)号：CN100375262C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410082083.X
申请日：2004-12-01
Applicant: 东京応化工业株式会社
Inventor： 宫成淳
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , Y10S156/93 , Y10T156/11 , Y10T156/1111 , Y10T156/1116 , Y10T156/1147 , Y10T156/1911 , Y10T156/1928
Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体晶片等基板被薄板化之后，能够在短时间内向粘合支承板与基板的粘合层中供给溶剂的支承板，以及使用了该支承板的剥离方法。解决上述问题的方法为，使支承板2的直径比半导体晶片W的更大，形成有贯通孔3，并且外缘部分为未形成贯通孔的平坦部4。当从该支承板2上方注入作为溶剂的醇时，醇穿过支承板2的贯通孔3到达粘合剂层1将粘合剂层1溶解除去。
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公开(公告)号：CN1262889C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN02160473.8
申请日：2002-12-27
Applicant: 东京応化工业株式会社
IPC: G03F7/30 , H01L21/027
Abstract: 一种可缩短厚膜抗蚀剂的显影时间，而且可对大型被处理物进行显影的紧凑的显影装置及显影方法。本发明的显影装置是通过热交换器一边对从显影液供给罐供给的显影液进行温度调节、一边将其供给到显影槽的显影装置，将被处理物纵向保持在上述显影槽内，进行单张处理，并且，边使经过温度调节的显影液在显影装置内循环、边进行显影处理。
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公开(公告)号：CN1645591A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410082083.X
申请日：2004-12-01
Applicant: 东京応化工业株式会社
Inventor： 宫成淳
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , Y10S156/93 , Y10T156/11 , Y10T156/1111 , Y10T156/1116 , Y10T156/1147 , Y10T156/1911 , Y10T156/1928
Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体晶片等基板被薄板化之后，能够在短时间内向粘合支承板与基板的粘合层中供给溶剂的支承板，以及使用了该支承板的剥离方法。解决上述问题的方法为，使支承板2的直径比半导体晶片W的更大，形成有贯通孔3，并且外缘部分为未形成贯通孔的平坦部4。当从该支承板2上方注入作为溶剂的醇时，醇穿过支承板2的贯通孔3到达粘合剂层1将粘合剂层1溶解除去。
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