公开(公告)号：CN100474550C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200410082279.9

申请日：2004-12-01

Applicant: 东京応化工业株式会社

Inventor： 宫成淳 ,  土井宏介 ,  宫城贤 ,  稻尾吉浩 ,  三隅浩一

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T428/28

Abstract: 本发明的课题在于提供：在对半导体晶片等基板薄板化时，难以产生基板的裂纹或缺口的基板粘附方法。解决课题的方法为：在半导体晶片W的电路(元件)形成面涂敷粘合剂液，预干燥该粘合剂液以降低流动性，可以维持粘合剂层1的形状。使用烤箱预干燥例如在80℃下加热5分钟。粘合剂层1的厚度由在半导体晶片W的表面形成的电路的凹凸来决定。然后，在形成规定厚度的粘合剂层1的半导体晶片W上粘附支承板2。

公开(公告)号：CN1655337A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200410082279.9

申请日：2004-12-01

Applicant: 东京応化工业株式会社

Inventor： 宫成淳 ,  土井宏介 ,  宫城贤 ,  稻尾吉浩 ,  三隅浩一

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T428/28

Abstract: 本发明的课题在于提供：在对半导体晶片等基板薄板化时，难以产生基板的裂纹或缺口的基板粘附方法。解决课题的方法为：在半导体晶片W的电路(元件)形成面涂敷粘合剂液，预干燥该粘合剂液以降低流动性，可以维持粘合剂层1的形状。使用烤箱预干燥例如在80℃下加热5分钟。粘合剂层1的厚度由在半导体晶片W的表面形成的电路的凹凸来决定。然后，在形成规定厚度的粘合剂层1的半导体晶片W上粘附支承板2。