-
公开(公告)号：CN118685855A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410720245.5
申请日：2024-06-04
申请人： 上海积塔半导体有限公司
IPC分类号： C30B25/12 , C30B29/06 , H01L21/687
摘要： 本发明涉及一种外延膜层的生长方法及外延膜层的生长装置。所述外延膜层的生长装置包括：反应腔室；基座，位于所述反应腔室内，所述基座包括本体部和覆盖层，所述本体部包括相对分布的第一表面和第二表面，所述本体部的所述第一表面用于承载晶圆，所述覆盖层覆盖于所述本体部的所述第二表面上，所述覆盖层用于增大所述晶圆与所述基座之间的成膜选择比。本发明确保了所述晶圆表面生长的外延膜层厚度的准确性与均匀性，并有助于提高外延膜层的质量，且实现了外延生长工艺的简化。
-
公开(公告)号：CN117558607A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311443732.3
申请日：2023-11-01
申请人： 上海积塔半导体有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
摘要： 本发明提供了一种晶圆刻蚀装置及其刻蚀方法。所述装置包括传送机构以及至少一组第一、第二腔室；第一腔室用于采用表面吸附反应方式对置于其中的晶圆执行表面修饰工艺，以使所述晶圆表面吸附生成表面生成物；第二腔室独立于第一腔室设置，第二腔室用于采用分解升华方式对表面修饰工艺完成后的晶圆执行表面生成物去除工艺，将所述表面生成物分解升华，以完成对所述晶圆的刻蚀；传送机构分别与第一、第二腔室连接，能够将置于第一腔室内的晶圆送入到第二腔室，以及能够取出置于第二腔室内的晶圆。本发明节省了工艺步骤间转换所花费的时间，避免步骤间残余产物相互污染风险，可精确控制刻蚀厚度，可避免等离子体轰击损伤，能够提高器件良率。
-
公开(公告)号：CN118712123A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411053825.X
申请日：2024-08-01
申请人： 上海积塔半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/3065
摘要： 本申请涉及一种深沟槽的形成方法及半导体结构；该深沟槽的形成方法包括：提供目标层；刻蚀目标层，于目标层中形成初始沟槽；初始沟槽的槽深的取值范围包括目标槽深的三分之一至二分之一；形成至少覆盖初始沟槽的内侧壁顶部的刻蚀保护层；基于覆盖有刻蚀保护层的初始沟槽，对目标层进行二次刻蚀，形成深沟槽；深沟槽的槽深为目标槽深。本申请能够有效避免过刻问题，以提高对深沟槽的关键尺寸的可控性，从而有利于提升产品良率。
-
公开(公告)号：CN117810133A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410008443.9
申请日：2024-01-03
申请人： 上海积塔半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3105 , H01L21/02
摘要： 本发明涉及一种光固化工艺的监测方法及光固化装置。所述光固化工艺的监测方法包括如下步骤：提供基底；形成前驱层和介电材料层于所述基底上，所述前驱层在固化光源照射下能够产生监测物；采用所述固化光源照射所述前驱层和所述介电材料层，并监测所述监测物的浓度是否达到第一预设值，若是，则停止采用所述固化光源照射所述介电材料层，形成介电层。本发明确保了所述介电层的介电常数的稳定性，降低了光固化工艺的成本，并提高了光固化工艺的开发效率。
-
公开(公告)号：CN118712056A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410843413.X
申请日：2024-06-26
申请人： 上海积塔半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/3115 , H01L21/3105 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/78
摘要： 本发明提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供一半导体基底，半导体基底具有相互隔离的第一区域和第二区域，第一区域形成有电子型金属氧化物半导体场效应晶体管器件，第二区域形成有空穴型金属氧化物半导体场效应晶体管器件；形成连续分布的应力诱导层，应力诱导层包括覆盖电子型金属氧化物半导体场效应晶体管器件表面的第一子应力诱导层和覆盖空穴型金属氧化物半导体场效应晶体管器件表面的第二子应力诱导层；对第二子应力诱导层进行离子注入；进行紫外光照射，在第一子应力诱导层中形成具有拉应力的离子键，在第二子应力诱导层中形成具有压应力的离子键。上述技术方案同时提升NMOS和PMOS的沟道迁移率。
-
公开(公告)号：CN118559602A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410783014.9
申请日：2024-06-17
申请人： 上海积塔半导体有限公司
摘要： 本申请提供了一种研磨垫、研磨设备及研磨方法。该研磨垫的工作表面上设有凸出工作表面的研磨颗粒；研磨垫的工作表面至少包括第一区域以及与第一区域相邻的第二区域；其中，研磨颗粒在第一区域和第二区域具有不同的粒度分布。该研磨垫可以减少研磨耗时，简化工艺步骤，有效提升研磨效率和产品良率。
-
公开(公告)号：CN116864445A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310850629.4
申请日：2023-07-11
申请人： 上海积塔半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/3105
摘要： 本申请提供了一种沟槽隔离结构的形成方法。所述方法包括如下步骤：沟槽刻蚀步骤，隔离材料沉积步骤，隔离层刻蚀步骤，溅射步骤；重复所述隔离材料沉积步骤、所述隔离层刻蚀步骤以及溅射步骤，直至在所述沟槽内填满隔离材料，且所述拐角处的隔离层的平坦度满足预设平坦阈值；以及平坦化步骤。本申请通过改善沟槽填充工艺，采用沉积加刻蚀加溅射模式，在保证较大深宽比的填充能力的基础上，有效改善沟槽拐角处隔离层的平坦度，改善膜层表面均匀性，降低后续化学机械研磨工艺风险和挑战，提高产品竞争力。
-
公开(公告)号：CN116864444A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310848400.7
申请日：2023-07-11
申请人： 上海积塔半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/3105
摘要： 本申请提供了一种沟槽隔离结构的形成方法。所述方法包括如下步骤：沟槽刻蚀步骤；沟槽填充步骤，于所述基底表面以及所述沟槽内沉积隔离材料形成隔离层，并通入溅射气体，对所述沟槽靠近所述预设掩模版的拐角处的隔离层进行轰击，以使得所述拐角处的隔离层的平坦度满足预设平坦阈值；以及平坦化步骤。本申请沟槽填充采用沉积加溅射模式，在保证沟槽填充能力的基础上，有效改善膜层表面均匀性；且通过采用通入过量氧气，以使部分氧气作为溅射气体的方式，可以减小对基底的轰击损害、降低气体管道的维护成本、减少设备耗材成本、降低产品成本、提高产品竞争力。
-
公开(公告)号：CN118866814A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411035966.9
申请日：2024-07-30
申请人： 上海积塔半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528
摘要： 本公开涉及一种顶层金属的制备方法、顶层金属及电子设备，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：提供基底，于基底上形成沿平行于基底的第一方向间隔排布的多个沟槽；形成至少覆盖基底的顶面及多个沟槽的内表面的粘附阻挡层；于多个沟槽外的粘附阻挡层上形成抑制成核层；形成覆盖抑制成核层的裸露外表面并填充多个沟槽的金属材料层；自对准并去除凹槽正下方的金属材料层、抑制成核层、粘附阻挡层，得到沿第一方向间隔排布的多条顶层金属线，以及位于多条顶层金属线与基底之间的金属阻挡层。本公开实施例至少能够有效避免出现因顶层金属线热胀冷缩而导致晶圆弯曲程度值增加的情况。
-
公开(公告)号：CN118866807A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411036306.2
申请日：2024-07-30
申请人： 上海积塔半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L29/06
摘要： 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，方法包括：提供衬底，衬底的顶面覆盖有介质层；形成间隔排布且沿靠近衬底的方向贯穿介质层并延伸至衬底内的多个沟槽经由所述多个沟槽横向去除部分介质层，得到暴露出部分衬底顶面的多个开口；形成覆盖介质层的裸露表面、衬底的裸露顶面及多个沟槽的内表面的衬垫氧化层；在臭氧氛围下将与照射面呈预设角度的紫外光处理衬垫氧化层的裸露表面，使得位于衬底内沟槽内表面的氢悬挂键数量沿背离所述衬底的方向逐渐减少。通过表面处理来改善高深宽比浅沟槽隔离区介电质填充能力，改善电性及良率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
23 条记录 (耗时 0.028 秒)
