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公开(公告)号：CN118763026A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411024640.6
申请日：2024-07-29
Applicant: 上海科技大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明属于电子贴装技术领域，提供的一种晶圆级半导体器件贴片装置，适用于晶圆级规模、大尺寸芯片的高精度贴片，其操作流程包括开机、上料、吸料、取料、移入PCB板、粗对准、细对准、贴片和释放等步骤。通过分光棱镜和梯度显微镜联合使用，实现了大尺寸芯片模组与印刷线路板的高精度对准和贴装，确保芯片焊盘与印刷线路板焊盘之间的长程(≥10cm)、多焊盘(≥1500个)高精度对准，整体贴装精度≤10μm。同时，可根据器件贴片需要，施加一定的压力值。该设备不仅提高了操作的可重复性和可靠性，还解决了现有自动化贴片设备无法满足大尺寸芯片模组贴片需求、贴片精度低等问题。
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公开(公告)号：CN113406133B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202110659615.5
申请日：2021-06-15
Applicant: 上海科技大学
IPC: G01N23/2273
Abstract: 本发明公开了一种X射线自由电子激光单脉冲在线诊断能谱仪，其特征在于：包括真空腔体、四轴调节架、快速切换腔、制冷系统、探测机构和弯晶；所述四轴调节架包括调节机构和工作杆，所述工作杆通过真空腔体上的接口伸入真空腔体，所述弯晶设在工作杆的末端，通过所述调节机构调节弯晶在真空腔体内的方位，使得弯晶的中心与入射光接口和出射光接口位于同一条直线上；所述快速切换腔与真空腔体真空连接用于更换弯晶；所述探测机构设在真空腔体的外部，通过真空腔体上的探测窗口对X射线进行探测。本发明通过高性能晶体分光、高精度晶体四轴调节和快速在线晶体切换，实现了单脉冲X射线光子的能量分布和入射强度的实时观测。
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公开(公告)号：CN113463035A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110745685.2
申请日：2021-07-01
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本申请提供一种水平结构布局的脉冲激光沉积系统，包括：真空腔体，包括一或多个靶材及可活动载样部件；传样腔体，与所述真空腔体连通；传样杆，其包括抓取部件；所述抓取部件抓取样品后穿过所述传样腔体后进入所述真空腔体，供所述可活动载样部件活动至与所述抓取部件对准的位置后装载所述样品。本发明的水平结构布局设计，有效避免小颗粒的回落，从而提高了薄膜生长的质量；靶材的立方体布局设计，有效避免交叉污染；所有传动结构都可密封在不锈钢保护罩内，有效避免小颗粒在齿轮间的沉积；在不破坏主腔体真空的条件下，通过更换传样杆前端的抓取头便可同时实现传样操作和更换靶材操作，操作简单，有效提高工作效率；系统稳定性提高且易于维护。
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公开(公告)号：CN118678545A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410706453.X
申请日：2024-06-03
Applicant: 上海科技大学
IPC: H05K3/00
Abstract: 本发明涉及PCB定位领域，特别是一种PCB精准定位和加压装置及其使用方法。本发明的PCB精准定位装置，用于在点胶机工作平台上固定并定位PCB，包括底板、支撑件、长边固定件、短边固定件和加压件。底板和点胶机工作平台可拆卸连接，支撑件、长边固定件和短边固定件均设于底板上，PCB设于支撑件上，加压件设于PCB上。最终，本申请能够使PCB精准地被放置于点胶后的支撑件上，并且本申请能够在实现对PCB施以均匀压力以确保自然状态下弯曲的PCB能够平整的粘贴于支撑件上的同时，也强化了PCB与支撑件之间胶水的均匀性和覆盖率以确保PCB散热的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116787621A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310846554.2
申请日：2023-07-11
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明涉及X射线光学元件制备技术领域，具体涉及一种基于压力监测的弯晶制备装置及其使用方法。一种基于压力监测的弯晶制备装置，包括下壳体、若干压力传感器、支架、第一基底、第二基底、上壳体和若干压力调节部，所述下壳体内设有空腔，且所述下壳体顶部敞开，所述压力传感器设于所述空腔内，所述支架设于所述传感器远离所述下壳体底部的一侧，所述第一基底、第二基底和上壳体沿着远离所述下壳体的方向依次设于所述支架上，所述上壳体和所述下壳体通过所述压力调节部相连。本发明可以解决弯晶制备过程中，压力大小及压力分布的均匀性无法精确测量和控制的问题。
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公开(公告)号：CN115711896A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110968069.3
申请日：2021-08-23
Applicant: 上海科技大学
IPC: G01N23/085
Abstract: 本发明的基于优化采集时间的X射线吸收谱数据处理系统、方法及终端，通过引入时间控制系统控制强度探测器在每个能量点下的信号采集时间，根据XAFS数据不同能量点探测强度的需要，程序控制采集时间，并将时间信号反馈给信号处理系统，做最终的吸收谱数据归一化处理，将大大提高XAFS数据采集效率；并且在吸收谱信号采集效率的提升的同时也降低了X射线吸收谱实验对入射光强度的需求，使得在实验室使用低通量X射线光源也可以实现吸收谱测量，还降低了实验成本，扩大了X射线吸收谱实验的应用场景。本发明还可以在吸收边附近适当降低采集时间，而在远边处提高采谱需要的时间以增大探测器计数，并通过优化采集时间函数可以进一步提高XAFS数据的信噪比。
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公开(公告)号：CN113406133A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110659615.5
申请日：2021-06-15
Applicant: 上海科技大学
IPC: G01N23/2273
Abstract: 本发明公开了一种X射线自由电子激光单脉冲在线诊断能谱仪，其特征在于：包括真空腔体、四轴调节架、快速切换腔、制冷系统、探测机构和弯晶；所述四轴调节架包括调节机构和工作杆，所述工作杆通过真空腔体上的接口伸入真空腔体，所述弯晶设在工作杆的末端，通过所述调节机构调节弯晶在真空腔体内的方位，使得弯晶的中心与入射光接口和出射光接口位于同一条直线上；所述快速切换腔与真空腔体真空连接用于更换弯晶；所述探测机构设在真空腔体的外部，通过真空腔体上的探测窗口对X射线进行探测。本发明通过高性能晶体分光、高精度晶体四轴调节和快速在线晶体切换，实现了单脉冲X射线光子的能量分布和入射强度的实时观测。
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公开(公告)号：CN112201383A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010825515.0
申请日：2020-08-17
Applicant: 上海科技大学
IPC: G21K1/06
Abstract: 本发明公开了一种真空压弯式弯晶，其特征在于：包括壳体，所述壳体上设有X射线入射口，从X射线入射口到壳体内部沿X射线入射方向依次设置X射线透射膜、单晶晶片和曲面基底，所述X射线透射膜、壳体的侧壁和底面形成密封腔体，所述密封腔体上设有用于抽真空的排气口，进行晶体压弯时，密封腔体内产生负压，大气压将X射线透射膜柔性地贴合在单晶晶片和曲面基底上。本发明采用真空压弯的方式，各种单晶晶片均可进行压弯，极大地扩展了弯晶的材料选择；利用大气压对单晶晶片和曲面基底柔性地施加应力，受力均匀，结构稳定；可以直接将单晶晶片和曲面基底贴合，复制曲面基底的面形，保持较高的面形精度；同一块单晶晶片可以搭配不同面形的曲面基底，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN112083023A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010830756.4
申请日：2020-08-18
Applicant: 上海科技大学
IPC: G01N23/223
Abstract: 本发明提供了一种高性能紧凑型X射线吸收光谱仪，其特征在于，包括环形导轨，环形导轨上设有三个滑动模块，三个滑动模块分别设有各自独立的驱动机构，由每个驱动机构驱动相应的滑动模块沿环形导轨在周向上滑动；三个滑动模块上分别设有光源、弯晶分析器、探测器。与现有技术相比，本发明具有高光子收集效率；高机械稳定性；紧凑的运动扫描装置；灵活的采集模式。
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