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公开(公告)号：CN111193090B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010013247.2
申请日：2020-01-07
Applicant: 上海科技大学
Inventor： 杨瑾屏
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明涉及一种带有隔离阻带的+/‑45°相移双频带通响应集总元件功分器及其设计方法。本发明提供的功分器的三个端口都具有良好的端口阻抗匹配，而信号输出端口一和信号输出端口二具有相等的幅度和相位并且相互隔离。在低频频带中心工作频率处该功分器的输出端口与输入端口的相位差为45°，在高频频带中心工作频率处该功分器的输出端口与输入端口的相位差为‑45°，这一点与经典双频威尔金森功分器(±90°)显著不同。进一步，在本发明提出新型威尔金森功分器两个工作频带中间，还具有一个宽频阻带，可以有效的抑制谐杂波信号的传输。此外，本电路发明还具有只需要共9个元件，以及更宽的工作带宽等独特优点。
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公开(公告)号：CN113299819A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110560045.4
申请日：2021-05-21
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明涉及超导电子学技术领域，特别是涉及一种超导转变边探测器及其制备方法。本发明所提供的制备方法，先后在衬底上制备截止层、薄膜层、超导材料层、常态金属条和/或常态金属点、热沉件、吸收体等部件。本发明中，为缓解超导转变边沿出现扭折线的难题，在TES探测器超导薄膜上方生长常态金属条并适当增加一些常态金属点，同时为了降低制备探测器时的复杂度和解决超导体失超的问题，采用将吸收体与超导材料层(超导薄膜)直接接触的方式，并在制备超导薄膜时增加钼薄膜厚度，通过超导材料层的两个子层和吸收体三层薄膜来调控探测器的超导转变温度。
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公开(公告)号：CN112886159A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110041854.4
申请日：2021-01-13
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明涉及一种宽带硅基金属波导矩‑圆模式变换器。所述模式变换器采用三段式结构，同时实现矩形TE01模到圆形TE11之间的电磁场波形变换和阻抗匹配。该模式变换器总长度小于四分之一波长，是目前已知长度最小的矩‑圆模式变换器结构之一。该模式变换器具有99％能量转化效率的工作带宽为28％，对高次模的抑制度大于115dBc。
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公开(公告)号：CN112881469B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202110041962.1
申请日：2021-01-13
Applicant: 上海科技大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明提出一种通过测量金属波导直流电阻低频噪声的方式检验硅基太赫兹金属波导工艺可靠性的测试装置和测试方法。所述测试装置采用四线法直流电阻测量原理，其电路主要由直流电源，限流电阻，硅基太赫兹金属波导，前置放大器，模拟数字变换器(ADC)组成。本发明通过制备分别包含溅射、刻蚀和共晶键合工艺步骤的硅基金属波导结构模板，并对测得的低频噪声进行功率谱密度归一化和噪声参数的曲线拟合。实现了对硅基太赫兹波导结构的低频背景噪声，薄膜
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公开(公告)号：CN113299819B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110560045.4
申请日：2021-05-21
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明涉及超导电子学技术领域，特别是涉及一种超导转变边探测器及其制备方法。本发明所提供的制备方法，先后在衬底上制备截止层、薄膜层、超导材料层、常态金属条和/或常态金属点、热沉件、吸收体等部件。本发明中，为缓解超导转变边沿出现扭折线的难题，在TES探测器超导薄膜上方生长常态金属条并适当增加一些常态金属点，同时为了降低制备探测器时的复杂度和解决超导体失超的问题，采用将吸收体与超导材料层(超导薄膜)直接接触的方式，并在制备超导薄膜时增加钼薄膜厚度，通过超导材料层的两个子层和吸收体三层薄膜来调控探测器的超导转变温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111193089B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010013119.8
申请日：2020-01-07
Applicant: 上海科技大学
Inventor： 杨瑾屏
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明涉及一种具有一个可控传输零点的+45°相移集总元件功分器及其设计方法。本发明基于±45°集总元件功分器提出了四种新的功分器。该功分器的三个端口都具有良好的端口阻抗匹配，而信号输出端口一和信号输出端口二具有相等的幅度和相位并且相互隔离。在中心工作频率处该功分器的输出端口与信号输入端口的相位差为45°(或‑45°)，这一点与经典威尔金森功分器(90°)显著不同。进一步，本发明提出的功分器可以在指定频率产生一个传输零点，能够有效滤除谐波或者是强的杂散信号。
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公开(公告)号：CN112881469A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110041962.1
申请日：2021-01-13
Applicant: 上海科技大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明提出一种通过测量金属波导直流电阻低频噪声的方式检验硅基太赫兹金属波导工艺可靠性的测试装置和测试方法。所述测试装置采用四线法直流电阻测量原理，其电路主要由直流电源，限流电阻，硅基太赫兹金属波导，前置放大器，模拟数字变换器(ADC)组成。本发明通过制备分别包含溅射、刻蚀和共晶键合工艺步骤的硅基金属波导结构模板，并对测得的低频噪声进行功率谱密度归一化和噪声参数的曲线拟合。实现了对硅基太赫兹波导结构的低频背景噪声，薄膜溅射工艺低频噪声，深硅刻蚀工艺低频噪声，共晶键合工艺低频噪声进行定量分析。
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公开(公告)号：CN112125277B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202011076966.5
申请日：2020-10-10
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于超导探测器玻璃窗的制备工艺，其特征在于，在玻璃窗晶圆的玻璃窗一侧切割出芯片边界切割槽一，并完全刻蚀芯片边界切割槽一内的硅或氮化硅及截止层；将玻璃窗晶圆的玻璃窗一侧与承载晶圆键合；在键合晶圆的硅层一侧刻蚀玻璃窗，并在对应芯片边界切割槽一的位置刻蚀出芯片边界切割槽二，露出截止层；采用氧气等离子体清洗残留的光刻胶；使用有机溶剂分离玻璃窗晶圆与承载晶圆，将含玻璃窗的芯片与玻璃窗晶圆分离。采用本发明提供的适用于宇宙微波背景辐射探测的超导探测器玻璃窗的制备方案，可将制备含探测器图形的玻璃窗的成功率提高到100％，含玻璃窗的芯片从玻璃窗晶圆上分离的成功率同样达到100％。
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公开(公告)号：CN112886175B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110041855.9
申请日：2021-01-13
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明涉及一种采用最少集总元件组成的不等功分器拓扑结构及其设计方法。该功分器仅由6个集总元件组成，是目前使用元件数量最少的不等功分器电路结构。该功分器的三个端口在中心频率处都具有良好的端口阻抗匹配性能，两个输出端口具有良好的隔离特性，以及超过10％的工作带宽。这些优异特性彰显该不等功分器将在诸多领域具有明显的应用前景。
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公开(公告)号：CN112886159B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110041854.4
申请日：2021-01-13
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明涉及一种宽带硅基金属波导矩‑圆模式变换器。所述模式变换器采用三段式结构，同时实现矩形TE01模到圆形TE11之间的电磁场波形变换和阻抗匹配。该模式变换器总长度小于四分之一波长，是目前已知长度最小的矩‑圆模式变换器结构之一。该模式变换器具有99％能量转化效率的工作带宽为28％，对高次模的抑制度大于115dBc。
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