公开(公告)号：CN112881469B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202110041962.1

申请日：2021-01-13

Applicant: 上海科技大学

Inventor： 杨瑾屏 ,  李升 ,  宋艳汝 ,  李琪 ,  朱忠博 ,  刘志

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明提出一种通过测量金属波导直流电阻低频噪声的方式检验硅基太赫兹金属波导工艺可靠性的测试装置和测试方法。所述测试装置采用四线法直流电阻测量原理，其电路主要由直流电源，限流电阻，硅基太赫兹金属波导，前置放大器，模拟数字变换器(ADC)组成。本发明通过制备分别包含溅射、刻蚀和共晶键合工艺步骤的硅基金属波导结构模板，并对测得的低频噪声进行功率谱密度归一化和噪声参数的曲线拟合。实现了对硅基太赫兹波导结构的低频背景噪声，薄膜

公开(公告)号：CN112881469A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110041962.1

申请日：2021-01-13

Applicant: 上海科技大学

Inventor： 杨瑾屏 ,  李升 ,  宋艳汝 ,  李琪 ,  朱忠博 ,  刘志

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明提出一种通过测量金属波导直流电阻低频噪声的方式检验硅基太赫兹金属波导工艺可靠性的测试装置和测试方法。所述测试装置采用四线法直流电阻测量原理，其电路主要由直流电源，限流电阻，硅基太赫兹金属波导，前置放大器，模拟数字变换器(ADC)组成。本发明通过制备分别包含溅射、刻蚀和共晶键合工艺步骤的硅基金属波导结构模板，并对测得的低频噪声进行功率谱密度归一化和噪声参数的曲线拟合。实现了对硅基太赫兹波导结构的低频背景噪声，薄膜溅射工艺低频噪声，深硅刻蚀工艺低频噪声，共晶键合工艺低频噪声进行定量分析。

公开(公告)号：CN112886159B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110041854.4

申请日：2021-01-13

Applicant: 上海科技大学

Inventor： 杨瑾屏 ,  李升 ,  宋艳汝 ,  杨士成 ,  王彩霞 ,  朱忠博 ,  刘志

IPC: H01P1/163 ,  H01P5/08

Abstract: 本发明涉及一种宽带硅基金属波导矩‑圆模式变换器。所述模式变换器采用三段式结构，同时实现矩形TE01模到圆形TE11之间的电磁场波形变换和阻抗匹配。该模式变换器总长度小于四分之一波长，是目前已知长度最小的矩‑圆模式变换器结构之一。该模式变换器具有99％能量转化效率的工作带宽为28％，对高次模的抑制度大于115dBc。

公开(公告)号：CN112886159A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110041854.4

申请日：2021-01-13

Applicant: 上海科技大学

Inventor： 杨瑾屏 ,  李升 ,  宋艳汝 ,  杨士成 ,  王彩霞 ,  朱忠博 ,  刘志

IPC: H01P1/163 ,  H01P5/08

Abstract: 本发明涉及一种宽带硅基金属波导矩‑圆模式变换器。所述模式变换器采用三段式结构，同时实现矩形TE01模到圆形TE11之间的电磁场波形变换和阻抗匹配。该模式变换器总长度小于四分之一波长，是目前已知长度最小的矩‑圆模式变换器结构之一。该模式变换器具有99％能量转化效率的工作带宽为28％，对高次模的抑制度大于115dBc。