公开(公告)号：CN113299819A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110560045.4

申请日：2021-05-21

Applicant: 上海科技大学

Inventor： 宋艳汝 ,  杨瑾屏 ,  张硕 ,  夏经铠 ,  刘志

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/02 ,  G01T1/36

Abstract: 本发明涉及超导电子学技术领域，特别是涉及一种超导转变边探测器及其制备方法。本发明所提供的制备方法，先后在衬底上制备截止层、薄膜层、超导材料层、常态金属条和/或常态金属点、热沉件、吸收体等部件。本发明中，为缓解超导转变边沿出现扭折线的难题，在TES探测器超导薄膜上方生长常态金属条并适当增加一些常态金属点，同时为了降低制备探测器时的复杂度和解决超导体失超的问题，采用将吸收体与超导材料层(超导薄膜)直接接触的方式，并在制备超导薄膜时增加钼薄膜厚度，通过超导材料层的两个子层和吸收体三层薄膜来调控探测器的超导转变温度。

公开(公告)号：CN113299819B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202110560045.4

申请日：2021-05-21

Applicant: 上海科技大学

Inventor： 宋艳汝 ,  杨瑾屏 ,  张硕 ,  夏经铠 ,  刘志

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/80 ,  G01T1/36

Abstract: 本发明涉及超导电子学技术领域，特别是涉及一种超导转变边探测器及其制备方法。本发明所提供的制备方法，先后在衬底上制备截止层、薄膜层、超导材料层、常态金属条和/或常态金属点、热沉件、吸收体等部件。本发明中，为缓解超导转变边沿出现扭折线的难题，在TES探测器超导薄膜上方生长常态金属条并适当增加一些常态金属点，同时为了降低制备探测器时的复杂度和解决超导体失超的问题，采用将吸收体与超导材料层(超导薄膜)直接接触的方式，并在制备超导薄膜时增加钼薄膜厚度，通过超导材料层的两个子层和吸收体三层薄膜来调控探测器的超导转变温度。